arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章
最新資訊
- 未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰階段，在4x，3x節點時發現了許多問題。目前盡管EUV光刻己經基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及logic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發表此看法) 。另一位會議
- 關鍵字：
半導體制造 DRAM NAND
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產后，采用該產品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。
三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規格NAND Flash開發作業，并計劃于2011年投入量產。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產品將
- 關鍵字：
三星電子 NAND
- 三星和東芝公司已經宣布了一個合作計劃，旨在制定新規范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術，這比目前版本的NAND閃存接口技術快了十倍，這項技術將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產品例如SSD以及智能手機和消費電子產品。
三星和東芝公司目前供應NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業內具有相當大的話語權，這對他們的新規范計劃將非常有利。
三星上個月
- 關鍵字：
三星 NAND 30nm
- 日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發NAND Flash制程技術與產品外，爾必達將為飛索半導體代工生產NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發NOR Flash，并為其代工的可能性。
據悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術的授權，該項技術乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術為基礎。此外，爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產高階NAND Flash，而雙方亦將各自進行客戶營銷。
路透(Reut
- 關鍵字：
爾必達 NAND
- 三星和東芝今天共同宣布，雙方將協力支持新一代高性能NAND閃存技術：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規范。兩家公司將支持這一規范成為行業標準，被業界廣泛接受使用。
最初的SDR NAND閃存架構接口速度僅為40Mbps，現行的DDR 1.0標準將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。
高速閃存接口的優勢不言而喻，未來將
- 關鍵字：
三星 NAND 東芝
- 閃存業兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標準規范的制訂工作，這種新一代閃存標準規范的接口數據傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標準規 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規范使用的閃存芯片存儲密度參數。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應用。
現有的DDR1.0版本NAND閃存接口規范只是將DDR數據傳輸接口與傳統的單倍數據傳輸率NAND單元結合在一起使用，接口數據傳輸率僅133Mbit/s
- 關鍵字：
三星 NAND
- 據了解，日商爾必達已決定來臺設立研發中心，且選定投入高階技術NAND Flash領域。爾必達來臺投資研發中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導體業者進一步合作。
據悉，爾必達與臺灣創新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業者聯合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經濟部遞出在臺設立研發中心的初步計劃書，經濟部正進行審查中。
官員透露，爾必達來臺設立研發中心的計劃相當成熟，已進入實質合作內容洽談中，研發中心切入的產品并非一般的動態存儲器
- 關鍵字：
TIMC NAND DRAM
- 全球半導體市場需求成長已優于2008年秋季金融危機爆發前的水平，2010年5月半導體銷售額續創新高。就地區別來看，含大陸在內的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續成長中，已成為全球半導體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態值得關注。
美國半導體產業協會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統計數據指出，金融危機爆發前全球半導體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導體銷售額達2
- 關鍵字：
DRAM NAND
- 編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經過半，所以業界都會關心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導體業可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設備業看似今年的增長幅度達90%，但是許多設備公司仍是興奮不起來，因為2010年業績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。
SEMICON West美國半導體設備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導體設備業有點紅火。
按市場調研公司 VLSI預計，2010年半導體設備業增長96%
- 關鍵字：
半導體設備 NAND DRAM
- 近期臺灣創新存儲器公司(TIMC)獲得經濟部補助，聯合茂德、晶豪打算從NAND Flash產業重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點燃臺灣NAND Flash戰火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產業6年來投入新臺幣70億元，是臺灣血統最純正技術，目前力晶NAND Flash技術腳步相較于國際大廠仍晚1個世代，但若未來成功走向20納米制程，對臺灣NAND Flash研發是很大突破。
事實上，力晶NAND Flash產品系師承日商瑞薩(Renes
- 關鍵字：
TIMC NAND
- 據iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。
iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產品存儲數據。
今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產品正在集成視頻攝像機等組件，從而產生了額外的存儲需求。
廠商產量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據合同義務和關系向關鍵
- 關鍵字：
NAND 閃存芯片
- 據iSuppli稱，隨著消費電子廠商準備圣誕假日的產品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應求。
iSuppli高級半導體分析師Rick Pierson說，當市場供貨量緊張的時候，平均銷售價格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數碼相機、智能手機和視頻攝像機等電子產品存儲數據。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導致價格出現下降的趨勢。但是，智能手機等產品正在集成視頻攝像機等組件，從而產生了額外的存儲需求。
廠商產量不會由于超過了需求而進行限制。但是，供應商將根據合同義務和關系向關鍵的合作
- 關鍵字：
NAND 閃存芯片
- U-Boot在MPC8265平臺上的移植與分析,如何根據開發板的硬件資源設計引導加載程序是嵌入式系統設計的重點與難點。為解決引導加載程序的設計問題，針對一個基于MPC-8265處理器的硬件系統平臺，分析了U-Boot的源碼結構組成和啟動流程，并提出U-Boot的移植方法。該方法可廣泛應用于其他處理器及嵌入式系統。應用結果表明，移植后的U-Boot-1．2．0在開發板上運行良好，可以成功穩定地引導Linux-2．6內核以及NFS根文件系統。
- 關鍵字：
分析 移植 平臺 MPC8265 U-Boot
- 6月10日消息，據路透社報道，全球最大的記憶體芯片生產商韓國三星電子周四表示，計劃投資36億美元，擴大其在美國的芯片生產能力。
三星電子的海外唯一一家芯片廠就設在美國得克薩斯州的奧斯汀，此次產能擴增主要是針對生產大型積體電路(LSI)芯片的設備。
奧斯汀工廠主要生產用于手機和數碼相機的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱，工廠擴產計劃還包括增聘500名員工。
- 關鍵字：
三星電子 NAND
- 至此，對于今年全球電子工業的看法是樂觀的，而且是有相當大的增長。
但是作為一個編輯者仍有些擔憂，以下是對于2010年有10個理由來看好或者是看衰半導體業。
1. IC熱，然后冷
Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導體銷售額達2900億美元， 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預測，2010年增長19.9%相比有明顯提高。
芯片銷售額的增長明顯超過系統產品銷售額的增
- 關鍵字：
半導體 DRAM NAND
arm匯編u-boot-nand-spl啟動過介紹
您好，目前還沒有人創建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動過!
歡迎您創建該詞條，闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動過的理解，并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動過的朋友們分享。
創建詞條
arm匯編u-boot-nand-spl啟動過電路
arm匯編u-boot-nand-spl啟動過相關帖子
arm匯編u-boot-nand-spl啟動過資料下載
arm匯編u-boot-nand-spl啟動過專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
