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分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商
- 市場研究公司IC Insights日前預(yù)計，三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。 基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴張計劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復(fù)合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復(fù)合增長率僅為3.4%。基于此增長速率，IC Insights預(yù)計，三星的芯片銷售額
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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估，預(yù)計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計，一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破
- 據(jù)國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達(dá)到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。 首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲設(shè)備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場上最有效率的。 英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
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英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片
- 英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。 新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
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NAND Flash市況兩極 靜待8月底補貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。 近期大陸因為亞運因素，
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第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。 三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠 從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
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Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存
- 南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。 ? Hynix Cheong-ju M11工廠 Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
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日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財報喜憂參半
- 日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(dá)(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動，加上 NANDFlash均價跌幅趨緩，東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠(yuǎn)超過預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
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VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測 但CEO們?nèi)允侵?jǐn)慎的樂觀
- VLSI提高IC預(yù)測，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。 同時由于經(jīng)濟大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹(jǐn)慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。 VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的，按VLSI的最新預(yù)測，2010年IC市場可能增長30%，但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長96%。 而在之前的預(yù)測中認(rèn)為2010年全球IC市場增長28.1%，其它預(yù)測尚未改變。
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分析師認(rèn)為閃存熱 但是供應(yīng)鏈不配套
- 無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。 要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達(dá)215億美元。 這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。 Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
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蘋果砸中閃存
- iPhone、iPad等蘋果i家族產(chǎn)品的熱銷，正引發(fā)連鎖反應(yīng)。 7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示，蘋果產(chǎn)品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。 受此拉動，閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。 近期陸續(xù)出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動下，閃存芯片近期需求及價格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當(dāng)季的銷售
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片 iPhone
三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%
- 據(jù)國外媒體報道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。 在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示，公司第
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