- 越來越多的移動設備,如手機、耳機、相機和MP3,采用了先進的降噪技術,以消除背景音,提高聲音質量。要使這種先進...
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愛普科斯 MEMS
- MEMS傳感器包括測量線性加速度和地球重力矢量的加速度計、測量角速率的陀螺儀、測量地球磁場強度以確定方位的地磁計和測量氣壓以確定高度的壓力傳感器。把這些傳感器整合在一起將會大幅擴大這些傳感器的應用范圍。本文以互補濾波器、卡爾曼濾波器和擴展型卡爾曼濾波器(EKF)為例,論述在一個傳感器整合解決方案內如何讓這些傳感器協(xié)調工作,幫助讀者了解如何把傳感器整合從概念變?yōu)楝F(xiàn)實。
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意法半導體 MEMS 傳感器 201111
- MEMS封裝系統(tǒng)應有MEMS執(zhí)行感應功能,而且還要避免受到外界環(huán)境的影響,同時持續(xù)地改進質量,達到較高的ppm性能。本文采用SOIC封裝,必須維持一個特定的共振頻率,從而防止傳感器被粘住或卡住。同時,封裝必須確保傳感器是可靠和完整的,沒有出現(xiàn)斷裂或輸出偏差。本文采用一種綜合學科研究方法,以確定合適的固晶材料來徹底解決器件斷裂的問題。這種方法涉及振動分析、電氣響應測定、壓力分析和斷裂力學。
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飛思卡爾 MEMS 加速儀 201111
- 近年來,傳感器市場持續(xù)保持增長,其增速超過15%。特別是MEMS傳感器依靠獨特的技術優(yōu)勢,逐漸成為改變電子產品設計理念的幕后推手。
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MEMS 傳感器 201111
- 對設備在三維空間中的運動進行測量及智能處理的運動處理技術,將是下一個重大的革命性技術,會對未來的手持消費電子設備、人機接口、及導航和控制產生重大影響。
這場變革的推動力量是基于微機電系統(tǒng)(MEMS)的消費級
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消費 電子 影響 對消 方案 運動 處理 MEMS
- CCD(Charge Coupled Device)圖像傳感器(以下簡稱CCD)和CMOS圖像傳感器(CMOS Image Sensor以下簡稱CIS)的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉換后,以電荷的方
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傳感器 圖像 CCD CMOS
- 半導體行業(yè)從一開始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當前的掌上電腦(PocketPC)比占地整整一幢樓...
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CMOS TTL 電源供電
- 1 引 言單片集成是MEMS傳感器發(fā)展的一個趨勢,將傳感器結構和接口電路集成在一塊芯片上,使它具備標準IC工藝批量制造、適合大規(guī)模生產的優(yōu)勢,在降低了生產成本的同時還減少了互連線尺寸,抑制了寄生效應,提高了電路
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傳感器 接口 電路設計 壓力 電容 集成 MEMS 單片
- 摘要:針對CMOS集成電路的故障檢測,提出了一種簡單的IDDQ靜態(tài)電流測試方法,并對測試電路進行了設計。所設計的IDDQ電流測試電路對CMOS被測電路進行檢測,通過觀察測試電路輸出的高低電平可知被測電路是否存在物理缺
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電路設計 測試 IDDQ 電路 CMOS
- ADISl6355 MEMS的慣性測量組件系統(tǒng)設計 首先簡介ADISl6355AMLZ型MEMS的原理、構成及應用。在此基礎上,搭 ...
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ADISl6355 MEMS 慣性測量
- 基于AT89S52的MEMS陀螺信號采集與處理系統(tǒng)設計, 針對MEMS陀螺儀在實際應用中達不到需要的精度,為改善陀螺儀的工作性能,降低陀螺信號噪聲,通過AT89S52單片機與ADIS16355慣性陀螺儀搭建一個硬件平臺,經過SPI接口通信、AT89S52單片機控制,將采集的數(shù)據(jù)通過LCD顯示,并對平臺系統(tǒng)進行靜態(tài)和動態(tài)測試,最后對系統(tǒng)進行了誤差分析,該系統(tǒng)具有較高精度、成本低、操作方便簡單,在陀螺儀實際應用中具有良好的推廣價值。
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處理 理系 設計 采集 信號 AT89S52 MEMS 陀螺 基于
- 據(jù)IHS iSuppli公司的微機電系統(tǒng)(MEMS)與傳感器專題報告,MEMS領域中出現(xiàn)的傳感器融合趨勢,不但正在幫助改善移動與游戲設備中基于運動的精度,而且將為集中處理領域帶來新的重大發(fā)展,并有望大幅提高其營業(yè)收入。
目前集中處理領域正在進行的開發(fā),預計將采用當今的9軸傳感器融合,該技術同時使用3軸加速計、3軸陀螺儀和3軸電子羅盤,以提供更加精確和靈敏的動作探測。明年9軸組合中使用的運動傳感器的銷售額將達到8.5097億美元,比2011年底預計達到的5.5001億美元大增55%,而到2015年
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IHS iSuppli MCU傳感器 MEMS
- 電子技術的電控電路常采用CMOS邏輯控制系統(tǒng),通過多年的維修實踐,我們自行設計和安裝了簡易集成邏輯門電...
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CMOS 集成電路 測試儀
- 摘要:為了滿足深亞微米級集成電路對低溫漂、低功耗電源電壓的需求,提出了一種在0.25mu;m N阱CMOS工藝下,采用一階溫度補償技術設計的CMOS帶隙基準電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構成,實現(xiàn)了VBE和VT的線性
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研究 電壓 基準 CMOS 低溫
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