晉華被禁這也只是一個“導火索”，其根源還是美國希望扼制中國存儲產業的發展。
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晉華 DRAM
存儲器是信息系統的核心芯片，對于保障國家安全和信息安全具有重要意義。當前以云計算、大數據、人工智能為代表的新一代信息技術革命迅猛發展，引發了海量數據的增長，對存儲器的需求也在不斷增加。2017年，我國僅存儲器進口規模就達到870億美元。 近日，第二屆中國高端芯片高峰論壇召開。以“存儲器產業：在開放與競爭中成長”為主題，與會專家對我國存儲器產業發展策略進行了探討：當前，存儲器正處于技術變革的關鍵時期。既要推動現有主流存儲器技術，產品的應用發展，也要在新興存儲器方面有超前考慮，力爭為我國企業在存儲器領域
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DRAM 存儲器
當地時間周一下午，美國商務部突然發難，以威脅國家安全為由，將中國存儲芯片制造商福建晉華集成電路實施緊急禁售令，禁止美國企業向后者出售零部件、軟件和技術產品。美國商務部稱，福建晉華涉及違反美國國家安全利益的行為，給美國帶來了嚴重風險(Significant risk)，并表示晉華即將完成大幅增產計劃，其動態隨機存取存儲芯片(DRAM)產量顯著上升，此舉長遠威脅到美國DRAM芯片對軍方的供應穩定性。這是今年繼中興以來，美國政府對中國半導體企業實施的第二例禁售，相比中興，對晉華的指控和制裁顯得尤為無理。
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DRAM 芯片
周一下午，美國商務部突然發難，以威脅國家安全為由，將中國存儲芯片制造商福建晉華集成電路實施緊急禁售令，禁止美國企業向后者出售零部件、軟件和技術產品。分析師認為，基于本次美國商務部聲明中稱，“福建晉華將威脅到為軍方提供此類芯片的美國供應商的生存能力，同時認為這家中國制造商生產能力的擴大很可能得益于‘源自美國的科技’”，本次禁令可視為此前美光-聯電-晉華三者間專利糾紛的延續與深化。 根據聲明，美國企業必須持有特定許可證，才能向晉華出口零件、軟件、技術產品和服務，美國商務部希望通過出口禁令，限制晉華威脅美
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10月29日，美國商務部在官網發布公告稱，將對福建省晉華集成電路有限公司實施禁售，自10月30日起正式實施。 具體來說，自30日起，美國商務部限制了美國公司對福建晉華的出口，并將其加入到了禁售清單。 美國商務部稱晉華公司構成了參與違反美國國家安全利益的活動，有重大風險。 商務部認為晉華公司即將獲得大規模生產DRAM的能力，而這可能源于美國技術，而且量產也會威脅到美國軍用系統的供應商的長期經營能力。 商務部長羅斯表示：“當外國公司從事違反國家安全利益的活動時，我們將采取有力措施保護我們的國家安全
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福建晉華 DRAM
中國存儲器產業起步較晚，我國作為全球最重要的存儲器市場，在國家產業政策扶持以及大量資本投入的背景下，通過自主研發關鍵技術與引入半導體巨頭，有望實現存儲器產業的“彎道超車”，在全球競爭中占有一席之地。
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DRAM在過去九個季度中價格持續上漲，但隨著技術漸入瓶頸，加之2018年智能手機增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務盛行下服務器需求大減等影響，市場中DRAM漸趨供過于求，進而使得DRAM價格持續下跌。這種情況，對于國產廠商而言究竟意味著什么呢?
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DRAM 存儲器
10月11日晚間，紫光國芯微電子股份有限公司發布公告，將轉讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設計研發的西安紫光國芯半導體有限公司(以下簡稱“西安紫光國芯”)給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司(以下簡稱“紫光存儲”)。 按照公告的說法，過去幾年里，西安紫光國芯為保持和跟進 DRAM 存儲器芯片設計領域的先進技術，持續加大產品開發投入，但受下游制造代工產能等方面的限制，短期內無法達到規模經濟，經營壓力加大，資產負債率不斷提高，已影響到其正常持續經營，給上市公司帶來了一定的資金和業績壓力，其
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紫光 DRAM
DRAM芯片漲價不斷，三家壟斷企業賺翻了天，凈利潤高達50%以上，對于很多中小企業而言，它們也想改變DRAM市場的格局，很多國家想過通過“反壟斷”改變行業現狀，但仍舊無濟于事。
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DRAM 芯片
內存漲價今年底也要到頭了，投行機構也看衰內存行業前景，認為明年內存價格會跌，不過在內存業內廠商來看，內存市場已經變天了，已經變成寡頭壟斷，不能再用以前的漲跌周期來看待了。
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今年7月，三星宣布了8Gb LPDDR5內存顆粒的正式量產。對此，有投資者在互動平臺上提問，這是否會對紫光國微的DDR4前景造成影響?
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紫光國微，DRAM
近日國際半導體產業協會SEMI公布了最新的中國集成電路產業生態系統報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區，占據首位。 2014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
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晶圓 DRAM 3D NAND
IC Insights預測，今年半導體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業年均支出總額首次超過1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長了9%，比2016年增長了38%。預計存儲器IC占2018年半導體支出的53%，其中，閃存占資本支出的份額最大，而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續增長。 如圖所示，超過一半的行業資本支出預計用于內存尤其是DRAM和閃存生產，包括對現有晶圓廠產線和全新制作設施的升級。總的來說，預計今年內存將占到半導體資本支出的53%，達到
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存儲器 DRAM
8月20日，研究機構ICInsights發布了2018年上半年全球半導體供應商Top15榜單，三星位居第一位，英特爾位居第二位。不過遺憾的是，中國大陸暫時沒有公司進入這個榜單的前15名。 根據發布的數據顯示，三星、英特爾、SK海力士、臺積電、鎂光排名榜單的前五位，相較于去年同期，這幾家公司都有比較明顯的增長，特別是三星、SK海力士以及鎂光，分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內存、德州儀器、英偉達、西數\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導體和聯發科。這里，英偉達數據最為搶眼，相較于去年同期，英偉
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DRAM NAND
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，2018年第二季由于供給吃緊情況延續，帶動整體DRAM報價走揚，DRAM總營收較上季成長11.3%，再創新高。除了圖像處理內存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動價格有15%顯著上漲外，其余各應用類別的內存季漲幅約在3%左右。 展望第三季價格走勢，DRAMeXchange指出，PC-OEM廠已陸續在七月份議定合約價格。就一線大廠定價來看，均價已來到34.5美元，較前一季上漲約1.5%
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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