- DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FinFET
- 本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問題。
重要信號線的上下拉問題
一般說來，不光是重要的信號線，只要信號在一段時間內可能出于無驅動狀態，就需要處理。
比如說，一個CMOS門的輸入端阻抗很高，沒有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至會導致擊穿或者閂鎖，導致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導通，對器件壽命造成影響。
總線上當所有的器件都處于高阻態時也容易有干擾出現。因為這時讀寫控制
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CMOS TTL
- 半導體產業已經因為創投社群對硬件開發領域興趣缺缺而沮喪了好長一段時間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
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摩爾定律 CMOS
- Sony于8月推出全球首款內建4K錄影功能的數位相機α7R II后，將續推高階α7R系列產品。該系列產品不采用化學低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬提高至4，240萬，同時加強自動對焦(AF)與防手震功能。
日本經濟新聞(Nikkei)報導，該相機并有399個相位對焦點、5軸圖像穩定系統與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達ISO 102，400，結合了高解析、高感光及高速對焦的機種，實際售價約45.1萬日圓(約3，800美
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Sony CMOS
- 最近，關于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱，最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步，先不評判蘋果一再強調的整機綜合續航差2~3%的準確性，但是三星14nm工藝相比臺積電16nm工藝較差已經可以說是板上釘釘的事了。
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A9處理器 臺積電 三星 Finfet
- Intel曾經自己高調宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領世界。
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Intel FinFET 14nm
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。
傳統的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時，仍然有較大的靜態功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。
基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電路可以在1.
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DC-DC CMOS
- 全球領先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體公司晶圓代工事業部今日宣布進一步擴展其行業領先的0.35µm高壓CMOS專業制程平臺。基于該高壓制程平臺的先進“H35”制程工藝，使艾邁斯半導體能涵蓋一整套可有效節省空間并提升設備性能的電壓可拓展的晶體管。
新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內的各種漏源電壓進行了優化，顯著降低了導通電阻，因此可節省器件空間。在電源管理應用中，用優化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
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艾邁斯 CMOS
- 集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產品說明或有關資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個問題：
1、電源問題
(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路
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CMOS 集成電路
- 現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。
Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
因為2.4V與5V之間還有很大空閑
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TTL，CMOS
- 簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個管腳，降低ESD的影響。
引言
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
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CMOS ESD
- 簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去!
1、CS單管放大電路
共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態工作點，而根據MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態工作點具有較寬的動態范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線性特性，并且實現信號的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS MOSFET
- 簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。
CMOS門電路
CMOS門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下
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CMOS TTL
- 簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區別以及使用注意事項等內容。
TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數ns)，功耗大(mA級)，負載力大，不用端多數不用處理。
CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負載力小，不用端必須處理。
CMOS 和 TTL 電平的主要區別在于輸入轉換電平。
CMOS：它的轉換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉換電平是電源電壓的 1/2。
TTL：
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TTL CMOS
- 一、CMOS門電路
CMOS 門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法：
1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
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CMOS TTL
cmos finfet介紹
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