深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司 Power Integrations 近日發布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統提供簡單可靠的電源，這些子系統包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
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IC MOSFET
全球半導體內存解決方案領導廠商華邦電子于6月10日發布HyperRAM? 產品，這是繼2019年發布后，進一步推出采用 WLCSP 的 HyperRAM? 產品，在嵌入式應用中達到前所未有的薄型尺寸規格。HyperBus?技術最早是由Cypress在2014年發表，相較于其他內存IC的傳輸控制接口， HyperBus? 接口的特點之一是接腳數低，這使得電路板的布局更簡潔, 布線面積也更小。多家IC設計服務公司已推出HyperBus?的相關IP，這讓主芯片廠商在設計內存控制器時 更加容易，目前愈來愈多主芯片
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KGB IC
這一場中美貿易爭端，將中美IC產業直接暴露到了戰場上，作為夾在中美之間的中國臺灣地區的IC產業該如何尋找屬于自己的機遇？我們聽聽當地的同行怎么說。
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IC 供應鏈
全球領先的高性能傳感器解決方案供應商、移動市場3D臉部識別領域領導者艾邁斯半導體（ams AG）近日推出適用于數字X射線平板式探測儀(FPD)的新型讀取集成電路(IC) —— AS5850A，能夠為臨床醫生提供更清晰的圖像，同時減少對患者的輻射影響。●? ?新型AS5850A是一款256通道數字讀取電路IC，適用于醫療平板式探測儀●? ?作為醫療應用圖像傳感器的領先提供商，艾邁斯半導體持續進行芯片設計和生產工藝創新，不斷推出卓越的高速、低功耗、低噪聲產品●?
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IC FPD
近年來的中興華為事件讓小小的芯片走進了所有國人的視線中，更是將芯片產業推上了前所未有的風口浪尖。其背后承載的不僅是一場有關時間的較量，更是數十年的技術積淀，也是中國高科技產業的基石。為了不再受制于人，從政府到企業，全國上下都掀起了一場“自研芯片”的攻堅戰。實名制認證+線上預約，安全觀展響應國家防控號召，本屆慕尼黑上海電子展實名預登記系統新升級上線！掃描二維碼或前往官網進行預登記① 請您憑真實、有效個人身份證信息參與預登記，提前預約展會參觀名額② 所有進入展館范圍的人員須統一采用“隨申碼+測溫+刷驗身份證原
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半導體產業 IC 中國芯科技園
摘要本文探討ADI公司新推出且擁有廣泛市場的LIDAR原型制作平臺，以及它如何通過提供完整的硬件和軟件解決方案，使得用戶能夠建立其算法和自定義硬件解決方案的原型，從而幫助客戶縮短產品開發時間；詳細介紹模塊化硬件設計，包括光接收和發送信號鏈、FPGA接口，以及用于長距離感測的光學器件；介紹系統分區決策，以凸顯良好的系統設計、接口定義和合適的模塊化分級的重要性；描述開源LIDAR軟件堆棧的組件和平臺定制的API，顯示客戶在產品開發期間如何受益，以及如何將這些產品集成到其最終的解決方案中。簡介隨著自動駕駛汽車和
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API LIDAR IC
寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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安世 GaN MOSFET
作為信息技術產業核心，集成電路產業的創新與發展已成為各地關注重點。6月16日，記者獲悉，成都高新區作為西部集成電路產業發展聚集地，正致力于推進集成電路產業創新提能，通過構建集成電路“1+1+N”公共技術服務平臺，健全集成電路公共技術服務體系，激發集成電路企業創新創造活力。“當前，成都高新區正聚力科技創新，加快建設國家高質量發展示范區和世界一流高科技園區。在成都高新區提出的六條發展原則中，其中之一就是‘堅持科技創新，匯聚轉型發展高質量發展的新動能’。”成都高新區電子信息產業局相關負責人表示，集成電路設計工具
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集成電路 IC
我國正在大力進行新基建，工業物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發展基礎。充電樁、工業物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產品部區域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產品部 區域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業電源市場
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電源 SiC IGBT GaN
微電子半導體解決方案全球供應商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis? 磁力計節點，這是一款汽車級 (AEC-Q100) 單片傳感器 IC，可利用霍爾效應提供三維無接觸式傳感功能。MLX90395 雙裸片版本可實現冗余，適用于要求苛刻的場景，例如汽車應用中的變速換檔桿位置傳感。MLX90395 的功能通過系統處理器定義，而不是硬連線到器件本身。就位置傳感的適用性而言，該產品幾乎不受任何范圍限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 兩種接口，可輕松在汽車或工業控制環境中集成。
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IC 3D
近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關設備。 日前，安世半導體MOS業務集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯技術，利用高壓GaN配合低壓
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安世半導體 GaN
Mentor， a Siemens business 近日宣布，旗下系列IC設計工具獲得了臺積電（TSMC）業界領先的 N5 和 N6 制程技術認證。此外，Mentor 與 TSMC 的合作現已擴展到先進封裝技術領域， Mentor Calibre? 平臺的 3DSTACK 封裝技術將進一步支持 TSMC 的先進封裝平臺。TSMC 的 N5 和 N6 制程技術能夠幫助眾多全球領先的 IC 設計公司提高處理器的性能、縮小尺寸并降低功耗，從而更好地應對汽車、物聯網、高性能計算、5G 移動/基礎設施、
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Mentor 新思科 IC
半導體應用網消息，6月9日，英飛凌科技股份公司推出一款恒定電流的線性 LED 驅動IC BCR431U，能在調節 LED 電流時提供較低的電壓降。該產品為新一代 BCR 系列的第二款產品，具有低壓降特性，針對最高 37 mA 的低電流所設計。新款 BCR431U 的典型應用包括 LED 燈條、廣告招牌、建筑 LED 照明、LED 顯示器，以及應急、零售和家電照明。此集成驅動 IC 在 15 mA 電流下的壓降僅 105 mV，效能領先業界，為照明應用提供了更多的設計彈性。如此可提升整體效率，并提供所需的電
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英飛凌 BCR431U LED IC
通常情況下，蜘蛛俠在尋找可攀附的建筑物時，可擴展性是考量的重要因素。雖然供電設計并非典型的超級英雄配備，但設計的可擴展性往往與滿足設計的需求同樣重要。而要達到設計靈活，最有效途徑莫過于選擇可擴展性的系列裝置。所謂可擴展性的系列裝置，意指各裝置的引腳對引腳兼容，且系列中每項裝置接腳相同，如圖一所示，換言之，若您需要將額定電流10A的器件更換為額定電流為20A 的器件，只需移除?10A 裝置，再裝上?20A 裝置，不需重組或大幅更動電路板配置；亦可繼續運用同系列裝置的各項特性，如外部零組件
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PG IC 轉化器
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯結構并優化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
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