- 摘要：介紹了一種基于MEMS加速度傳感器的自動校準平臺的設計方案。從數學模型入手，推導了傾角測量算法并設計了調平控制方案。在電機控制環節加入改進后的PID算法，解決了輸出突變導致系統性能下降的問題。快慢檔的設
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校準 平臺 自動 傳感器 加速度 MEMS
- MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路（IC）設計技術和制造工藝，進行高精度、低成本的大批量生產，從而為消費電子和工業過程控制產品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門，使壓力控制變得簡單易用和智能化。M
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應用 傳感器 壓力 MEMS
- 1 引言 集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數字鎖相環結構如圖1 所示
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設計 振蕩器 CMOS
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MEMS 數據采集 Linux
- 制定行業公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作
就像1849年出現的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現了很多新技術、利益和挑戰一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創造巨大財
富的機遇，但是也存在給環境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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納米 CMOS
- 本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠對具有快速瞬態充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。
先進CMOS器件高k柵技術的進展
近年來，高介電常數（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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脈沖 CMOS
- SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創新型PowerShrink?低功耗技術。
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SuVolta CMOS
- ?????? 6月9日，應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現有產品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。
NCP4682和NCP4685超低電流穩壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
- 基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態存儲器、閃存以及系統集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
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設計 電壓 基準 CMOS 0.18
- 近日，在石家莊·中國半導體光谷專家論證會上，來自中國科學院、中國工程院19位專家，充分論證了石家莊半導體光谷建設的必要性、可行性及發展定位。專家組認為，石家莊信息產業基地在LED、聚光太陽能電池、激光器、探測器、光MEMS等五大核心芯片具有自主知識產權和持續創新能力，生產線條件、技術支撐等方面具有深厚的基礎，具備了建立半導體光谷的條件。
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LED MEMS
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