三星電子 DRAM 內存和代工部門業(yè)績低迷，負責人雙雙被換

IT之家 7 月 5 日消息，據(jù)多個韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規(guī)人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現(xiàn)低迷、強化代工業(yè)務的手段”。

首先，三星代工事業(yè)部技術開發(fā)部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業(yè)部最高技術負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。

與此同時，負責存儲半導體中 DRAM 開發(fā)的部門負責人也被更換，由原本擔任戰(zhàn)略營銷部門副社長的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業(yè)界解讀為對 HBM 技術發(fā)展的關注。

目前，三星高級開發(fā)、設計和戰(zhàn)略營銷部門的負責人分別是 You Chang-shik、Oh Tae-young 和 Yun Ha-ryong。

此外，三星還將在負責家電和移動的設備體驗（DX）領域成立一個新的“高級開發(fā)團隊”，專注于未來技術。

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實際上，三星管理層通常只會在年中進行，這次突然對兩個部門的調整可能反映了該公司當前面臨的困難。目前，三星電子在代工市場上落后于臺積電，在內存方面也逐漸被 SK 海力士追上，未來更是面臨著長鑫存儲等新崛起的中國企業(yè)。

有韓國媒體表示，測算數(shù)據(jù)顯示三星電子 DRAM 產(chǎn)量已降至 2021 年第三季度以來的最低水平，公司 7 月已將 DRAM 月均產(chǎn)量削減至 62 萬片晶圓，同比減少 12% 以上。SK 證券研究員韓東熙預計，“從第三季度開始，內存庫存將全面下降。”

臺灣經(jīng)濟日報也認為，存儲器經(jīng)過一年的庫存調整，加上三星等減產(chǎn)效應逐漸顯現(xiàn)，法人預期 DRAM 有望在第三季度觸底、NAND Flash 則延后一季在第四季度觸底。

據(jù)悉，三星電子半導體部門 (DS) 僅第一季度就出現(xiàn)了 4.58 萬億韓元（IT之家備注：當前約 254.65 億元人民幣）的運營虧損，預計第二季度也將錄得 3 萬億韓元的赤字。

根據(jù)市場研究公司 Trend Force 的數(shù)據(jù)，三星電子今年第一季度的代工市場份額為 12.4%，比上一季度的 15.8% 下降了 3.4 個百分點。