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瑞森高P無頻閃IC降價再升級，重力出擊LED無頻閃市場！
- 導(dǎo)讀：近幾年，LED燈頻閃問題日漸備受關(guān)注。央視3·15稱，LED燈的“頻閃”問題會導(dǎo)致頭痛和眼疲勞、引發(fā)光敏性癲癇病、導(dǎo)致視力下降等問題。隨后不久，中共中央總書記、國家主席、中央軍委主席習(xí)近平作出重要指示指出，我國學(xué)生近視呈現(xiàn)高發(fā)、低齡化趨勢，嚴重影響孩子們的身心健康，這是一個關(guān)系國家和民族未來的大問題，必須高度重視，不能任其發(fā)展。2018年教育部等八部門印發(fā)《綜合防控兒童青少年近視實施方案》，將防控兒童青少年近視上升為國家戰(zhàn)略。為保護青少年視力，企校聯(lián)動，多地學(xué)校陸續(xù)將校園中的LED燈管更換成無頻閃L
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新移動時代下的IC設(shè)計
- 加速汽車IC設(shè)計周期自動駕駛汽車（AV）正在將我們推入一個全新的移動時代，為了滿足AV的高性能和低功耗要求，如今的SoC設(shè)計者需要為AI算法優(yōu)化定制的硅架構(gòu)，使用傳統(tǒng)的設(shè)計方法十分耗費時間，于是HLS（高等級邏輯綜合）開始步入人們眼簾。HLS能夠使用SystemC或C++對設(shè)計功能進行高級描述，并將它們綜合到RTL中。在更高抽象層次上進行設(shè)計，通過將芯片功能規(guī)約與實現(xiàn)規(guī)約相分離，加速初始設(shè)計的完成?(圖1)。這種方式能將設(shè)計時間縮短至幾個月，所需代碼僅是傳統(tǒng)RTL流程的一半。在不影響設(shè)計進度的情
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EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列
- 日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計基礎(chǔ)及應(yīng)用，例如激光雷達、DC/DC轉(zhuǎn)換及無線電源等應(yīng)用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書的內(nèi)容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
- 關(guān)鍵字： GaN 播客
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能，可讓設(shè)計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計
- 在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術(shù)而言，GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
- 關(guān)鍵字： LDN GaN
德州儀器推出堆棧式DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，實現(xiàn)高電流FPGA和處理器電源的功率密度更大化
- 德州儀器（TI）近日推出業(yè)界首款可堆疊多至四個集成電路（IC）的新型40-A SWIFTTM?DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器。TPS546D24A?PMBus降壓轉(zhuǎn)換器可在85°C的環(huán)境溫度下提供高達160A的輸出電流，比市場上其他功率集成電路高四倍。在眾多40A DC/DC轉(zhuǎn)換器中，TPS546D24A效率更高，能夠在高性能數(shù)據(jù)中心、企業(yè)計算、醫(yī)療、無線基礎(chǔ)設(shè)施以及有線網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中將功耗降低1.5W?？s小電源尺寸并優(yōu)化熱性能解決方案尺寸和熱性能是工程師為現(xiàn)代現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）設(shè)計電源的
- 關(guān)鍵字： QFN IC
馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.
- 領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù)，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體，并擁有和汽車行業(yè)（尤其是日本）直接合作的成功經(jīng)驗。獲得這一技術(shù)對正在探索電力傳動系統(tǒng)業(yè)務(wù)
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Qorvo推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶 GaN 功率放大器
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測試儀表應(yīng)用而設(shè)計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統(tǒng)設(shè)計人員帶來提高系統(tǒng)性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數(shù)量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： GaN 功率放大器
Power Integrations的BridgeSwitch無刷直流電機驅(qū)動器IC產(chǎn)品系列已擴展至400 W
- 深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司近日宣布BridgeSwitch?集成半橋(IHB)電機驅(qū)動器IC產(chǎn)品系列已有新的擴展，現(xiàn)在支持最高400W的應(yīng)用。BridgeSwitch IC內(nèi)部集成了兩個性能加強的FREDFET（具有快恢復(fù)外延型二極管的場效應(yīng)晶體管）分別用于半橋電路的上管和下管，且具有無損耗的電流檢測功能，可使無刷直流(BLDC)電機驅(qū)動器應(yīng)用中的逆變器效率達到99.2%。IHB驅(qū)動器所提供的業(yè)界先進的效率性能和分布式散熱方法可省去散熱片，有助于
- 關(guān)鍵字： 驅(qū)動器 IC BLDC
Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓撲。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關(guān)心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
- 關(guān)鍵字： Nexperia GaN EV逆變器
納微半導(dǎo)體65W 氮化鎵(GaN)方案獲小米10 Pro充電器采用
- 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術(shù)已被小米采用，用于旗艦產(chǎn)品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執(zhí)行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發(fā)布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導(dǎo)體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
- 關(guān)鍵字： 小米 GaN 納微半導(dǎo)體
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