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        三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進16nm

        作者:上方文Q 時間:2019-04-10 來源:快科技 收藏

        作為占據(jù)全球內(nèi)存芯片過半市場的超級巨頭,的一舉一動都影響著整個行業(yè)。前幾年內(nèi)存價格持續(xù)暴漲,三星賺得盆滿缽滿,最近日子就不太好過了,一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60%。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201904/399322.htm

        但無論如何,為了持續(xù)穩(wěn)穩(wěn)占住市場,產(chǎn)品和技術還是要繼續(xù)推進的。

        目前,三星在服務器內(nèi)存芯片上主要使用18nm工藝,不過明年會全面轉向新的工藝。

        三星從2018年中開始使用18nm工藝量產(chǎn)8Gb(1GB)容量的服務器內(nèi)存芯片,明年則會加大 16Gb(2GB)的產(chǎn)能和出貨量。

        另外,有市場傳聞稱,三星發(fā)給美國某數(shù)據(jù)中心廠商的18nm工藝服務器內(nèi)存芯片被退了貨,因為產(chǎn)品質量不穩(wěn)定。

        不過還好,由于這批貨在內(nèi)存服務器芯片總的出貨量中占比不是很大,目前看影響有限。

        市調(diào)機構預計,到2023年,服務器和數(shù)據(jù)中心將取代PC和手機,成為最大的內(nèi)存芯片市場。

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        關鍵詞: DRAM 16nm 三星電子

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