IT之家 12 月 10 日消息，由于當下摩爾定律放緩，堆疊晶體管概念重獲關注，IMEC （比利時微電子研究中心）于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術（IT之家注：即垂直堆疊互補場效應晶體管技術，業(yè)界認為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術），英特爾和臺積電也都進行了跟進。在今年的 IEEE 國際電子器件會議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項技術突破，并強調了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先，英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS（互補金屬氧化物半導體）晶體管方面取得的突
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英特爾 CMOS
3D 亞納米時代，CMOS 邏輯電路如何發(fā)展？
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CMOS
Teledyne Technologies [NYSE: TDY] 子公司、全球成像解決方案革新者 Teledyne e2v 發(fā)布全新高水準 CMOS 圖像傳感器系列 Emerald? Gen 2。新系列在 Teledyne e2v 先進成像技術的基礎上又增強了性能，使之成為各種機器視覺應用、室外監(jiān)控以及交通檢測與監(jiān)控相機的理想選擇。 Emerald? Gen2Emerald Gen2 的型號分為 8.9M像素（4,096 x 2,160）和 12M 像素（4,096 x 3,072）
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成像技術 CMOS 圖像傳感器 機器視覺
摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開放、高效的射頻設計解決方案。●? ?業(yè)界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統(tǒng)的性能和功耗效率。●? ?集成的設計流程提升了開發(fā)者的生產率，提高了仿真精度，并加快產品的上市時間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產品，為追求更高預測精度
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新思科技 是德科技 Ansys 臺積公司 4 納米 射頻 FinFET 射頻芯片設計
IT之家 10 月 26 日消息，根據(jù)市場調查機構 Counterpoint Research 公布的最新調查報告，受到需求疲軟、庫存調整以及每部智能手機的攝像頭數(shù)量減少等諸多因素，2023 年上半年全球智能手機 CMOS 圖像傳感器（CIS）出貨量為 20 億個，同比下降 14%。該機構研究分析師 Alicia Kong 表示：持續(xù)的通脹壓力、充滿挑戰(zhàn)的宏觀經濟環(huán)境，影響了消費者信心，導致智能手機出貨量低于預期。2023 年上半年，每部智能手機的平均攝像頭數(shù)量也從 2022 年下半年
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索尼 CMOS
●? ?新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程，提供了開放、高效的射頻設計解決方案●? ?強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率●? ?綜合流程可提高設計效率，實現(xiàn)更準確的仿真，從而更快將產品推向市場是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程，助力RFIC半導體設計加速發(fā)展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。N4P
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是德科技 新思科技 Ansys 臺積電 4nm射頻 FinFET
在上一期的芝識課堂中，我們和大家一起了解了CMOS邏輯IC可以分為組合邏輯和時序邏輯，并以幾種典型電路單元的對應邏輯關系詳細解讀了組合邏輯電路的原理。這一期芝識課堂中，我們將繼續(xù)和大家分享CMOS邏輯IC的基礎知識，并通過實際電路單元來幫助大家分析組合邏輯和時序邏輯中各自所對應的輸入和輸出之間暗藏的邏輯關系。多路復用器多路復用器也是一種典型的組合邏輯電路，比如東芝的74VHC157和74VHC153，多路復用器將從多個輸入信號中選擇一個信號并將其轉發(fā)到單個輸出線。圖1所示的時序圖顯示了如何從兩個輸入中選擇
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東芝 CMOS
2023年6月7日，第十六屆安博會在北京新首鋼會展園區(qū)開幕，本屆安博會以“自主創(chuàng)新、數(shù)智融合、賦能安防、服務社會”為主題。在本屆安博會上，集中展示了視頻監(jiān)控、防盜報警、出入口控制、安檢防爆、實體防護、數(shù)據(jù)應用與安全等安防技術和產品，同時突出了今年來熱門的無人化、AI智能化，加上近期大熱的生成式人工智能（AIGC），本屆安博會可以說是充滿了創(chuàng)新的一屆安博會，極大地展示了近期我國在安防上的最新應用成果。 安博會作為安全行業(yè)的盛會，一直以來被行業(yè)內視為發(fā)展的風向標。在本屆安博會上，作為CIS圖像傳感器
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安博會 芯視達 CMOS
近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術，預計2024年進入量產，之后還有FSFET和CFET等技術。△Source：IMEC隨著時間發(fā)展，轉移到更小的制程節(jié)點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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IMEC 1nm 制程 FinFET
● 恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術的嵌入式MRAM IP● 借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產瓶頸● 恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米
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恩智浦 臺積電 FinFET 嵌入式MRAM
5月18日，杭州地芯科技有限公司（以下簡稱：地芯科技）在上海發(fā)布了全球首款基于CMOS工藝的支持4G的線性CMOS PA——GC0643。GC0643是一款4*4mm多模多頻功率放大器模塊（MMMB PAM），它應用于3G/4G手持設備（包括手機及其他手持移動終端）以及Cat1.物聯(lián)網設備，支持的多頻段多制式應用。本模塊還支持可編程MIPI控制。圖片來源：地芯科技CMOS工藝是集成電路中最為廣泛使用的工藝技術，具有高集成度、低成本、漏電流低、導熱性好、設計靈活等特性，但也存在擊穿電壓低、線性度差兩大先天性
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地芯科技 CMOS 多頻多模 線性PA
在前面的芝識課堂中，我們跟大家簡單介紹了邏輯IC的基本知識和分類，并且特別提到CMOS邏輯IC因為成本、系統(tǒng)復雜度和功耗的平衡性很好，因此得到了最廣泛應用，同時也和大家一起詳細了解了CMOS邏輯IC的基本操作。邏輯IC作為一種對一個或多個數(shù)字輸入信號執(zhí)行基本邏輯運算以產生數(shù)字輸出信號的半導體器件，其應用也是非常豐富的，今天就來和芝子一起了解一下吧。首先我們要明確的是CMOS邏輯IC大致包括兩種邏輯，即組合邏輯和時序邏輯。其中組合邏輯是輸出僅為當前輸入的純函數(shù)邏輯電路類型，主要包括反相器、緩沖器、雙向總線緩
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東芝 CMOS
IT之家 4 月 23 日消息，據(jù)博主 @數(shù)碼閑聊站 和 @Ice universe 爆料，蘋果今年將推出的 iPhone 15 Pro Max 手機將采用索尼最新的 4800 萬像素定制攝像頭，比去年的 iPhone 14 Pro Max 的攝像頭傳感器尺寸更大。去年，蘋果在 iPhone 14 Pro 和 iPhone 14 Pro Max 上首次使用了 4800 萬像素的攝像頭，這是蘋果在相機硬件上的一個巨大飛
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索尼 CMOS iphone
cmos finfet介紹
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