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數(shù)字CMOS攝像頭在智能車中的應(yīng)用
- 本文介紹了數(shù)字式CMOS 攝像頭MT9M011的性能特點和工作方式，給出了MT9M011在基于HCSl2單片機的智能車控制系統(tǒng)中的應(yīng)用方案，并分析了數(shù)字攝像頭的優(yōu)勢和不足。
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集成單片式CM0S汽車電子調(diào)節(jié)器設(shè)計
- 將電壓調(diào)節(jié)器設(shè)計成單片CMOS集成電路，從而減小了調(diào)節(jié)器的體積，使其可以和交流發(fā)電機制作在一起。這樣既提升了調(diào)節(jié)器的穩(wěn)定性，提高了整車供電質(zhì)量，有效延長了汽車電子設(shè)備的使用壽命，又適應(yīng)了當(dāng)前汽車交流發(fā)電機體積小而輸出功率大的發(fā)展趨勢。
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Sony活用CMOS獨家技術(shù)強化自動駕駛安全性
- 不論軟件或硬件，許多尖端科技技術(shù)都集結(jié)并展現(xiàn)于汽車上，自動駕駛技術(shù)亦不例外。而為了發(fā)展自動駕駛技術(shù)，相關(guān)組件更是不可或缺。SankeiBiz報導(dǎo)，Sony等大廠開始著手研發(fā)自動駕駛技術(shù)所需要的產(chǎn)品。Sony雖然積極布局智能型手機，但智能型手機市場變動激烈，獲利并不穩(wěn)定，未來將調(diào)度資源轉(zhuǎn)為布局車用領(lǐng)域，盼營收更上一層樓。 Sony布局車用領(lǐng)域早有準(zhǔn)備，推出高感度的CMOS傳感器，能清楚拍攝使用LED的紅綠燈，以及行駛在車輛前方的車尾燈。當(dāng)LED快速閃爍時，安裝既有傳感器的車用鏡頭可能會無法正確
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智能化STM32 F7微控制器如何滿足嵌入式系統(tǒng)更高處理性能需求
- 意法半導(dǎo)體（ST）日前宣布推出業(yè)界首款基于ARM最新Cortex-M7內(nèi)核的STM32 F7系列微控制器，其性能遠超ST之前的32位STM32F4微控制器，通過無縫升級路徑可將處理性能和DSP性能提高一倍。
- 關(guān)鍵字： 微處理器 DSP CMOS MCU 意法半導(dǎo)體
北大碳基集成電路成果被《2017中國自然指數(shù)》專題報道
- 2017年5月25日，英國《自然》期刊增刊《2017中國自然指數(shù)》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明，在過去15年中，材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國政策制定者的關(guān)注重點，大力投資材料科學(xué)也成為中國整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來，中國始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國家，其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進人才。然而，材料科學(xué)家認為，需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示，如果沒有足夠的扶持，中國在材料研究商業(yè)化方面的努力
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FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)
- 隨著高級工藝的演進，電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設(shè)計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復(fù)雜，因為它對擺設(shè)和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。 FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 隨著高級工藝的演進，電路設(shè)計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設(shè)
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英特爾推全新低功耗FinFET技術(shù) 22納米制程戰(zhàn)場煙硝起
- 英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關(guān)開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續(xù)到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應(yīng)用所生產(chǎn)之同類芯片而來。 據(jù)EE Times Asia報導(dǎo)，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應(yīng)用及移動裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術(shù)，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
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傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導(dǎo)體技術(shù)戰(zhàn)一觸即發(fā)
- 繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導(dǎo)體大將后，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又有新動作。據(jù)報道，傳大陸行業(yè)領(lǐng)頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術(shù)研發(fā)高層，他曾任臺積電資深研發(fā)處長。 之前蔣尚義加入中芯時，已經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導(dǎo)了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術(shù)的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
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后CMOS時代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗
- 自從14nm節(jié)點開始，Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級上的步伐就慢下來了，Tick-Tock戰(zhàn)略名存實亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié)，對此Intel也不是沒有準(zhǔn)備，最近他們公布了后CMOS時代的一些技術(shù)思路，Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。 根據(jù)EE
- 關(guān)鍵字： Intel CMOS
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