- 為Leica M開發圖像傳感器的CMOSIS公司已經宣布其最新產品 - 具有全局快門的4800萬像素CMOS傳感器。CMOSIS表示，這款型號為CMV50000的新產品也可以進行8K分辨率30fps視頻拍攝，并擁有先進的降噪功能。
CMV50000具有4800萬像素分辨率(7920 x 6004有效像素)與全局快門，這允許撲捉快速移動對象的詳細圖像而沒有失真。失真問題經常困擾使用傳統滾動快門的CMOS傳感器。全局快門傳感器同時捕獲整個幀上的信息，而不是進行掃描捕捉。
該傳感器尺寸為36.4
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CMOS 傳感器
- 基于突破性10位CMOSAD7520的電阻梯乘法DAC最初用于反相運算放大器,而放大器的求和點(IOUTA)則提供了方便的虛擬地（圖1）.圖1.CMOS乘法DAC架構
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CMOS 乘法DAC 架構圖
- 如圖所示是用CMOS非門電路加入負反饋后組成的線性放大器。圖中A是由一個非門組成的一級線性放大器，B所示是由三個非門串聯構成的一級線性放大器。圖中R1是反饋偏置電阻，它構成直流全反饋，使工作點穩定，同時也構成交流的...
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CMOS 非門 線性放大器
- 如今的索尼傳感器比索尼手機的存在感無疑更加強。雖然索尼IMX系列傳感器相比三星、OV等廠商CMOS在主攝像頭位置的地位有所動搖，但是整體來說還是能夠捍衛王者寶座。
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CMOS 索尼
- 一直以來，人們總是在討論CMOS和CCD兩種成像器之間的比較優勢。雖然關于哪個更勝一籌的爭論紛紜已久，但自始至終卻沒有任何定論浮出水面。由于人們關注的主題總在不斷變化，因此，關于問題的答案也是不確定的。科技在
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圖像傳感器 CCD CMOS
- 采用標準0．18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試，結果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時具備三次諧波抑制的功能。
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CMOS EBG 制造 天線
- 大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但
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SoC FinFET MOSFET
- 1 引言近年來，無線通信技術得到了迅猛地發展。它對收發信機前端電路提出的新要求是：高線性，低電壓，低功耗，高度集成。混頻器作為無線通信系統射頻前端的核心部分之一，其性能的好壞將直接影響整個系統的性能。從
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單平衡混頻器 CMOS 模擬開關 開關混頻器
- 所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節點上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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FinFET 電路設計
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