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        3d x-dram 文章 最新資訊

        3D DRAM 設計能否實現(xiàn)?

        • 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
        • 關鍵字: DRAM  

        DRAM的變數(shù)

        • 一路暴跌的半導體行業(yè)在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發(fā)布最新數(shù)據(jù),第二季 DRAM 產業(yè)營收約 114.3 億美元,環(huán)比增長 20.4%,終結連續(xù)三個季度的跌勢。存儲作為行業(yè)的風向標,止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后,不知道還有多少變數(shù),又何時傳遞給整個半導體行業(yè)呢?經(jīng)歷低谷根據(jù) TrendForce 發(fā)布報告,2022 年第三季度 DRAM 行業(yè)營收為 181.9 億美元,環(huán)比下降 28.9%。2022 年第三季度,DRAM 供應商庫存快速堆積,為搶占第四季度的出貨市
        • 關鍵字: DRAM  

        美光 1-gamma 制程內存預計 2025 年上半年在臺量產

        • IT之家 9 月 4 日消息,據(jù)臺灣 《中央通訊社》 報道,臺灣美光董事長盧東暉表示,美光有多達 65% 的 DRAM 產品在臺灣生產,其中臺日團隊一起研發(fā)新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產,這是美光第 1 代采用極紫外光(EUV)的制程技術。據(jù)悉,美光現(xiàn)在只有在臺中有 EUV 的制造工廠,1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產,日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調,臺灣和日本是美光非常重要的制造中心,美光有多達 65% 的動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM
        • 關鍵字: 美光  DRAM  

        三星發(fā)布其容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產品

        • 2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術,開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就,這鞏固了三星在開發(fā)下一代DRAM內存技術領域中的地位,并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM(1)"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上,我們可以研發(fā)出實現(xiàn)1TB內存模組的解決方案
        • 關鍵字: 三星  12納米  DDR5  DRAM  

        3D NAND還是卷到了300層

        • 近日,三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
        • 關鍵字: V-NAND  閃存  3D NAND  

        3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構

        • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮,隨著技術在節(jié)點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展,因為它能推動存儲器技術的突破,而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產成本的降低。l  DRAM技
        • 關鍵字: 3D DRAM  泛林  

        被壟斷的NAND閃存技術

        • 各家 3D NAND 技術大比拼。
        • 關鍵字: NAND  3D NAND  

        3D 晶體管的轉變

        DRAM教父高啟全職業(yè)生涯又有新進展

        • 高啟全是全球 DRAM 領域最資深的人士之一。
        • 關鍵字: DRAM  

        基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

        • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案,該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU,主頻達到 150MHz,擁有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多個 Timer,多路 PWM,多種通信接口,支持 16 位的 ADC,資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機,支持 5 軸電機控制,支
        • 關鍵字: 3D 打印機  NXP  LPC5528  

        三季度DRAM和NAND閃存價格跌幅放緩

        • 今年 Q3,存儲產品價格有望迎來拐點。
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        三星電子 DRAM 內存和代工部門業(yè)績低迷,負責人雙雙被換

        • IT之家 7 月 5 日消息,據(jù)多個韓國媒體報道,三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工(DS)部門和 DRAM 部門負責人,被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現(xiàn)低迷、強化代工業(yè)務的手段”。首先,三星代工事業(yè)部技術開發(fā)部門副社長鄭基泰(Jegae Jeong)被任命為事業(yè)部最高技術負責人(CTO),而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時,負責存儲半導體中 DRAM 開發(fā)的部門負責人也被更換,由原本擔任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相俊(Hwang Sang-jun)接管,被業(yè)界解讀為對 HB
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

        • 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
        • 關鍵字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

        DRAM大廠:Q3產品價格可望回穩(wěn)?

        • 6月5日,DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元,月增加2.17%、年減少62.74%,仍創(chuàng)下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元,年減少66.42%。據(jù)中國臺灣媒體《中時新聞網(wǎng)》引述南亞科總經(jīng)理提到,DRAM市況預期第三季產品價格可望回穩(wěn)。南亞科總經(jīng)理認為,以今年整體狀況而言,DRAM需求成長率可能低于長期平均值,但DRAM是電子產品智能化的關鍵元件,未來各種消費型智能電子產品的推陳出新,加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
        • 關鍵字: DRAM  TrendForce  
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        3d x-dram介紹

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