- 光，是人類永恒的話題。當80萬年前第一團人造火在人類中生起，劇烈的氧化反應為闃寂的黑夜中帶來了光與熱。從此，光與暗便有了區別，人類不用在寒冷的長夜中等待夜闌。光，將人類聚集在一起，它吸引人類，同時也引導人類，暗夜不再駭人，星空從此璀璨。不知何時，一個智人，在火光的照映下，抬頭仰望這星瀚。“我是誰，我從哪里來，又要到那里去？”他無法回答這些問題，但是在這團微弱火光之下，他已經邁出了人類科學的第一步——好奇與思考。 “景。光之人，煦若射，下者之人也高；高者之人也下。足蔽下光，故成景于上
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CMOS CCD 攝影 相機 歷史
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術細節。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時達成兩項關鍵目標：它滿足開發中產品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進先進技術和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術細節。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達成這些效能數據？ Intel 4于鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critic
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Intel 4 制程技術 FinFET Meteor Lake
- 源極和漏極之間的關斷電容CDS(OFF)可用來衡量關斷開關后，源極信號耦合到漏極的能力。它是固態繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規格參數，在固態繼電器數據手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關通常不包含此規格參數，但關斷隔離度是表征相同現象的另一種方法，關斷隔離度定義為，開關關斷狀態下，耦合到漏極的源極的信號量。本文將討論如何從關斷隔離度推導出COUT，以及如何通過它來更有效地比較固態繼電器和CMOS開關的性能。這一點很重要，因為CMOS開關適合
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ADI CMOS
- 雖然柵極間距(GP)和鰭片間距(FP)的微縮持續為FinFET平臺帶來更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先進節點上，兼顧寄生電容電阻的控制和實現更高的晶體管性能變得更具挑戰。泛林集團在與比利時微電子研究中心 (imec) 的合作中，使用了SEMulator3D?虛擬制造技術來探索端到端的解決方案，運用電路模擬更好地了解工藝變化的影響。我們首次開發了一種將SEMulator3D與BSIM緊湊型模型相耦合的方法，以評估工藝變化對電路性能的影響。這項研究的目的是優化先進節點FinFET設計的源漏尺寸和側墻厚
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泛林 5nm FinFET
- KAC-12040 圖像傳感器是一款高速 1200 萬像素 CMOS 圖像傳感器，為基于 4.7 μm 5T CMOS 平臺的
4/3" 光學制式。該圖像傳感器具有非常快的幀速率、卓越的 NIR 靈敏度以及靈活的讀取模式，且具有多個興趣區 (ROI)。該讀取結構可使用
8、4 或 2 個 LVDS 輸出組，達到全分辨率每秒 70 幀的速度。每個 LVDS 輸出組均有最多 8 個在 160 MHz DDR
下運行的差分對組成，每組 320 MHz
數據速率。該像素結構允許卷簾快門運
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KAC-12040 CMOS 圖像傳感器
- 該 3.1 百萬像素傳感器采用安森美半導體的 A-Pix? 技術，通過全新的 2.2
微米像素傳感器的卓越性能滿足了不斷發展的、以全高清視頻為中心的監控市場的需求。AR0331 具有卓越的圖像質量，其目標為 1/3
英寸光學格式監控攝像頭主流市場。該傳感器讓監控攝像頭制造商能夠將性能升級到當前的 3
百萬像素傳感器設計，它帶有業內最佳的功能集，將全高清視頻和寬動態范圍 (WDR) 功能以及內置的自適應局部色調映射相結合。這種新型傳感器可在
60 fps 的速度下提供高達 1080p 的高清
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AR0331 CMOS 圖像傳感器
- 如今，隨著商家的引導以及消費者的實際需求，手機攝像頭的傳感器越來越大，不少高端機型的CMOS圖像傳感器（CIS）尺寸已接近1英寸。根據長度換算，1英寸約等于25.4mm，不禁有人會疑惑，一個手機才幾英寸？圖像傳感器有那么大么？是不是商家在虛假宣傳？本期我們就來簡單介紹一下CIS這個1英寸到底是什么？圖像傳感器尺寸是什么？一般來說，CIS的感光區域為一個較為規則的長方體，我們說的尺寸是指感光區域對角線的長度，再將其換算為英制單位，也就是英寸。這個方式與我們計算手機尺寸類似，說的尺寸指的都是對角線的長度。但是
