2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c
DDR5 DRAM的量產準備，從明年開始供應產品，引領半導體存儲器市場發展?！惫疽?b DRAM
關鍵字：
SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
根據TrendForce集邦咨詢調查，受惠主流產品出貨量擴張帶動多數業者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內存）產業營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional
DRAM（一般型內存）合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung（三星）、SK
hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區四月初地震影響，以及HBM
關鍵字：
DRAM TrendForce 集邦咨詢
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態系
關鍵字：
imec High-NA EUV DRAM
8月7日消息，隨著移動設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業界最薄的LPDDR5X
DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優化印刷電路板（PCB）和環氧樹脂封裝技術，將LPDDR5X的厚度
關鍵字：
三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
近期在智慧手機、PC、數據中心服務器上，用于暫時儲存數據的DRAM價格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報價漲勢。 業者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產能增開，對一般型DRAM產生的排擠效應，加上產業旺季來臨，可帶動DRAM重啟漲勢。 據了解，6月指針性產品DDR4 8GB合約價約2.10美元、容量較小的4GB合約價1.62美元左右，表現持平，主要是供需雙方對價格談判，呈現拉鋸狀況。而另一方面，三星新一代HBM3E，據傳有望通過輝達（NVIDIA）認證，輝達GB200將于2025年放量，其
關鍵字：
HBM DRAM 美光
圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現科技創新實力2024年7月8日至10日，西安紫光國芯半導體股份有限公司（簡稱：紫光國芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國芯聚焦人工智能、高性能計算、汽車電子、工業控制、消費電子等重點領域，為客戶提供全方面的存儲產品及相關技術解決方案。展會現場重點展示了DRAM存儲系列產品、SeDRAM?技術和CXL技術、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產品系列DRAM KGD展區首次展示了紫
關鍵字：
紫光國芯 慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL
近日，據媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發展藍圖，目標2027年實現1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數經歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規劃較此前公布的時間早了近3年，據日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
關鍵字：
鎧俠 3D NAND堆疊
根據全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，由于通用型服務器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產比重進一步拉高，使供應商將延續漲價態度，第三季DRAM均價將持續上揚。DRAM價格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補庫存意愿漸趨保守，供應商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季，智能手機及CSPs仍具補庫存的空間，且將進入生產旺季，因此預計智能手機
關鍵字：
服務器 DRAM TrendForce
6月25日消息，據媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續創新。據最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數據意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
關鍵字：
SK海力士 3D DRAM
全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢觀察，2024年大型云端CSPs，如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商，將仍為采購高階主打訓練用AI
server的主力客群，以作為LLM及AI建?；A。待2024年CSPs逐步完成建置一定數量AI訓練用server基礎設施后，2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展，包含發展較為小型LLM模型，以及建置邊緣AI
server，促其企業客戶在制造、金融、醫療、商務等各領域應用落地。此外，因AI PC或NB在計算機設備基本架構組成與
關鍵字：
云端 CSPs 邊緣AI DRAM TrendForce
●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數據西門子數字化工業軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
關鍵字：
西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
內存大廠美光預計6月26日公布季報，自美光的高帶寬內存（HBM）開始供貨給輝達后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。 市場分析師預期，美光經營層將大談需求改善、行業供應緊張、價格進一步上揚，以及他們供應給輝達和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發展，提出對后市正向的看法。由于AI應用的需求，人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內存市場通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現象，意思是「害怕錯失機會」，在美光
關鍵字：
HBM DRAM 美光
中國臺灣美光內存后里廠20日下午5點34分發生火警，火勢快速撲滅，無人傷亡，美光昨深夜發出聲明指出，臺中廠火警廠區營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報，中國臺灣美光位在后里區三豐路的廠房發生火災，消防局抵達時廠區人員已將火勢撲滅，無人受傷，原因有待厘清。根據經濟日報報導，美光針對臺中廠火警一事發出聲明，經查證所有員工與承包商安全無虞，且廠區營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商，市占約19.2％，與前兩大三星及SK海力士合計市占達96％。美光高達65％的DRAM產品在中國臺灣生產，
關鍵字：
美光 DRAM
IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業已實現生產正常化的 NAND 閃存產業形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現 NAND 產線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務器、智能手機和 PC 產業復蘇緩慢導致的
關鍵字：
DRAM 閃存 三星 海力士
3d dram介紹
您好，目前還沒有人創建詞條3d dram!
歡迎您創建該詞條，闡述對3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473