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武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)
- 近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司（以下簡稱“武漢新芯”），一家領先的非易失性存儲供應商，宣布其采用50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC全線量產(chǎn)，產(chǎn)品容量覆蓋16Mb到256Mb。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
- 關鍵字： 武漢新芯 SPI NOR Flash 50nm
面向物聯(lián)網(wǎng)應用 恒爍半導體50nm NOR Flash芯片正式面世
- 合肥恒爍半導體有限公司（以下簡稱“恒爍半導體”）正式推出第一款面向物聯(lián)網(wǎng)應用的50nm 128Mb 高速低功耗、業(yè)界最小尺寸的 NOR Flash 存儲芯片，此芯片的推出將有效加快萬物智能互聯(lián)的進程。
- 關鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) 50nm NOR Flash芯片 恒爍半導體
武漢新芯推出50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品系列
- 近日，紫光集團旗下武漢新芯集成電路制造有限公司，宣布推出業(yè)界先進的50nm Floating Gate工藝SPI NOR Flash寬電壓產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該系列支持低功耗寬電壓工作，為物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備和其它功耗敏感應用提供靈活的設計方案。
- 關鍵字： 武漢新芯 50nm SPI NOR Flash
爾必達宣布50nm制程2Gb GDDR5顯存開發(fā)完成
- 日本爾必達公司最近完成了采用銅互連技術的50nm制程 2Gb密度GDDR5顯存芯片的開發(fā)，這款產(chǎn)品據(jù)稱是在爾必達設在德國慕尼黑的設計中心開發(fā)完成的。爾必達表示公司將于今年7月份開始試銷這種50nm 2Gb GDDR5顯存樣片，而這款產(chǎn)品的量產(chǎn)則預計會定在今年7-9月份的時間段。 據(jù)爾必達表示，其設在廣島的芯片廠將負責這款2Gb GDDR5顯存芯片的生產(chǎn)，另外爾必達還透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5顯存芯片產(chǎn)品已經(jīng)外包給了臺灣華邦公司代工。 GDDR顯存的主要用途是圖形圖像處理
- 關鍵字： 爾必達 50nm 顯存
南亞科增加今年支出預算 計劃提升芯片產(chǎn)能
- 據(jù)透露，臺灣內存芯片廠商南亞計劃增加2010年的資本支出預算，將其由原計劃的190億新臺幣提升到200億新臺幣(6.27億美元)，據(jù)悉這筆增加的 預算將用于改進制程和擴展產(chǎn)能之用。南亞計劃將其12英寸廠產(chǎn)能由目前的每月3萬片提升到5-6萬片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產(chǎn)能計算在內，那么南亞12英寸總產(chǎn)能將達到每月11.5-12.5萬片，這個數(shù)字已達到了全球內存芯片廠總產(chǎn)能的10%左右。 目前華亞12英寸廠的產(chǎn)能有一半是向南亞供貨，另一半則為鎂光公司供貨，這家合資公司的月產(chǎn)能大
- 關鍵字： 南亞科 內存芯片 50nm
Hynix40nm 2Gb DDR3內存芯片通過Intel驗證
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認證，Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗證工作也將于年底前順利完成。 這次通過驗證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 Hynix宣稱
- 關鍵字： Hynix 40nm SDRAM 50nm
爾必達：計劃明年轉向40nm制程技術
- 據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發(fā)出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。 目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術生產(chǎn)內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。 美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制
- 關鍵字： 爾必達 40nm 內存芯片 50nm
爾必達：計劃明年轉向40nm制程技術
- 8月7日消息 據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發(fā)出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。 目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術生產(chǎn)內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。 美國鎂光公司則已經(jīng)
- 關鍵字： 爾必達 DRAM 40nm 50nm 60nm
美光推出增加服務器內存容量和提升性能的新方法
- 美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內首個DDR3低負載雙列直插內存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內存容量。 新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內領先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進行客戶認證，將很快進行大量生產(chǎn)。 如今多數(shù)中端企
- 關鍵字： 美光 LRDIMM DDR3 50nm
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