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        MEMS傳感器市場分析
        
                                                            
                    
        
                
        
                                
        
                    
        中國壓力傳感器行業(yè)發(fā)展問題分析
        
                                                            
                    
        
                
        
                                
        
                    
        中國MEMS產(chǎn)業(yè)存在的問題
        
                                                            
                    
        
                
        
                                
        
                    
        SOI技術的優(yōu)勢及其制造技術
        
                                                            
                    
        
                
        
                                
        
                    
        全CMOS基準電壓源的分析與仿真
        
                                                            
          
                    	
        • 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結果。
          關鍵詞：基準電壓；CMOS集成電路；Hspice

          0 引言
          模擬電路廣泛
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        仿真  分析  電壓  基準  CMOS                          
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        ST推出新一代6軸傳感器模塊
        
                                                            
          
                    	
        • 　　橫跨多重電子應用領域、全球第一大消費電子和便攜設備MEMS(微機電系統(tǒng))傳感器供應商意法半導體進一步擴大MEMS產(chǎn)品組合，推出整合三軸線性運動和角速率傳感器的新一代傳感器模塊，這款擁有6個自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進運動感測應用，包括遙控器、黑匣子數(shù)據(jù)記錄儀以及增強型全球定位系統(tǒng)。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        ST  MEMS                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        ST推出可提供6個自由度的全新MEMS模塊
        
                                                            
          
                    	
        •  橫跨多重電子應用領域、全球第一大消費電子和便攜設備MEMS（微機電系統(tǒng)）傳感器供應商意法半導體 （STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）進一步擴大MEMS產(chǎn)品組合，推出整合三軸線性運動和角速率傳感器的新一代傳感器模塊，這款擁有6個自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進運動感測應用，包括遙控器、黑匣子數(shù)據(jù)記錄儀以及增強型全球定位系統(tǒng)。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        ST  MEMS                          
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        艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應用
        
                                                            
          
                    	
        • 　　艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術領導者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應用情況。
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        艾克賽利  CMOS                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        勇闖移動互聯(lián)路
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 介紹了部分歐美電子企業(yè)圍繞移動互聯(lián)推出的技術和產(chǎn)品戰(zhàn)略，涉及處理器、IP核、邏輯芯片、模擬器件、傳感器、EDA工具和軟件平臺等方面。


          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        移動互聯(lián)，MEMS，傳感器  201107                          
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        2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設計
        
                                                            
          
                    	
        • 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設計2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        4GHz  CMOS  35  集成                            
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        鎖存繼電器的CMOS電路研究
        
                                                            
          
                    	
        • 圖1中電路會根據(jù)一個脈沖，切換一個DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關至步進電壓信號發(fā)生器，一個差分脈沖轉換器，一個繼電器驅(qū)動器，以及一個繼電器線圈。　　瞬動開關提供驅(qū)動電路的步進電壓信
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        研究  電路  CMOS  繼電器                          
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        用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
        
                                                            
          
                    	
        • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。

          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)                          
          • 
                   	
        
                    
        
                
        
                                
        
                    
        用NI LabVIEW和DAQ創(chuàng)建微網(wǎng)能量管理系統(tǒng) 
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 　　"在處理矩陣計算時，LabVIEW提供了編程工具更方便地編寫功率系統(tǒng)應用程序，從而節(jié)省編程時間。"– Gooi Hoay Beng, Nanyang Technological University
　
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        • 關鍵字：
                        NI  LabVIEW  MEMS                          
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        使用NILabVIEW和DAQ創(chuàng)建微網(wǎng)能量管理系統(tǒng)(MEMS)
        
                                                            
          
                    	
        • 在處理矩陣計算時，LabVIEW提供了編程工具更方便地編寫功率系統(tǒng)應用程序，從而節(jié)省編程時間。ndash; Gooi Hoay Beng, Nanyang Technological University
          The Challenge:
          隨著化石燃料的耗盡和全球能源需求的不斷
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        NILabVIEW  MEMS  DAQ  能量管理                            
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        一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設計
        
                                                            
          
                    	
        • 摘要：設計了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡在LDO輸出端引入零點，補償誤差放大器輸出極點的方法，避免了為補償LDO輸出極點，而需要大電容或復雜補償
          • 
                    	                        
        • 關鍵字：
                        穩(wěn)壓器  設計  線性  LDO  成型  CMOS  全集                          
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	共2411條
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