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基于USB2_0和DDR2的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計與FPGA實現(xiàn)
- 摘要： 采用DDR2 SDRAM作為被采集數(shù)據(jù)的緩存技術(shù)， 給出了USB2.0與DDR2相結(jié)合的實時、高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的解決方案， 同時提出了對數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的改進(jìn)思路以及在Xilinx的Virtex5 LX30 FPGA上的實現(xiàn)方法。
0 引 - 關(guān)鍵字： DDR2 FPGA USB 數(shù)據(jù)采集
基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號采集系統(tǒng)的設(shè)計與實
- 要FPGA與的數(shù)字信號采集系統(tǒng)。可以提供大容量的存儲空間。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過計算機(jī)并口實現(xiàn)與計算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價格昂貴,而且存取深度不足限制了對于海量數(shù)字電視信號的分析能力
- 關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號 采集系統(tǒng)
一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計
- 自由立體顯示器是一種無需佩戴輔助裝置就能觀看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實還原三維...
- 關(guān)鍵字： FPGA 立體視頻轉(zhuǎn)換 SDRAM DVI
基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)
- 基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言 面對不同的應(yīng)用場景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對不同信號的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計需要保存原
- 關(guān)鍵字： 方式 數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲 結(jié)構(gòu) SDRAM 文件 基于
美光推出內(nèi)存支持基于英特爾處理器的平板電腦和上網(wǎng)本
- 美光科技 (Micron Technology, Inc.) 今日宣布推出新型2Gb 50納米的DDR2內(nèi)存，支持英特爾即將對平板電腦和上網(wǎng)本推出基于Intel® 凌動™ 的Oak Trail平臺。尺寸和電池壽命對于平板電腦市場十分重要，因此，小尺寸、高容量、低功耗的50納米的2Gb DDR2內(nèi)存將成為該市場的 理想存儲解決方案。 美光的2Gb DDR2產(chǎn)品過渡到更先進(jìn)的 50 納米制程節(jié)點， 反映出美光對市場所需的技術(shù)的承諾和持續(xù)投資。從1Gb升級到2Gb 的元件除了容量提
- 關(guān)鍵字： 美光 50納米 DDR2
鎂光開始出貨50nm 2Gb DDR2 內(nèi)存芯片
- 鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。 該芯片采用低電壓DDR2標(biāo)準(zhǔn)制造，可與英特爾開發(fā)代號Oak Trail的Atom系統(tǒng)協(xié)同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構(gòu)成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內(nèi)存條，實現(xiàn)8億MT/s傳輸能力。 得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統(tǒng)的電源需求。 鎂光預(yù)計這種DD2存儲芯片將在2010年9月開始出樣，年末之前量產(chǎn)出貨。
- 關(guān)鍵字： 鎂光 50納米 DDR2
茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM
- 臺系DRAM廠陸續(xù)啟動多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費性電子市場重要里程碑，對鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時雨。 2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識到太過執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
- 關(guān)鍵字： Qimonda DRAM SDRAM
力晶王其國：DRAM制程難度提升 摩爾定律放緩
- 力晶總經(jīng)理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠上，會因為財務(wù)問題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過于求的問題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(jī)(Smart Phone)對于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級的應(yīng)用，對于未來DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。 王其國表示，過去摩爾定律認(rèn)為每隔18個月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達(dá)成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進(jìn)
- 關(guān)鍵字： 力晶 SDRAM DRAM
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