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基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

鑒于對(duì)能源可持續(xù)性和能源安全的擔(dān)憂，當(dāng)前對(duì)儲(chǔ)能系統(tǒng)的需求不斷加速增長(zhǎng)，尤其是在住宅太陽(yáng)能裝置領(lǐng)域。市面上有一些功率高達(dá) 2kW 且?guī)в屑墒絻?chǔ)能系統(tǒng)的微型逆變器。當(dāng)系統(tǒng)需要更高功率時(shí)，也可以選用連接了儲(chǔ)能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩(wěn)壓直流母線可將各個(gè)基本模塊互聯(lián)起來。混合串式逆變器包含以下子塊：●? ?用于執(zhí)行最大功率點(diǎn)跟蹤的單向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。●? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。電池可在夜間或停電
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN FET 單相串式逆變器微型逆變器儲(chǔ)能系統(tǒng)

瑞薩電子推出用于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)及電源系統(tǒng)的全新GaN FET

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動(dòng)汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲(chǔ)能和太陽(yáng)能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動(dòng)輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡(jiǎn)便性。新產(chǎn)品提供TOL
關(guān)鍵字：瑞薩電子 AI數(shù)據(jù)中心工業(yè) 電源系統(tǒng) GaN FET

瑞薩推出全新GaN FET，增強(qiáng)高密度功率轉(zhuǎn)換能力

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源（包括新型800V高壓直流架構(gòu)）、電動(dòng)汽車充電、不間斷電源電池備份設(shè)備、電池儲(chǔ)能和太陽(yáng)能逆變器。此類第四代增強(qiáng)型（Gen IV Plus）產(chǎn)品專為多千瓦級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)，將高效GaN技術(shù)與硅基兼容柵極驅(qū)動(dòng)輸入相結(jié)合，顯著降低開關(guān)功率損耗，同時(shí)保留硅基FET的操作簡(jiǎn)便性。新產(chǎn)品提供TOLT、TO-247和T
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GaN FET支持更高電壓的衛(wèi)星電源

EPC Space 推出了 EPC7030MSH，這是一款 300 V 抗輻射 GaN FET。該解決方案提供高功率電流額定值，為衛(wèi)星電源和推進(jìn)應(yīng)用樹立了新的基準(zhǔn)。EPC7030MSH隨著衛(wèi)星制造商過渡到更高電壓的電源總線和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件滿足了對(duì)緊湊、高效和抗輻射功率轉(zhuǎn)換日益增長(zhǎng)的需求。EPC7030MSH專為在極端輻射和熱條件下運(yùn)行的前端 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電力推進(jìn)系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。文檔顯示，該器件的額定工作電壓為 300 V，線性能量傳輸（LET）為 63
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探索TI GaN FET在類人機(jī)器人中的應(yīng)用

類人機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。類人機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約40個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源要求取決
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GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

引言人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數(shù)字不包括手部的電機(jī)。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個(gè)微型電機(jī)。這些電機(jī)的電源
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SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇，將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。Cascode簡(jiǎn)介碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵
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Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-mode和E-mode器件的供應(yīng)商，為設(shè)計(jì)人員在應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)過程中的不同挑戰(zhàn)提供了更多便捷性。Nexperia
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PMOS緩啟電路

本文來源于一個(gè)實(shí)際項(xiàng)目，需要由一個(gè)PMOS作為開關(guān)來控制電源的導(dǎo)通。但對(duì)實(shí)際參數(shù)進(jìn)行測(cè)量時(shí)，發(fā)現(xiàn)PMOS導(dǎo)通時(shí)間太短，使得后級(jí)電路的dV/dt太大，造成一些不好的影響，因此本文對(duì)如何延緩PMOS啟動(dòng)速度進(jìn)行簡(jiǎn)單學(xué)習(xí)與概述性介紹。1 米勒平臺(tái)上圖所示為PMOS的等效模型，其柵極、源極與漏極相互之間都存在寄生電容，分別為CGD，CGS，CDS。MOS管的開啟時(shí)序如下圖所示：開啟過程如下：（1）T0-T1階段，G端輸出電平，CGS開始從0充電直至VGS(th)，漏極源極之間的電壓UDS與電路IDS保持不變，MO
關(guān)鍵字： PMOS電路開關(guān)電路 MOS 電源

緩沖反激式轉(zhuǎn)換器

本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉(zhuǎn)換器，探討如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓。現(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和初級(jí) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器的工作原理是將能量存儲(chǔ)在變壓器的初級(jí)電感中，并在 MOSFET 關(guān)斷時(shí)將能量釋放到次級(jí)電感。圖 1. 漏電感會(huì)在 FET 關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生過高電壓當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí)，通常需要一個(gè)緩沖器，因?yàn)樽儔浩鞯穆╇姼袝?huì)導(dǎo)
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用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試

電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是，但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設(shè)備的可靠性，雙脈沖測(cè)試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，用于測(cè)量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)包括示波
關(guān)鍵字： 202411 寬禁帶 FET 測(cè)試

內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機(jī)BLDC驅(qū)動(dòng)芯片方案

引言全球高速無刷電機(jī)行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長(zhǎng)和發(fā)展。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研，亞洲市場(chǎng)占據(jù)了全球高速無刷電機(jī)行業(yè)的首位，市場(chǎng)規(guī)模占比達(dá)47%，并且預(yù)計(jì)未來增長(zhǎng)將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國(guó)，無刷電機(jī)技術(shù)已逐漸成熟，電機(jī)和驅(qū)動(dòng)器的價(jià)格均已下探到可以廣泛應(yīng)用的程度，也就拓展了無刷電機(jī)的使用場(chǎng)景。而控制芯片作為無刷電機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，通過接收轉(zhuǎn)子位置的反饋信號(hào)，精確控制電機(jī)的電流和電壓，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和精確控制。目前直流無刷電機(jī)的控制主要分兩大類：方波控制（梯形波控制）與正弦波控制，這兩類控制方式的原理分別是什么呢
關(guān)鍵字： MOS 三相直流無刷電機(jī) BLDC 驅(qū)動(dòng)芯片

碳化硅模塊在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用

碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的理想之選。
關(guān)鍵字： 202407 太陽(yáng)能 PV SiC FET 寬帶隙碳化硅光伏

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對(duì)比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲(chǔ)一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
關(guān)鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET

從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用，這篇文章把MOS管講透了。

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。其結(jié)構(gòu)示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(zhǎng)條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性，因此它的一個(gè)重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻，選用mos管必須清楚這個(gè)參數(shù)是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過來即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通，而p型的相反。解釋3：增強(qiáng)型相對(duì)于耗盡型
關(guān)鍵字：模擬電路 MOS