據外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。 接受采訪時，SK海力士研發Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內發展起來。 Kim
Dong-kyun透露，“后DDR5”產品已經有幾套技術概念成型，其中一套延續現有的數據傳輸規范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統的處理技術結合。 資料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發出單顆容量16Gb(2GB)的DD
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DRAM DDR6
業界都謹慎地觀察2019年中國半導體業的發展態勢，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個方面，包括2019年全球半導體業的弱勢;中國集成電路產業發展由產能擴充階段轉向產品增長的攻堅戰;以及在貿易戰下心理因素的影響等來初探2019年中國半導體業的增長。
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半導體 DRAM 存儲器
盡管隨著主要存儲器業者已完成或即將完成Flash存儲器產量擴增計劃，2019年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續高于各業者在DRAM與晶圓代工業務上的支出。 ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導體業者在Flash業務上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業務資本支出金額的219億美元。
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DRAM 晶圓 Flash
非易失性存儲器技術是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候數據不會丟失的技術。非易失性存儲器技術得到了快速發展，非易失性存儲器主要分為塊尋址和字節尋址兩類。 在很多的存儲系統的寫操作程序中，內存作為控制器和硬盤之間的重要橋梁，提供更快速的性能，但是如果發生突然間斷電的情況，如何保護內存中的數據不丟失，這是存儲系統中老生常談的議題。易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候，里面的數據會丟失，就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會丟失，像硬盤等外存。RRAM是一
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存儲器 DRAM
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年12月正值歐美年節時期，DRAM成交量清淡，因此不列入合約價計算，意味著12月份合約價與11月份大致持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩種模組的最低價分別已跌破60與30美元關卡。DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價已于去年12月開始議定，綜合庫存過高、需求比原先預估更為疲弱，以及短中期經濟展望不明朗等因素，買賣雙方已有8GB均價降至55美
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DRAM，價格
隨著中美談判嘗試結束貿易戰，對于兩國沖突的一個關鍵方面——針對涉嫌盜竊商業機密的刑事起訴，美國謀求新的策略來打擊中國實現內存芯片量產的愿景。據外媒報道，當地時間本周三，福建晉華與其合作伙伴臺灣聯電被控竊取商業機密一案在舊金山聯邦法院審理，預計晉華和聯電將做無罪辯護。
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晉華 DRAM 聯電
據BusinessKorea北京時間1月8日報道，受內存行業的增長推動，去年全球半導體市場同比增長了13%。三星電子以15.9%的市場份額維持住了全球龍頭老大的位置;SK海力士排名第三(注)，營收同比增長38.2%，在行業前十大公司中增速最快。 據市場研究公司Gartner日前發布的2018年全球半導體市場初步報告顯示，全球半導體營收去年達4767億美元，同比增長13.4%。存儲芯片占半導體總營收的比重從2017年的31%上升至了2018年的34.8%，占比最大。 三星電子去年的半導體營收達759
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三星 半導體 DRAM
DRAM內存降價已是必然，內存大廠也紛紛消減明年DRAM產能。不過這內存漲的時候猛漲不止，降價的勢頭也同樣比預期更狠。與此同時，NAND Flash產能超出預期，以致市場供過于求，價格連續走跌。
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存儲器 DRAM
每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International
Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內存、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與納米級規模元件、粒子物理學現象、光電工程、
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DRAM GAA-FET
全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK
Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫。 1 DRAM連漲之后持續下跌 在DRAM內存漲價超過9個季度之后，內存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現貨價格跌了10%，預計2019年還會繼續跌20%。 受此影響，全球第四大內存芯片廠商南亞科
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DRAM NAND
DRAM內存降價已是必然，內存大廠已紛紛消減明年DRAM產能。不過這內存漲的時候猛漲不止，降的時候看來勢頭會比預期更狠。 瑞銀分析師TimothyArcuri日前發布了關于內存市場的分析報告，雖然維持美光公司的中性評級，但他下調了美光的目標股價，從52美元砍至41美元。他不看好美光股價的原因就是明年Q1季度內存降價幅度要高于預期，之前分析認為明年環比下架10-12%左右，但是新的數據顯示明年Q1季度內存價格降幅達到10-15%，而且NAND閃存價格也會降10-15%。 此前，DRAMeXchang
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DRAM 存儲器
根據臺灣11月27日首度公布的報告顯示，由于大陸出口美國的產品，半數以上已被征稅，導致大陸制造商購買設備零件的意愿轉趨保守，臺灣機械訂單對大陸出口下滑，10月減少6.7個百分點。 臺灣經濟部統計處長林麗貞20日指出，傳統產業接單已經受到美中貿易摩擦影響。今年上半年基本金屬接單很旺，但近期接單成長明顯下滑，10月僅年增3.7%，為連續三個月呈個位數成長。 她進一步表示，一旦中美貿易摩擦影響到全球經濟，恐會導致終端需求減少。 此外，中高端手機銷售不如預期，恐會使未來資訊通信產品及電子產品接單受到影響
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半導體 DRAM
國家市場監督管理總局反壟斷局日前表示已對三星，海力士，美光公司進行反壟斷調查。如果被認定存在壟斷行為，將面臨天價罰款，這一數字或將是每家25億美元
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DRAM
存儲芯片產業發展道阻且長，無論對于晉華、長江存儲還是長鑫，技術來源都是首先要解決的問題，無論技術授權、合作開發，還是自主研發，只有從技術源頭掌握關鍵技術，才能避免被卡脖子。
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晉華 DRAM
半導體產業都是以美元計價，所以國內半導體廠都會設立境外公司來降低匯率變動帶來的壓力。以晶圓代工龍頭臺積電來說，已在上次董事會核準在額度不超過20億美元范圍內，對臺積電在英屬維京群島設立的百分之百持股子公司TSMCGlobalLtd.增資，以降低外匯避險成本。 南亞科董事會昨(12)日亦決議在10億美元額度內，成立100%持股的境外子公司以降低外匯避險成本。特別是DRAM價格都以美元計價，而且匯率變動會直接影響DRAM廠財報表現，降低匯率波動影響自然有助于營運不致于出現過多業外變數。 對于DRAM市
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DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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