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        cmos finfet 文章 最新資訊

        單芯片毫米波傳感器步入CMOS時代

        • CMOS內(nèi)的數(shù)字縮放降低了功率,縮小了尺寸,并且提高了每個節(jié)點的性能。同時,CMOS技術(shù)進一步提高了在模擬組件中嵌入數(shù)字功能的能力,從而實現(xiàn)了在雷達系統(tǒng)部署方面的全新系統(tǒng)配置和拓撲。
        • 關(guān)鍵字: 傳感器  CMOS  

        FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

        •   隨著高級工藝的演進,電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時,他們同樣面臨許多新的設(shè)計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計實施過程帶來了許多重大布局限制,另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜,因為它對擺設(shè)和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。   FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)   隨著高級工藝的演進,電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時,他們同樣面臨許多新的設(shè)
        • 關(guān)鍵字: FinFET  

        英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù) 22納米制程戰(zhàn)場煙硝起

        •   英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL,相關(guān)開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續(xù)到位,市場上認為22 FFL的推出,顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類芯片而來。   據(jù)EE Times Asia報導(dǎo),英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術(shù),能打造出高效能及低功耗的電晶體,漏電流(le
        • 關(guān)鍵字: 英特爾  FinFET  

        傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)

        •   繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導(dǎo)體大將后,大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動作。據(jù)報道,傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下,梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣,梁孟松同樣來自臺積電技術(shù)研發(fā)高層,他曾任臺積電資深研發(fā)處長。   之前蔣尚義加入中芯時,已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了,畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時間來看,他都堪稱元老。在臺積電,蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā),張忠謀曾感激他為“臺積電16年
        • 關(guān)鍵字: 中芯國際  FinFET  

        后CMOS時代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗

        •   自從14nm節(jié)點開始,Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級上的步伐就慢下來了,Tick-Tock戰(zhàn)略名存實亡,還被TSMC、三星兩家趕超、奚落,甚至連市值都被TSMC超越了,以致于Intel為了挽回面子都想法推動新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié),對此Intel也不是沒有準備,最近他們公布了后CMOS時代的一些技術(shù)思路,Intel的目標是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品,電壓可以低至0.5V,這在目前的晶體管下是不可能的。     根據(jù)EE
        • 關(guān)鍵字: Intel  CMOS  

        芯片業(yè)追尋后CMOS時代研發(fā)新方向

        • 傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)形成了摩爾定律的基礎(chǔ),并在數(shù)十年來持續(xù)落實于產(chǎn)業(yè)界,如今它正日益成熟,業(yè)界也越來越迫切需要一種超越硅晶的新技術(shù)藍圖...
        • 關(guān)鍵字: 芯片  CMOS  

        摩爾定律活不久了 CMOS電路被判“死刑”

        • 盡管Intel一直嘴硬說摩爾定律未滅,但傳統(tǒng)半導(dǎo)體這幾年內(nèi)確實面臨著很大挑戰(zhàn),IRDS日前發(fā)布的一份報告則給CMOS電路判了死刑——2024年它就會終結(jié)了。
        • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  CMOS  

        索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器

        •   索尼這幾年的手機之路走得并不平坦,不過沒有隨波逐流,漸漸變得默默無聞。作為黑科技的代名詞,索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強大??赡芎芏嗳藭X得索尼沒聽說在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻,但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工,因為全球的手機CMOS大部分來自索尼。   索尼XZ Prumium   索尼鏡頭   索尼展示技術(shù)   在今年的MWC上,索尼除了帶來全新的智能手機之外,他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹,三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號處理電路之間加入一層
        • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

        FinFET之父胡正明談人才培育

        •   潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮,2016年的得獎人是加州大學(xué)柏克萊分校講座教授胡正明,他曾回臺擔(dān)任臺積電首任技術(shù)長,也是工研院院士,他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限,堪稱半導(dǎo)體工業(yè)40多年來的最大變革。   胡正明目前仍深耕學(xué)術(shù)教育,為產(chǎn)學(xué)研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎典禮中,胡正明與清華大學(xué)前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇,兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。   肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
        • 關(guān)鍵字: FinFET  

        汽車電子產(chǎn)業(yè)變革催生半導(dǎo)體行業(yè)機遇

        • 汽車智能化趨勢使得汽車電子半導(dǎo)體市場的增長不再依賴于汽車產(chǎn)量的增加,而是車載半導(dǎo)體數(shù)量的增加。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  ADAS  

        胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶?

        •   近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注,為何?因為FD-SOI技術(shù)。   眾所周知,當(dāng)柵極長度逼近20nm大關(guān)時,對電流控制能力急劇下降,漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時代續(xù)命的高招。   盡管FinFET與FD-SOI師出同門,但是,兩者卻被“陣營化”,F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。   今天我們就來談?wù)凢i
        • 關(guān)鍵字: FinFET  FD-SOI  

        本土手機芯片廠商日益強大 2017市場增長極都有誰?

        • 手機產(chǎn)業(yè)持續(xù)平穩(wěn)增長,芯片市場維持高景氣度
        • 關(guān)鍵字: 芯片  CMOS  

        索尼革命性拍照黑科技:把內(nèi)存塞進CMOS

        •   盡管近段時間索尼忙于月底的MWC 2017,但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日,索尼推出了一款劃時代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解,索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進行改進,在像素層和信號處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理  技術(shù)介紹稱,大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力,從而拍攝快速移動物體時能夠更加從容,有效減少拍攝時所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象,使得抓拍、慢動作都會更加
        • 關(guān)鍵字: 索尼  CMOS  

        SOI與finFET工藝對比 中國需要發(fā)展誰才正確

        • 中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后,如何踏實去干,去解決一個一個難題。任何進步?jīng)]有捷徑,其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
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        高通總裁談服務(wù)器芯片:更低功耗實現(xiàn)相同性能

        •   2016年12月7日,高通宣布在服務(wù)器領(lǐng)域的最新進展:其首款10nm服務(wù)器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣,預(yù)計在2017年下半年實現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品,Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術(shù),這也是全球首款10nm處理器芯片,最高可配置48個核心。   高通官方介紹,Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
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