- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領先性能(12LP)的FinFET半導體制造工藝。該技術預計將提高當前代14納米 FinFET產品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現實到高端智能手機、網絡基礎設施等最具計算密集型處理需求的應用。 這項全新的12LP技術與當前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產品競爭。這項技術
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格芯 FinFET
- 本文主要對電路設計常用接口類型進行了簡要說明，下面一起來學習一下： (1)TTL電平接口： 這個接口類型基本是老生常談的吧，從上大學學習模擬電路、數字電路開始，對于一般的電路設計，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內，這是由于BJT的輸入端存在幾個pF的輸入電容的緣故(構成一個LPF)，輸入信號超過一定頻率的話，信號就將“丟失”。它的驅動能力一般最大為幾十個毫安。正常工作的信號電壓一般較高，要是把它和信號電壓較低的ECL電路接近時會產生比較明顯的串擾問題。
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TTL CMOS
- 手機串口一般是CMOS電平，當把android手機當做開發板上的一個器件(比如利用android系統自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語音視頻模塊等等)看待時，常常會涉及到自己重寫底層協議和驅動的情況，同時也會涉及到不同開發板不同電平之間的轉換。最近在做一個利用android手機收發數據的實驗，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉換，TTL電平和CMOS電平的轉換。現簡要的總結下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識： 一、集
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TTL CMOS
- 據海外媒體報道，Sony 計劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機、數字相機等用途的 CMOS 影像傳感器月產能擴增至 10 萬片(以 12 吋晶圓計算)左右水準，大幅增加 14%。目前 Sony 月產能約 8.8 萬片。
報導指出，因智能手機自拍用前置相機朝高性能化演進，加上車用、物聯網(IoT)用需求增加，因此 Sony 決定增產因應。
根據 Sony 公布的財報數據顯示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷售額年增 15% 至 5
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Sony CMOS
- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
- 除了傳統的醫療和工業市場，3D成像和感知已經準備好征服消費者和汽車產業;生態系統熱情洋溢，新的技術和應用將以破壞力改寫市場現況…
根據法國市場研究公司Yole Developpement針對CIS產業現況進行的調查，2016年全球CIS市場達到了116億美元的規模，在2016年至2022年間的年復合成長率(CAGR)為10.5%。
移動市場領域由于規模龐大及其專用性能，目前仍然是CMOS影像傳感器(CIS)技術的主要應用。不過，安全與汽車應用也緊隨其后，紛紛借由顛覆性的CIS
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CMOS 影像傳感器
- 在過去的十年里，CMOS圖像傳感器(CIS)技術取得了令人矚目的進展，圖像傳感器的性能也得到了極大的改善。自從在手機中引入相機以來，CIS技術取得了巨大的商業成功。
包括科學家和市場營銷專家在內的許多人，早在15年前就預言，CMOS圖像傳感器將完全取代CCD成像設備，就像20世紀80年代中期CCD設備取代了視頻采集管一樣。盡管CMOS在成像領域占有牢固的地位，但它并沒有完全取代CCD設備。
另一方面，對CMOS技術的驅動極大地提升了整個成像市場。CMOS圖像傳感器不僅創建了新的產品應用程序
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CMOS 圖像傳感器
- 在這樣一個對數字電路處理有利的世界中，模擬技術更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現象可能正在改變。 我們生活在一個模擬世界中，但數字技術已經成為主流技術。混合信號解決方案過去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經遷移到系統應用中，在系統中第一次產生了模數轉換過程。 模擬技術衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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摩爾定律 FinFET
- 硅基CMOS技術是當今大多數電子產品依賴的主要技術。然而，為了電子行業的進一步發展，新技術必須開發具有能將CMOS與其他半導體器件集成的能力。歐洲最大的一項研究計劃石墨烯旗艦項目(Graphene Flagship)，即以10億歐元的預算將實驗室石墨烯轉向市場，參與市場化競爭。
現在，來自巴塞羅那光電科學研究所ICFO的石墨烯旗艦項目研究人員，宣稱已經可以將石墨烯整合到CMOS集成電路中。這項工作在“Nature Photonics”上發表。
該團隊將石墨烯CMOS
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圖像傳感器 CMOS
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現量產。 2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現遠優于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產品相比，預
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格芯 FinFET
- 大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢？
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- 隨著安防視頻監控系統工程中對夜視監控的需求越來越廣，紅外攝像機已經進入了攝像機的主流市場，銷量與日俱增，在紅外夜視技術應用上出現問題也逐漸暴露出來。本文就紅外攝像機的技術問題以及選用時的注意事項作簡單的探討，用以和業界人士分享交流。
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紅外監控 攝像機 CMOS
- 本文介紹了一款基于0.18微米工藝，采用ARM7TDMI IP為核心設計的用于數字電視條件接收模塊(CAM)的高性能SoC芯片—SM1658的硬件體系結構，以及芯片結構上的一些特點和實現方法，同時也簡單介紹了在此芯片上完成的底層軟件開發平臺。在SM1658芯片及其配套的軟件開發平臺的基礎上，用戶可以十分方便的完成符合歐洲DVB-CI標準的數字電視條件接收模塊(CAM)的設計和CA系統的移植。
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- 時代發展，技術進步。數碼相機的各種新技術層出不窮，導致消費者面對廠家宣傳或者是相機參數列表中的一些專業詞匯，一般都會感到非常難于理解，以致影響到購機前的判斷。本文就為大家講解一下現在出現率頗高的“背照式CMOS傳感器”，分析一下此技術是好是壞。
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CCD 傳感器 數碼相機 CMOS 背照式
- 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發展出愈來愈廣泛的應用。
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