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CMOS 圖像傳感器
- 觀察2021年主導半導體產業的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼。基本上半導體技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創新必須能轉化為成本可承受的產品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環繞
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CMOS FinFET ST
- 中芯國際聯席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示FinFET工藝已經達產，每月1.5萬片，客戶不斷進來。在最近的財報電話會上，中芯國際聯席CEO趙海軍透露了公司的先進工藝的情況，表示“我們的FinFET工藝已經達產，每月1.5萬片，客戶多樣化，不同的產品平臺都導入了。(這部分)產能處于緊俏狀態，客戶不斷進來。”根據之前的報道，中芯國際的FinFET工藝有多種類型，其中第一代FinFET工藝是14nm及改進型的12nm，目前1.5萬片產能的主要就是14/12nm工藝，第二代則是n+1、n+2工藝，已
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中芯國際 FinFET
- 對于各大智能手機廠商來說，目前可供選擇的高端手機CMOS圖像傳感器供應商不多，主要是索尼和三星。 1月14日，有消息稱，英國調查公司Omdia在最近的報告中指出，三星于去年12月開始，已將CMOS圖像傳感器（CIS）的價格提高了40%。此外，其他其他CIS供應商的價格也提升了20%左右。 根據報告顯示，“產能不足”是此次漲價的主要原因！去年下半年，CMOS圖像傳感器就已處于全球大缺貨的狀態，根據TechnoSystem
Research調查數據顯示，2019年CMOS影像傳感器年產值159億美元，
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三星 CMOS
- 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發，可應用于廣泛領域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發用于G
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新思科技 12LP+FinFET DesignWare IP
- 如今智能手機的拍照攝像能力越來越強，不過手機的攝像頭也越做越大，搞得現在許多手機不僅更加厚重，而且攝像頭的凸起部分也越來越多。而這些都與CMOS尺寸變大和單像素面積增大有關，三星也發現了這一問題，并于近日推出了四個單像素0.7μm大小的ISOCELL圖像傳感器。這四個CMOS分別為1億800萬像素的HM2、6400萬像素的GW3，4800萬像素的GM5以及3200萬像素的JD1，它們相比0.8μm單像素的CMOS均要縮小15％，并可讓相機模塊的高度減少了10%。由于外形尺寸較小，因此這4顆CMOS可以有效
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三星 CMOS
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 近日開始備貨Skyworks Solutions的OLI300、OLS300、OLI500和OLS500高速光耦合器。這些光耦合器在輸入端和輸出端之間具有1500VDC電氣隔離，設計用于航空電子、生物醫學材料、雷達、航天、監控系統、儀器儀表和軍事通信等應用。OLI300和OLS300光耦合器適用于將晶體管-晶體管邏輯 (TTL) 連接到低功耗肖特基晶體管-晶體管邏輯 (LSTTL)。這兩款光耦合器還適合用在互
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TTL CMOS LSTTl LEd
- 隨著半導體制程不斷發展，嵌入式系統開發人員受益良多，但這卻為應用處理器用戶帶來一個難題——用戶需要對其設備及收發的數據進行高度安全保護。因為生產應用處理器所采用的CMOS制程，與儲存啟動碼、應用程序代碼、以及敏感數據的非揮發性芯片內建NOR Flash使用的制造技術之間差異越來越大。雖然當今先進應用處理器大多是采用次10納米的制程，NOR Flash制程卻因技術上的基本物理特性限制而落后好幾代。如今，浮柵閃存電路仍應用于40納米以上制程所制造的器件。換言之，閃存無法嵌入最先進、最高效能的處理器芯片內。因此
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IoT CMOS SPI
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