- 臺系DRAM廠陸續啟動多角化產品線策略，近期茂德悄悄與鈺創進行結盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創代工高容量256Mb DDR2產品，采用72納米制程，目前已進入試產，這是茂德跨入消費性電子市場重要里程碑，對鈺創而言，亦在SDRAM產能吃緊情況下獲得及時雨。
2008~2009 年DRAM產業低潮雖然僅淘汰歐系奇夢達(Qimonda)，但各家DRAM業者都意識到太過執著于標準型DRAM產品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續傳出DRAM廠開始布局非標準型DRAM產品領域，包括SDRAM、
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Qimonda DRAM SDRAM
- 摘要：隨著數據存儲量的日益加大以及存儲速度的加快，大容量的高速存儲變得越來越重要。內存條既能滿足大容量的存儲又能滿足讀寫速度快的要求，這樣使得對內存條控制的應用越來越廣泛。首先介紹了內存條的工作原
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FPGA DDR 內存條
- Cyclone II如何實現的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復雜度的情況下要想增強系統性能，改善數據位寬是一個有效的手段。通常來說，可以把系統頻率擴大一倍或者把數據I/O管腳增加一倍來實現雙倍的數據位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因為它們會增加
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SDRAM 接口 DDR 實現 II 如何 Cyclone
- 力晶總經理王其國表示，目前12寸晶圓廠不論在標準型DRAM或是代工業務如LCD驅動IC芯片、SDRAM產品上，產能都相當吃緊，未來DRAM業者在轉制程和蓋新廠上，會因為財務問題而放緩腳步，因此短期內不擔心供過于求的問題，尤其是相當看好智能型手機(Smart Phone)對于DRAM產能的消耗量，算是殺手級的應用，對于未來DRAM產業看法相當正面。
王其國表示，過去摩爾定律認為每隔18個月晶圓產出數量可多出1倍，但未來隨著DRAM產業制程技術難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達成，加上現在轉進
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力晶 SDRAM DRAM
- 采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實現，由于A3125資源較為豐富，除了可以實現高分辨率的顯示以外，還可以實現多圖層的功能，功能上高于上述的方案。
功能特點：
1、采用Actel中等容量
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分辨率 顯示 方案 多功能 實現 A3P125 SDRAM 基于
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時，雖然三星官方指出影響不大，但業界對于已極度缺貨的DRAM市場相當緊張，甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響，尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊，三星跳電事件恐讓存儲器供應鏈出現供貨排擠效應。
三星器興廠發生停電意外，在啟動不斷電系統 (UPS)后，1小時內便恢復運作，估計此事件對公司營運影響不大。
存儲器業者指出，這次三星受影響廠區
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三星電子 DRAM SDRAM 存儲器
- DDR存儲器，也稱雙倍數據率同步動態隨機存儲器，常用于高級嵌入式電路系統的設計，包括計算機、交通運輸、家庭娛樂系統、醫療設備和消費類電子產品。 DDR的廣泛采用也推動著DDR存儲器自身的研發，在DDR 1和DDR
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DDR 高帶寬 調試 混合信號示波器
- 上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產業務。
由于中芯過去兩年以SDRAM填補產能，成為國內消費性電子產品及家電市場SDRAM最大供應商，此次停產后導致市場供貨短缺效應逐步發酵，128Mb及256Mb x32規格SDRAM現貨價近日飆出新天價，臺灣地區SDRAM供應商受惠最大。
中芯這兩年因SDRAM月投片產能維持在2萬片8吋芯片規模，在大陸消費性電子及家電市場，擁有超過30%的市場占有率，
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中芯國際 芯片代工 SDRAM
- 2009年DRAM產業在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價還在0.5美元，當時生產成本還在2美元，可見虧損有多嚴重，各廠只好宣布停工、減產，巨額虧損的問題延伸至臺、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國與國之間的戰爭。但到了年底，DRAM廠又開始生龍活虎起來，中間歷程看似短短 365天，但個中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來各界看好DRAM產業有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進在通往天堂的路上。
365天之間可以發生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
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Microsoft DRAM DDR
- 1 引言 DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯合委員會）制定的全新下一代內存技術標準，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質量更好等優點，對于解決高速系統(例如某些高速圖 像處理系統)設計中由于存儲
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控制器 設計 SDRAM DDR3 Stratix III 基于 控制器
- 泰克公司日前宣布增強和升級其業界領先的DDR測試和驗證解決方案系列。用于泰克TLA7000系列邏輯分析儀的新型內插器為工程師提供了最新DDR3-1867標準的總線捕捉和分析功能。新型內插器大大降低了TLA7000系列的DDR3測試成本，使存儲器總線捕捉功能能為更多的設計人員所使用。泰克同時還為DDR標準最新的節能版LP-DDR2推出業內第一款電氣接口測試和驗證解決方案。這些新功能完善了泰克全面而廣泛的DDR存儲器解決方案，為驗證和改善工程師的設計提供幫助。
DDR3-1867是最新一代雙倍數
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泰克 DDR TLA7000
- 在本應用文章中，描述了與DDR相關的許多測試挑戰，并提出了驗證和調試存儲器設計的工具。
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DDR 存儲器 電氣特性
- 存儲器是容量數據處理電路的重要組成部分。隨著數據處理技術的進一步發展，對于存儲器的容量和性能提出了越來越高的要求。同步動態隨機存儲器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、讀寫速度快
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SDRAM 多路 讀寫 接口設計
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產品通過了Intel的認證，Hynix并稱將開始批量生產這種芯片產品，另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產品的驗證工作也將于年底前順利完成。
這次通過驗證的Hynix產品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。
Hynix宣稱
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Hynix 40nm SDRAM 50nm
- 描述了一種在PAL→VGA的實時視頻采集系統中圖像數據處理的方法。針對實時視頻采集系統一般使用2片SDRAM進行乒乓緩存的方式，給出一種使用一片SDRAM的不同BANK進行乒乓操作的相對容易實現的SDRAM控制器設計方法。該方法通過充分利用SDRAM的切換BANK存取操作并采用指令計數的方式進行讀寫狀態轉換，在PAL→VGA實時視頻采集系統中實現了利用一片SDRAM進行圖像緩存。它在實時視頻采集系統中圖像數據處理方面，具有良好的應用價值。
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控制器 設計 SDRAM 系統 視頻 采集 實時
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