摘要：SDRAM的讀寫邏輯復雜，最高時鐘頻率達100 MHz以上，普通單片機無法實現復雜的SDRAM控制操作，復雜可編程邏輯器件CPLD具有編程方便，集成度高，速度快，價格低等優點。因此選用CPLD設計SDRAM接口控制模塊，簡化
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設計 控制器 SDRAM EPM1240 基于
在高速信號處理系統中，需要緩存高速、大量的數據，存儲器的選擇與應用已成為系統實現的關鍵所在。DDR SDRAM是一種高速CMOS、動態隨機訪問存儲器，它采用雙倍數據速率結構來完成高速操作。DDR SDRAM一個時鐘周期只能傳輸一個數據位寬的數據，因此在相同的數據總線寬度和工作頻率下，DDR SDRAM的總線帶寬比DDR SDRAM的總線帶寬提高了一倍。
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存儲器 DDR SDRAM
嵌入式DSP訪問片外SDRAM的低功耗設計研究,DSP有限的片內存儲器容量往往使得設計人員感到捉襟見肘，特別是在數字圖像處理、語音處理等應用場合，需要有高速大容量存儲空間的強力支持。因此，需要外接存儲器來擴展DSP的存儲空間。在基于DSP的嵌入式應用中，存儲
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設計 研究 功耗 SDRAM DSP 訪問 嵌入式
PDMA在測試SDRAM控制器中的應用,我們設計了一個PDMA（Programmable Direct Mem o ry Access）用于測試SDRAM控制器的性能。在SoC中，SDRAM控制器往往跟多個IP模塊（圖形處理單元，音頻處理單元等）交換數據，采用多個PDMA通道同時訪問Memory可以真實
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應用 控制器 SDRAM 測試 PDMA
基于VHDL的SDRAM接口設計,RAM通常用于數據和程序的緩存,隨著半導體工業的發展，RAM獲得了飛速的發展，從RAM、DRAM(Dynamic RAM，即動態RAM)發展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態RAM)，RAM的容量越來越大、速度越來越高，可以說存
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設計 接口 SDRAM VHDL 基于
隨著系統復雜度的提高，SDRAM的運行速度也越來越快，對PCB布線帶來了影響，僅僅使用一些經驗法則來設計SDRAM走線并不能完全保證系統的穩定。不同的芯片有不同的時序要求，對走線的要求也是有差別，需要從理論上分析SDRAM時序和PCB走線長度之間的關系。
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SDRAM PCB 201109
DSP有限的片內存儲器容量往往使得設計人員感到捉襟見肘，特別是在數字圖像處理、語音處理等應用場合，需要有高...
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SDRAM 低功耗
摘要：為了滿足高速圖像處理系統中需要高接口帶寬和大容量存儲的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設計方法，提出一種基于VHDL語言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對高速圖像處理系統中的具體情況，在Xilinx的ML506開發
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接口 設計 DDR2-SDRAM 理系 圖像 處理 高速
爾必達存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術實現32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據爾必達介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術的現有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節省
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爾必達 SDRAM
摘要：采用DDR2SDRAM作為被采集數據的緩存技術，給出了USB2.0與DDR2相結合的實時、高速數據采集系統的解決方...
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USB2.0 DDR2 數據采集
在數據處理中為了更好地對被測對象進行處理和分析，研究人員們把重點更多的放在高速、高精度、高存儲深度的數據采集系統的研究上 由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現，已經可以實現高速高精度的數據處理，則
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SDRAM DDR 高速數據 采集系統
處理器外接SDRAM的控制技術介紹,現代的處理器(SoC)或DSP都內建有內存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內存的控制接口。但不同處理器內部的內存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機程序內，皆屬于
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介紹 技術 控制 SDRAM 處理器
DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，即雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，能夠在時鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數據，可以在與SDRAM相同的總線時鐘頻率下達到更高的數據傳輸率。雖然DDR2和DDR一樣,都采用相同采樣方式進行數據傳輸，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統命令數據的能力。
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Cyclone FPGA DDR2 III
DDR是雙倍數據速率的SDRAM內存，如今大多數計算機系統、服務器產品的主流存儲器技術，并且不斷向嵌入式系統應用領域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機的采納，DDR內存儼然成為智能手機轉變的方向之一，例如韓國泛泰去年底最新推出的Android智能手機Vega X就搭載了512MB的DDR2內存。
DDR技術不斷發展，并行總線達到了串行技術的速度，時鐘速度達到1GHz。目前，DDR3現在已經具備1.6Gb/s的數據速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發中，很快就會出現在市場上。
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SDRAM DDR測試
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