mos—fet 文章 最新資訊
如何在電源上選擇MOS管
- 在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候，在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時候，在很多電源設(shè)計人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導損耗和開關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F
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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的全球領(lǐng)先供應(yīng)商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發(fā)布了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。這款設(shè)計方案面向中低功率的應(yīng)用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅(qū)動器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率
- 碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
- 學習模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學習構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？學習模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學習構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應(yīng)為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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功率MOS管損壞的典型
- 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負載的開關(guān)運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
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EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅(qū)動器參考設(shè)計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設(shè)計增強了高功率應(yīng)用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應(yīng)用。EPC9186在每個開關(guān)位置使用四個并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關(guān)鍵功能電路
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Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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巧用MOS管的體二極管
- 用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀態(tài)的。用過MOS管的小伙伴都知道，其內(nèi)部有一個寄生二極管，有的也叫做體二極管。1、PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導通，一般MOS管的導通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏級別，此時體二極管是截至狀
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柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應(yīng)具有魯棒性
- 當今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的，因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律，硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾，這為高度縮放的設(shè)備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面，因此它們具有更好的遷移率水平，包括在 0.7 A 下實現(xiàn)激進的溝道長度縮放。自從在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中引入場效應(yīng)晶體管 (FET) 以來，理論和應(yīng)用電路技術(shù)已經(jīng)取得了多項改進。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
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連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
- ３月下旬，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導地位進面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設(shè)備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
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世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
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放大器設(shè)計：晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別
- 晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設(shè)計很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構(gòu)建許多有
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RS瑞森半導體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用
- 開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長中，開關(guān)電源憑借其70%~
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