爾必達采用TSV技術SDRAM芯片開始供貨

　　爾必達存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達表示采用TSV技術實現32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據爾必達介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術的現有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節省耗電量、實現小型化和薄型化。

　　據爾必達介紹，如果采用此次的封裝產品，與SO-DIMM相比工作時的耗電量可削減約20%，待機時和更新時均可削減約50%。封裝面積方面，配備 2GB(16Gbit)時，SO-DIMM為67.6mm×30.0mm，此次配備兩個11.0mm×15.0mm的封裝即可。由此，封裝面積可削減約 70%。另外，還具有可省去DIMM槽、削減封裝高度等優點。耗電量降低、封裝面積減小的原因是，采用TSV后用來連接芯片的布線長度會變短。據爾必達介紹，布線長度變短后，寄生電阻和寄生容量會降低，從而可以削減耗電量，還可以減小布線所需要的封裝面積。

　　爾必達存儲器正在發力制造以智能手機和平板終端為代表的移動產品中使用的DRAM。作為其中一個環節，爾必達一直在大力開發TSV技術，這是一項削減移動產品用DRAM耗電量和封裝面積的重要技術。此次樣品供貨采用TSV、32bit輸入輸出的8Gbit DR3 SDRAM，也是為了順應這一發展趨勢。