- 上周五，德科碼“CMOS圖像傳感器芯片(CIS)產業園”項目正式落戶南京開發區。該項目總投資約25億美元，建成后將填補中國CIS產業的空白，主導中國的CIS市場。 圖像傳感器是數字攝像頭的重要組成部分。根據元件不同，可分為CCD(電荷耦合元件)和CMOS(金屬氧化物半導體元件)兩大類。相機和智能手機的拍照 功能離不開圖像傳感器芯片，市場很大。但CIS所屬的集成電路產業是內地的薄弱產業，芯片目前已超過石油，成為我國第一大進口商品。 “中國必須擁有自己的CIS設計、生產和自主品牌。”香港德科碼科技有限
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CMOS CCD
- 2015年11月27日，全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司之全資子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(“華虹宏力”)2015年度技術論壇，繼9月23日首場在深圳獲得熱烈反響后，于今日在北京麗亭華苑酒店再度拉開帷幕。來自北京、長三角、西部地區的150多位IC設計精英、知名合作伙伴、行業分析師和媒體朋友齊聚一堂，就產業趨勢和市場熱點進行了深入交流，并分享了華虹宏力新的技術成果。 公司執行副總裁范恒先生和執行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現場，與參會嘉賓互動交流。同時公司派出了陣容
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華虹 RF-CMOS
- 長久以來，我國用于高端光學成像的核心元器件一直受制于人。然而，在本月16日在深圳召開的第十七屆中國國際高新技術成果交易會(高交會)上，由我國研發的世界上像素分辨率最高、靶面最大的CMOS傳感器GMAX3005正式亮相。其以1.5億像素的超高分辨率，打破了我國一直以來都不具備高分辨率和高靈敏度CMOS圖像傳感器研發能力的窘境。
圖像傳感器可以將光信號轉化為電信號，是所有成像設備中的核心關鍵器件。其光電參數直接決定了成像設備的成像質量。今天亮相的GMAX3005擁有著1.5億像素的超高分辨率，成像速
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CMOS 圖像傳感器
- 本文講述運放的參數和選擇方面的知識，希望對有需要的讀者有幫助。
偏置電壓和輸入偏置電流
在精密電路設計中，偏置電壓是一個關鍵因素。對于那些經常被忽視的參數，諸如隨溫度而變化的偏置電壓漂移和電壓噪聲等，也必須測定。精確的放大器要求偏置電壓的漂移小于200μV和輸入電壓噪聲低于6nV/√Hz。隨溫度變化的偏置電壓漂移要求小于1μV/℃ 。
低偏置電壓的指標在高增益電路設計中很重要，因為偏置電壓經過放大可能引起大電壓輸出，并會占據輸出擺幅的一大部分。溫度感應和張力測
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運放 CMOS
- 東芝于2015年10月28日正式發布了半導體業務結構改革相關事宜。改革方針有以下幾點。
第一，退出CMOS圖像傳感器業務。將把生產該產品的大分工廠的300mm晶圓生產線及相關資產轉讓給索尼。完成轉讓后，該工廠將成為索尼全資子公司——索尼半導體(SCK)的生產基地之一，主要用于生產CMOS圖像傳感器。
另外，利用300mm晶圓生產線生產的CMOS圖像傳感器以外的半導體產品將委托SCK生產。隨著300mm晶圓生產線轉讓，與之相關的東芝及其相關公司的員工(大約1100人)
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東芝 CMOS
- DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FinFET
- 本文介紹了上下拉電阻的作用、使用方法等問題。
重要信號線的上下拉問題
一般說來，不光是重要的信號線，只要信號在一段時間內可能出于無驅動狀態，就需要處理。
比如說，一個CMOS門的輸入端阻抗很高，沒有處理，在懸空狀況下很容易撿拾到干擾，如果能量足夠甚至會導致擊穿或者閂鎖，導致器件失效。祈禱輸入的保護二極管安全工作吧。如果電平一直處于中間態，那輸出就可能是不確定的情況，也可能是上下MOS都導通，對器件壽命造成影響。
總線上當所有的器件都處于高阻態時也容易有干擾出現。因為這時讀寫控制
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CMOS TTL
- 半導體產業已經因為創投社群對硬件開發領域興趣缺缺而沮喪了好長一段時間，“超越摩爾定律”有足夠的吸引力嗎?
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摩爾定律 CMOS
- Sony于8月推出全球首款內建4K錄影功能的數位相機α7R II后，將續推高階α7R系列產品。該系列產品不采用化學低通濾鏡(bandpass filter)，故圖像更為銳利。像素自3，640萬提高至4，240萬，同時加強自動對焦(AF)與防手震功能。
日本經濟新聞(Nikkei)報導，該相機并有399個相位對焦點、5軸圖像穩定系統與4K錄影等特色，感光值(ISO)最高可達ISO 102，400，結合了高解析、高感光及高速對焦的機種，實際售價約45.1萬日圓(約3，800美
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Sony CMOS
- 最近，關于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱，最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步，先不評判蘋果一再強調的整機綜合續航差2~3%的準確性，但是三星14nm工藝相比臺積電16nm工藝較差已經可以說是板上釘釘的事了。
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A9處理器 臺積電 三星 Finfet
- Intel曾經自己高調宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領世界。
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Intel FinFET 14nm
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩定尤為重要，因此需要在芯片內部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。
傳統的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統在正常工作時，仍然有較大的靜態功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統的負擔，影響系統的穩定性。
基于傳統的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電路可以在1.
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DC-DC CMOS
- 全球領先的高性能模擬IC和傳感器供應商艾邁斯半導體公司晶圓代工事業部今日宣布進一步擴展其行業領先的0.35µm高壓CMOS專業制程平臺。基于該高壓制程平臺的先進“H35”制程工藝，使艾邁斯半導體能涵蓋一整套可有效節省空間并提升設備性能的電壓可拓展的晶體管。
新的電壓可拓展的高壓NMOS和PMOS晶體管器件針對20V至100V范圍內的各種漏源電壓進行了優化，顯著降低了導通電阻，因此可節省器件空間。在電源管理應用中，用優化的30V NMOS晶體管代替固定的50V晶
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艾邁斯 CMOS
- 集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產品說明或有關資料，了解其引腳分布及極限參數外，還應注意以下幾個問題：
1、電源問題
(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩壓的電源電路CMOS集成電路
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CMOS 集成電路
- 現在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。
TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結構。
Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。
因為2.4V與5V之間還有很大空閑
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TTL，CMOS
cmos finfet介紹
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