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探索IC電源管理新領域的物聯(lián)網(wǎng)應用
- 本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術，并提出設計人員可能面臨的一些電源問題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)裝置越來越密集地應用于工業(yè)設備、家庭自動化和醫(yī)療應用中，透過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時間（對于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置）來優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來越大。相關的要求是所有這些都必須以小尺寸實現(xiàn)，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實現(xiàn)無線通信。 物聯(lián)網(wǎng)裝置的應用領域幾乎沒有止境，每天都會考慮新的裝置和使用情況。
- 關鍵字： IC 電源管理 物聯(lián)網(wǎng) ADI
基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案
- 小耳朵衛(wèi)星天線,在于一些偏遠地區(qū)常見,用于收看衛(wèi)星電視節(jié)目,由于衛(wèi)星電視的信號非常微弱，所以我們需要一個拋物面天線來聚焦信號，還需要一個高頻頭，也稱為LNB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線的焦點上來收集信號。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛(wèi)星信號經(jīng)過放大和下變頻，把Ku或C波段信號變成L波段，經(jīng)同軸電纜傳送給衛(wèi)星接收機,每只LNB只能用于某一波段，因為S、C和KU波段需要不同的波導管。也有一些類型是用于圓極化和線極化信號接收的，它們主要在
- 關鍵字： Richtek 升壓 LNB STB Power IC
瑞薩電子宣布與AMD攜手展示面向5G有源天線系統(tǒng)的完整RF和數(shù)字前端設計
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布，將與AMD合作展示面向5G有源天線系統(tǒng)（AAS）無線電的完整RF前端解決方案。全新RF前端與經(jīng)實地驗證的AMD Zynq??UltraScale+? RFSoC數(shù)字前端OpenRAN無線電（O-RU）參考設計相搭配，包含RF開關、低噪聲放大器，和前置驅(qū)動器，提供了一套完整的解決方案，以滿足不斷增長的移動網(wǎng)絡基礎設施市場需求。該參考平臺將于2月27日至3月2日在西班牙巴塞羅那舉行的世界移動通信大會AMD展臺（2展廳，#2M61展位）進行展示。全新5G設計平
- 關鍵字： 瑞薩 AMD 5G有源天線 RF 數(shù)字前端
數(shù)字波束成形相控陣中RF電子器件的物理尺寸分配
- 相控陣雷達和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開始，并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實現(xiàn)，以實現(xiàn)的靈活性和可編程性。相控陣雷達和有源電子掃描陣列（AESA）已經(jīng)在航空航天和國防市場中使用和部署了十多年。這一時期主要從模擬波束成形系統(tǒng)開始，并不斷遷移到更高水平的數(shù)字波束成形。系統(tǒng)工程目標不斷需要接近元素的數(shù)字波束成形實現(xiàn)，以實現(xiàn)的靈活性和可編程性。遷移到近元素數(shù)字波束成形存在許多挑戰(zhàn)。挑戰(zhàn)范圍
- 關鍵字： 數(shù)字波束 RF
自適應RF前饋放大器的設計
- 現(xiàn)代無線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無源器件及有源器件的引入，多載波配置技術的采用等，都將導致輸出信號的互調(diào)失真。現(xiàn)代無線通信的迅猛發(fā)展日益朝著增大信息容量，提高信道的頻譜利用率以及提高線性度的方向發(fā)展。一方面，人們廣泛采用工作于甲乙類狀態(tài)的大功率微波晶體管來提高傳輸功率和利用效率；另一方面，無源器件及有源器件的引入，多載波配置技術的采用等，都將導致輸出信號的互調(diào)
- 關鍵字： RF 放大器
14年后 全球半導體行業(yè)突然按下“暫停鍵”：減支力度高達19%
- 以存儲芯片廠商為代表，包括美光、SK海力士等在內(nèi)，均宣布將減少明年的資本支出，這些錢一般用于擴建擴產(chǎn)等，反映出行業(yè)的低迷。實際上，整個半導體行業(yè)的日子都不太好過。日前，統(tǒng)計機構IC Insights發(fā)布最新研報，預測明年全產(chǎn)業(yè)的資本支出將同比下滑19%，在1466億美元左右。據(jù)悉，這是繼2008~2009金融危機以來的最大降幅，當時的降幅一度高達40%。可做對比的是，半導體資本支出在過去今年迎來了高速增長，2021年增長35%達到1531億美元，今年預計將增長19%達到1817億美元，創(chuàng)下歷史新高。
- 關鍵字： 半導體行業(yè) 市場 IC Insights
RF解密--什么是射頻衰減器？
- 問題：什么是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？答案：衰減器是一種控制元件，主要功能是降低通過衰減器的信號強度。這種元件一般用于平衡信號鏈中的信號電平、擴展系統(tǒng)的動態(tài)范圍、提供阻抗匹配，以及在終端應用設計中實施多種校準技術。?簡介本文延續(xù)之前一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術。ADI將在文中探討IC衰減器，并針對其類型、配置和規(guī)格提出一些見解，旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品，并為終端應用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關文章包括：“為應用選擇合適的RF放大器指南”、“如何輕松選擇
- 關鍵字： RF 射頻衰減器 ADI
GaN IC縮小電機驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅(qū)動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
- 關鍵字： GaN IC 電機驅(qū)動器
西門子與聯(lián)華電子合作開發(fā)3D IC混合鍵合流程
- 西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作，面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現(xiàn)多個組件功能。相比于在 PCB
- 關鍵字： 西門子 聯(lián)華電子 3D IC 混合鍵合流程
RF揭秘：散射參數(shù)及其類型
- 本文延續(xù)之前的一系列短文，旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探討了波反射；“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件”，探討了RF信號鏈中發(fā)揮作用的頻率產(chǎn)生器件的主要類型。問題:什么是S參數(shù)？它有哪些主要類型？答案:S參數(shù)描述了RF網(wǎng)絡的基本特征，其主要類型有小信號、大信號、脈沖、冷模式和混合模式S參數(shù)。引言本文延續(xù)之前的一系列短文，旨在為非RF工程師講解RF的奧秘。其中一些RF文章如下：“RF揭秘——了解波反射” ，探討了波反射；“如何輕松選擇正確的頻率產(chǎn)生器件
- 關鍵字： ADI RF
如何選擇出色電源解決方案，以提高RF信號鏈相位噪聲性能
- 如今的射頻 (RF) 系統(tǒng)變得越來越復雜。高度的復 雜性要求所有系統(tǒng)指標（例如嚴格的鏈接和噪聲預算） 達到最佳性能。確保整個信號鏈的正確設計至關重要。 而信號鏈中，有一個部分經(jīng)常會被忽視，那就是直流電 源。它在系統(tǒng)中占據(jù)著重要地位，但也會帶來負面影 響。RF 系統(tǒng)的一個重要度量是相位噪聲，根據(jù)所選的 電源解決方案，這個指標可能降低。本文研究電源設計 對 RF 放大器相位噪聲的影響。我們的測試數(shù)據(jù)證明， 選擇合適的電源模塊可以使相位噪聲改善 10 dB，這是 優(yōu)化 RF 信號鏈性能的關鍵。
- 關鍵字： 202207 電源 ADI RF 相位噪聲
打造驅(qū)動第三代功率半導體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)
- 受訪人：亞德諾半導體 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器和5G電信基站、電動汽車充電站、新能源等基礎設施的廣泛部署使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關重要。近年來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來的SiC/GaN功率開關將會給方方面面帶來巨大進步，其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應用。好馬
- 關鍵字： 202207 ADI 第三代半導體 IC 功率器件
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