從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產品的實力。作為芯片設計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準把握未來芯片設計的關鍵。?人工智能正在滲透到整個半導體生態系統中，迫使 AI 芯片、用于創建它們的設計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內重新定義幾乎每個領域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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EDA 3D IC 數字孿生
●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規性及數據完整性分析能力，幫助加速設計流程●? ?Calibre 3DStress?可在設計流程的各個階段對芯片封裝交互作用進行早期分析與仿真西門子數字化工業軟件日前宣布為其電子設計自動化?(EDA)?產品組合新增兩大解決方案，助力半導體設計團隊攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設計與制造的復雜挑戰。西門
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西門子EDA 3D IC
我們探討了用于線性化射頻放大器的模擬預失真的基本概念，并回顧了一些常見的實現方式。現代通信系統使用具有時變包絡和相位角的信號。為了處理這些信號，發射機需要線性功率放大器（PA）。然而，它們也需要高效率的功率放大器。正如我們所知，這樣的放大器不可避免地是非線性的。幸運的是，有許多方法可以線性化功率放大器的響應。我們在上一篇文章中了解到的一種方法是找到失真并將其從功率放大器的輸出信號中減去。這被稱為前饋線性化。預失真是另一種常用的線性化技術。它不是在輸出端校正信號，而是在功率放大器之前放置一個非線性電路，使組
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線性化射頻放大器 RF
英飛凌的新一代EiceDRIVER?
1ED21x7x
650V、+/-4A柵極驅動器IC與其他產品相比，提供了一種更穩健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅動器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關，設計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術。1ED21x7x具有出色的堅固性和抗噪能力，能夠在負瞬態電壓高達-100V時保持工作邏輯穩定。可用于高壓側或低壓側功率管驅動。1ED21x7x系列非常適合驅動多個開關并聯應用，例如輕型電動汽車。基于1ED21x7x
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柵極驅動器 IC
電池管理系統 （BMS） IC 是一個相對復雜的系統。與大多數電源管理 IC 不同，它集成了許多相互依賴的功能，這些功能必須準確、無縫、和諧地工作，才能提供功能齊全的 BMS。在任何電池供電的設備中，BMS 都是最關鍵和最敏感的組件之一，通常是最重要的。鋰離子電池雖然功能強大，但高度敏感，如果處理不當可能會帶來安全風險。保養不當也會顯著縮短它們的使用壽命，導致容量減少，甚至使電池無法使用。BMS IC 是負責確保電池組運行狀況、報告其狀態和保持最佳性能的關鍵元件 - 無論是獨立還是與系統處理器協作。&nb
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BMS IC 集成電路 電池管理系統
1. 什么是射頻？射頻簡稱RF，是高頻交流變化電磁波的簡稱。電磁波其實就是比較熟悉的概念了，依據麥克斯韋的電磁場理論：振蕩的電場產生振蕩的磁場，振蕩的磁場產生振蕩的電場，電磁場在空間內不斷向外傳播，形成了電磁波。下圖可以大致體現體現這個過程，E代表電場，B代表磁場。在軸上同一位置的電場、磁場的相位和幅度均會隨著時間發生變化。通常情況下，射頻（RF）是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統稱，被廣泛應用于雷達和無線通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號，可以從頻率、波長、幅度、相位四個角
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射頻 RF
11月1日下午，第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC China 2024）新聞發布會在北京舉行。中國半導體行業協會副理事長兼秘書長張立、中國半導體行業協會執行秘書長王俊杰、北京賽迪出版傳媒有限公司總經理宋波出席會議，分別介紹IC China 2024的舉辦意義、籌備情況、特色亮點，并回答記者提問。發布會由中國半導體行業協會專職副理事長兼書記劉源超主持。發布會披露，IC China 2024由中國半導體行業協會主辦，北京賽迪出版傳媒有限公司承辦，將于11月18日—20日在北京國家會議中心舉辦。自2003年
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IC China 2024
（一）會議概況2024中國集成電路設計創新大會暨第四屆IC應用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創新大會（AEIF）暨汽車電子應用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會共設2場高峰論壇、8場專題分會（含1場供需對接+1場強芯發布），150場報告，6000+平米展區展示，200+展商展示IC創新成果與整機應用，200+行業大咖，500+企業高管，5000+行業嘉賓參會。會議看點1、第十屆汽車電子創新大會（AEIF）概況2024 AEIF技術展覽規模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車電
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ICDIA-IC Show & AEIF 2024
關于射頻模擬設計中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數度量，包括本規范的關鍵方面。除了一些特定的應用，例如，當需要抖動效果時，噪聲通常是一種不想要的現象。科學家和工程師已經表征了不同電路元件產生的噪聲，并開發了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設計中，我們通常將噪聲效應建模為輸入參考噪聲電壓和電流源。然而，在射頻（RF）設計中，噪聲系數度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數度量，強調該規范的一些微妙之處，最后看一個例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設計中的噪聲分析我們通常用
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噪聲系數度量，射頻電路，噪聲，RF
本文要點：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會放大它們接收到的輸入信號。基本的放大器電路由雙極結型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區運行。晶體管的有源區用于放大目的。當晶體管偏置為有源區時，施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現波動。波動的輸出電流流過輸出電阻，產生經過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態工作點相比）輸出電流波動較小，它們稱為
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RF 放大器
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線路保護功能。首批兩款產品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，其他產品將陸續上市。TCKE9系列產品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護供電電路中的線路免受過流和過壓狀況的影響，這是標準物理熔斷器無法做到的。即使發生異常過流或過壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產品還具有過熱保護和短路保護功能，當電路產生異常熱量或發生意外短路時，可通
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東芝 電子熔斷器 eFuse IC
在采樣速率和可用帶寬方面，當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長足的發展，其中還納入了大量數字處理功能，電源方面的復雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢，大約在數十MHz內，而數字內容很少，幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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ADI RF ADC
近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開發的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛星通信應用開發新的GaN器件產品線并實現商業化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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Guerrilla RF Gallium GaN
●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
6月14日，純化合物半導體代工廠穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF
GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發布完整的生產版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN
HEMT技術，該技術結合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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純化合物 半導體 RF GaN
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