- 英特爾公司日前宣布與ASML控股公司簽署一系列價值總計33億歐元(約41億美元)的協議，以加速450毫米晶圓技術和超紫外線(EUV)光刻技術的開發，力爭提前兩年實現支持這些技術的光刻設備的產業化應用，從而為半導體制造商大幅降低成本并提高生產力。
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英特爾 ASML 晶圓
- 荷蘭半導體設備商ASML日前公布第3季財報，雖然獲利成長，但預測明年芯片業成長放緩而拒絕作出財測。該公司認為只有跟平板計算機和智能型手機相關的芯片設備明年才會見到成長。
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ASML 芯片
- 荷蘭芯片設備供應商ASML公司在本周三表示，該公司今年第二財季的凈利潤比去年同期增長了近81%至4.32億歐元(合6.07億美元)，去年同期該公司的凈利潤為2.39億歐元。
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ASML 芯片設備
- 日本東京電子(TEL)日前收到來自聯電的一筆后繼設備訂單，價值約為三千零五十萬美元，這是TEL今年迄今為止收到的來自聯電的最大一筆設備訂單，TEL接獲來自聯電的上一筆訂單是在今年四月，價值為一千九百十萬美元。
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ASML 半導體設備
- 2010年浸潤式微米光刻機臺設備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產業轉進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨;不過，對于資金拮據的DRAM廠，1臺要價近1億美元的EUV機臺，將會是更大的資金挑戰，目前僅瑞晶下單訂購1臺，藉以確保20納米工藝的參賽權?！?/li>
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ASML EUV光刻機
- 歐洲最大的半導體設備制造商荷蘭阿斯麥控股公司(ASMLHolding NV)發布第四季度財報，由于2010年銷量創歷史記錄，其第四季度利潤超過之前分析師預測。
阿斯麥報道稱，公司第四季度凈利潤為4.07億歐元(5.49億美元)，而去年同期僅為5.05千萬歐元。此前彭博社對11位分析師預測統計，平均預測其第四季度凈利潤為3.258億歐元。此外，公司第四季度凈銷售額上升至15.2億歐元，高于此前預測的13.4億歐元。
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ASML 半導體設備
- 道瓊社、Thomson Reuters報導，歐洲半導體設備業龍頭ASML Holding NV財務長Peter Wennink 19日在摩根士丹利年度科技媒體電信(TMT)大會上表示，明年度半導體業的資本支出將增加，該公司客戶的需求強勁使得前置時間達10個月。Wennink也預期明年度NAND市場將成長，邏輯、晶圓銷售額將大幅擴增，不過DRAM銷售額則將下滑。Wennink同時指出，將藉由買回自家股票與配發股利的方式把多余的現金返還股東。
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ASML 半導體
- ASML公司于10月13日公布其未經審計的Q3業績
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ASML 光刻
- ASML公司于10月13日公布其未經審計的Q3業績，ASML預計其Q4的銷售額達13億歐元，并確認2010年的銷售額將比歷史上最高的38億歐元，高出10-15%。公司預期其Q4的毛利率在44%左右。研發費用增加到1.4億歐元及銷售管理費用在5000萬歐元。
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ASML Q3
- 據內存業者透露，由于著名光刻設備廠商ASML生產的NXT:1950i沉浸式光刻機目前供貨十分緊缺，因此臺系內存芯片廠商收到所訂購的這種設備的時間 可能會再后延12個月之久，由于NXT:1950i沉浸式光刻機對這些廠商轉移到38nm以上級別制程至關重要，因此預計臺系內存芯片廠商制程轉換的進度 會受到較大的影響。NXT:1950i 是荷蘭ASML公司最新開發的沉浸式光刻機，可用于制造12英寸32nm及以上級別制程的產品.
此前曾有報道稱 NXT:1950i的訂貨至到貨日期已經被拉長到了將近12個月，
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ASML 光刻機 內存芯片
- 市場研究業者iSuppli警告，由于動態隨機存取內存(DRAM)芯片的制造產能有限，DRAM市場下半年可能供不應求。
分析師霍華德(Mike Howard)預期，今年DRAM芯片出貨量可望成長49%，其中多數集中在下半年。他預測，今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長11%左右，由于增加的需求都集中在下半年，屆時供應DRAM芯片的產能恐難以負荷。
iSuppli指出，有兩個問題可能影響下半年的DRAM供應量，甚至恐會造成供不應求。首先，由于全球最大半導體微影工具供貨商艾斯摩爾
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ASML DRAM
- 對于內存廠商來說，已經過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉，可是今年內存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產品投產準備時間加長，產品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內存廠商遇到的這些問題歸結為由內存廠商自身的問題而引起，不過著名光刻設備制造商ASML則也在被指責之列。
ObjectiveAnalysis市調公司的分析師JimHandy認為內存市場的上揚期恐怕不久便會結束，他并稱2011年中期或2012年間內存芯片市場將再度陷入供過于求的局面
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ASML 內存芯片 50nm
- 對于內存廠商來說，已經過去的2009年就像是一場噩夢。而2010年情況則大有好轉，可是今年內存廠商卻遇上了芯片供貨緊缺，芯片產品投產準備時間加 長，產品價格居高不下的問題。在本周三舉辦的Memcon會議上，一位分析師將今年內存廠商遇到的這些問題歸結為由內存廠商自身的問題而引起，不過著名光 刻設備制造商ASML則也在被指責之列。
Objective Analysis市調公司的分析師Jim Handy認為內存市場的上揚期恐怕不久便會結束，他并稱2011年中期或2012年間內存芯片
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ASML 內存芯片
- 受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程，對浸潤式顯影機臺需求大增，讓半導體設備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導體制程推進5x奈米以下先進制程，制程復雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(Holistic Lithography)系列產品，已獲得意法半導體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。
ASML指出，隨著半導體制程推進到50x奈米以下制程，業者投入的經費越來越高昂，生產時程亦拉得更長，良率更難提升，制程容許度(p
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ASML DRAM 晶圓代工
- 在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對于實現22nm的各類光刻技術的進展、挑戰與未來市場前景進行了熱烈的討論。
作為193nm光刻技術的接替者，ASML仍是全球EUV(遠紫外光光刻機) 技術的領先供應商。該公司的首臺NXE3100機器將如期發貨，目前正在作最后的組裝及測試。盡管如此，由于EUV技術中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術的主要挑戰。另外，為了達到工業使用指標急需投入大筆資金。
Nikon指出它仍繼續采用兩次圖形曝光方法來延伸193nm高NA(數值孔徑)
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ASML 22nm 光刻
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