為了能夠充分發揮好工藝制程的功耗，性能和面積(PPA)上的優勢， 必須要求我們的設計人員將有相關工藝知識的設計戰略和優化的IP相結合，其中包括了標準
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FinFET synopsys
隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分
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FinFET 布線
很多學習半導體技術的人弄不清CMOS與BIOS之間的聯系與區別，容易誤認為兩個表達的是一個東西，其實不然，兩者有關聯卻不相同。 什么是CMOS與BIOS? CMOS又被稱作互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數字集成電路的基本單元。在計算機領域，CMOS常指保存計算機基本啟動信息(如日期、時間、啟動設置等)的芯片。有時人們會把CMOS和BIOS混稱，其實CMOS是主板上的一塊可讀寫的并行或串行FLASH芯片，是用來保存BIOS的硬件配置和用戶對某些參數的設定。在今日，CMOS
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CMOS BIOS
本文將透露世界首款K波段數據轉換器EV12DS460A背后的設計秘密，介紹為了提高性能和規避CMOS設計限制而引入的超高速制程。同時本文也將解釋，緊湊的單核心數據轉換器核心配合仔細斟酌的設計如何讓EV12DS460A的性能有突破性提高。最后，您可以看到布線和電路簡化的細微差別是設計時應考慮的重要因素。 概述 微波系統設計師一直在追求更高的性能和更高的工作帶寬。簡化設計和降低功耗、尺寸、重量同樣是需考慮的問題。UWB數據轉換器能極大地簡化多通道傳輸系統的設計(如果您對此不了解，請訪問這里)。多年來，
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DAC CMOS
COMS集成電路是互補對稱金屬氧化物半導體(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成電路的英文縮寫，電路的許多基本邏輯單元都是用增強
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CMOS 電平轉換 電路
CCD和CMOS傳感器是目前最常見的兩種數字圖像傳感器，廣泛運用于各類工業相機，個人數碼相機，手機相機及攝像機等數字成像產品。 CCD傳感器于1969年由貝爾實驗室研制成功，伴隨其高量子效率、高靈敏度、低暗電流、高一致性、低噪音的特性，一度成為圖像傳感器市場的主導。和CCD傳感器相比，CMOS圖像傳感器具有低功耗、低操作電壓、低價格等優勢，但是在CMOS圖像傳感器出現初期由于相對較差的性能和較大的像元尺寸，并沒有得到很好的市場。后來隨著超大規模集成電路技術(VLSI)和CMOS工藝水平的不斷提高，C
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CCD 傳感器 CMOS
時間進入2018年第3季，市場上卻充斥智能型手機需求不如預期雜音，熟悉半導體廠商表示，目前看來手機相關芯片需求可望維持基本盤，成長空間確實有待觀察，然而今年值得注意的重點為換購升級需求，如以往手機采用雙鏡頭，往后更將往三鏡頭推進，將帶動CMOS感測元件量能提升。另外，手機以外最重要的次世代領域車用電子市場，一臺車采用CIS元件顆數上看40顆以上，對于講究量能的專業CIS封測廠如勝麗、京元電、同欣電、以及代理Sony CIS元件的專業渠道廠商尚立來說，下半年營運仍可望正向看待。 車用CMOS影像傳感器
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CMOS，傳感器
作為每年的安卓參考機，谷歌的“親兒子”系列在歐美有著一票忠實粉絲。 6月30日，知名爆料人Onleaks分享了一張Pixel 3的結構透視照，確認了其后置單攝像頭、后指紋的設定。 他還透露，資料是從制造工廠拿到的CAD定稿，可靠度不用質疑。 根據此前的渲染，Pixel 3 XL將搭載一塊6.2英寸19：9的劉海屏，pixel 3則是5.4寸16：9傳統設計。 其中，在前劉海的設計上，谷歌最終拿出的方案是，劉海內元件對稱(兩顆攝像頭)，寬度23.8mm，豎直長度8.1mm，而“下巴”的豎直長度是
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華為 CMOS 谷歌
近日，全球領先的CMOS圖像傳感器供應商SmartSens針對近期公司遭遇的專利侵權訴訟做出回應： SmartSens此前被訴侵犯某公司的專利權，相關的兩項專利分別為200510052302.4號發明專利(名稱為“像素間采用共享晶體管的CMOS圖像傳感器”)和200680019122.9號發明專利(名稱為“場效應晶體管布置對稱的像素”)。公司為此聘請業內資深律師積極應對，經公司提起專利權無效宣告請求，國家知識產權局復審委員會于近日對上述兩項專利分別作出第36227號和36245號無效宣告請求審查決定
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SmartSens CMOS
近日，德克薩斯州聯邦陪審團作出一項裁決：三星電子因侵犯韓國技術學院一項專利技術，需向后者支付賠償金或將高達4億美元。 據了解，韓國技術學院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(FinFET)制程工藝相關的專利技術。然而三星向陪審團表示，它與韓國技術學院合作開發了這項技術，并否認侵犯了相關專利技術。三星還對這項專利的有效性提出了質疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項技術的發明者取得許可授權，圍繞三星是否侵權的力量博弈發生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴重性。 據悉
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三星 FinFET
據外媒報道，佳能近日推出了號稱目前世界最大的高靈敏度CMOS圖像傳感器。 佳能表示，這款CMOS是在直徑為12英寸的圓形硅晶片上所能制作出CMOS的最大尺寸，其面積約為普通35mm全畫幅傳感器的40倍左右。 據稱，該傳感器能夠幫助確認極其微弱且迄今為止只有理論上存在的流星，這讓它能夠被應用于天文領域，幫助人類增進對流星可能對地球上生命發展所產生影響的理解。
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佳能 CMOS
CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩定的工作? 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法： 1、
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CMOS TTL
小小的芯片，看似簡單，卻充滿了科技之道。只有真的懂得制造工藝與應用原理，了解每一顆芯片生產背后的艱辛，才能看懂制造商從小處用心的美好。
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芯片 FinFET
“半導體市場正在經歷由技術推動到需求推動的轉變。而半導體技術上的創新，可能讓半導體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間。”近日，美國加州大學伯克利分校教授、國際微電子學家胡正明在接受集微網采訪時表示。 自1965年摩爾定律提出以來，歷經半個多世紀的發展，如今越來越遭遇挑戰，特別是新世紀以來，每隔十年，摩爾定律以及半導體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機。 胡正明發明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創新為半導體帶來新契機。 2011年5月
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FinFET 7納米
由于車載應用、機器視覺、人臉識別與安防監控的快速發展，以及越來越強大的手機拍照功能(譯者注：例如雙攝像頭或三攝像頭)，全球CMOS圖像傳感器銷售額屢創新高，市場調研機構IC Insights統計，2017年銷售額為125億美元，同比增長19%，預計2018年CMOS圖像傳感器銷售額有望達到137億美元，同比增長10%，將連續八年創歷史記錄。再向后看，該機構認為，一直到2022年，CMOS圖像傳感器都將保持出貨量與銷售額年年創新高的趨勢。
IC Insights在其最新報告中指出，CMOS圖像傳感
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CMOS 圖像傳感器
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