中國半導體產業發展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

　　根據韓國媒體《BusinessKorea》的報導指出，中國一直企望發展半導體產業，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續技術精進下，加上美國對知識產權的嚴密保護，其目的將難以達成。

　　報導指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術上領先的長江存儲(YMTC)發布了自行研發的32層堆疊產品之后，當時就宣布將在2020年時跳過64層及96層堆疊的產品，直接發展128層堆疊的產品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經推出了32層堆疊的NANDFlash快閃存儲器產品，所以在過去在技術上至少有5年的領先差距。

　　只是，如果依照計劃，長江存儲一旦真的能在2020年推出128層堆疊的產品，相較三星在2019年要量產96層堆疊的產品，并且預計在年底開發出128層堆疊的產品，則三星在NANDFlash快閃存儲器技術上領先長江存儲就僅剩下一年的時間，其追趕的進度令人驚訝。

　　由于在NANDFlash快閃存儲器技術發展，從32層堆疊到64層堆疊，再到96層堆疊，乃至于到目前最新的128層堆疊技術，其每一代的技術研發大概需要一年的時間。如此，長江存儲雖然號稱要在2020年推出128層堆疊的產品，但結果是在目前半導體市場低迷，再加上三星與SK海力士兩家公司幾乎壟斷市場，長江存儲連32層堆疊的NANDFlash快閃存儲器大量量產都有問題的狀況下，更遑論要開發最新128層堆疊技術的產品，因此中國要發展NANDFlash快閃存儲器產業就此受阻。

　　再談到較NANDFlash快閃存儲器技術更為復雜的DRAM產業時，雖然中國也一直視為重點發展產業，不過當前中國在這產業可說是一團混亂。原因是自2018年開始，原本積極布局服務器DRAM領域的廠商福建晉華，在受到美國禁售令的影響，目前已經逐步退出市場。盡管福建晉華在2011年就已經宣布推出32奈米制程的DRAM樣品，只是在美國積極保護DRAM知識產權，而且祭出禁售令的情況之下，福建晉華是不是能夠有機會推出這個規格的產品，目前還在未定之天。