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3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
買(mǎi)方采購(gòu)策略調(diào)整,1Q25 DRAM合約價(jià)走跌
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,2025年第一季進(jìn)入淡季循環(huán),DRAM市場(chǎng)因智能手機(jī)等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮,加上筆記本電腦等產(chǎn)品因擔(dān)心美國(guó)可能拉高進(jìn)口關(guān)稅的疑慮,已提前備貨,進(jìn)而造成DRAM均價(jià)下跌。其中,一般型DRAM(Conventional DRAM)的跌幅預(yù)估將擴(kuò)大至8%至13%,若計(jì)入HBM產(chǎn)品,價(jià)格預(yù)計(jì)下跌0%至5%。PC DRAM價(jià)格估跌幅為8-13%,Server DRAM則跌5-10%TrendForce集邦咨詢(xún)表示,2024年第四季PC OEM在終端銷(xiāo)售疲弱,DRAM價(jià)格反
- 關(guān)鍵字: DRAM TrendForce 集邦咨詢(xún)
李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺(jué)的愿景:World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能
- 斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用,多年來(lái)努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競(jìng)賽,挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類(lèi)別的物體和動(dòng)物。2012 年,一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動(dòng),它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了所有其他類(lèi)型的模型,并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起,神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開(kāi)始騰飛,由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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美國(guó)商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金,用于在該國(guó)生產(chǎn)芯片
- 12 月 11 日消息,美國(guó)商務(wù)部周二表示,作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分,美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元(當(dāng)前約 448.07 億元人民幣)的撥款,用于在美國(guó)制造半導(dǎo)體。該機(jī)構(gòu)表示,這筆資金將支持美光的“二十年愿景”,即在紐約投資約 1000 億美元、在愛(ài)達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠,并創(chuàng)造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國(guó)商務(wù)部還表示,美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外,美國(guó)商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議,將額外提供 2.75 億美元資金,用于擴(kuò)建
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界
- 12月5日消息,美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三,谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型,能夠創(chuàng)造出“無(wú)窮無(wú)盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2,是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級(jí)版。僅憑一張圖片和一段文字描述,例如“一個(gè)可愛(ài)的機(jī)器人置身于茂密的森林中”,Genie 2就能構(gòu)建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面,它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開(kāi)發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱(chēng),Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線3D測(cè)量和檢測(cè)的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具
- Teledyne DALSA推出在線3D機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用開(kāi)發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用,可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線上的3D測(cè)量和檢測(cè)任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類(lèi)型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描,是電動(dòng)汽車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)電池、電機(jī)定子等)、汽車(chē)、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動(dòng)化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具,用于
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量
- 據(jù)韓媒報(bào)道,稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破,在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠(PR)用量,降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱(chēng),此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠,而三星通過(guò)精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速(rpm)以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝,現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻膠,通常情況下一次工藝形成1層涂層,而使用更厚的光刻膠,三星可以一次形成多個(gè)層,從而提高工藝效率,但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商,為三星第7代(11微米)和第
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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
- 摘要隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小,較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響,未來(lái)可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來(lái)降低總電容,并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問(wèn)晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明,與6F2結(jié)構(gòu)相比,4F2結(jié)構(gòu)顯著降低了節(jié)點(diǎn)接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加,但它們?nèi)蕴幱谥С制骷_(dá)成目標(biāo)性能的合格水平。相比6F2器件,4F
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在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長(zhǎng)下,供應(yīng)商需謹(jǐn)慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
- DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫(kù)存去化和價(jià)格回升,價(jià)格動(dòng)能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示,由于部分供應(yīng)商在今年獲利后展開(kāi)新增產(chǎn)能規(guī)劃,預(yù)估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%,成長(zhǎng)幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)越趨復(fù)雜,除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外,又新增HBM品類(lèi)。吳雅婷指出,三大DRAM原廠中,SK hynix(SK海力士)因HBM產(chǎn)品
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北京君正:21nm DRAM新工藝預(yù)計(jì)年底推出
- 近日,北京君正在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)就DRAM的新工藝情況表示,21nm和20nm都有在研,預(yù)計(jì)21nm的今年年底會(huì)推出,20nm預(yù)計(jì)將于明年中前后推出,后續(xù)還會(huì)繼續(xù)進(jìn)行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關(guān)于存儲(chǔ)中各類(lèi)市場(chǎng)的收入占比情況,北京君正表示,汽車(chē)市場(chǎng)占比大概40%以上,工業(yè)和醫(yī)療今年市場(chǎng)景氣度差一些,去年占比超過(guò)30%,今年大概不到30%,剩下大約20%多的是通信和消費(fèi)等其他領(lǐng)域。存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格方面,北京君正的存儲(chǔ)產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場(chǎng),這個(gè)市場(chǎng)的價(jià)格變動(dòng)特點(diǎn)和消費(fèi)類(lèi)市場(chǎng)不同,這幾年行業(yè)市場(chǎng)存儲(chǔ)價(jià)格高點(diǎn)是2022年,2
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郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息,天風(fēng)證券分析師郭明錤昨日(11 月 5 日)在 Medium 上發(fā)布博文,深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報(bào)道,是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后,將不再把 DRAM 整合進(jìn) CPU 封裝。雖此事近來(lái)成為焦點(diǎn),但業(yè)界早在至少半年前就知道,在英特爾的 roadmap 上,后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉,鎧俠(Kioxia)宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果,將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM)上發(fā)表。聲明中稱(chēng),鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿(mǎn)足未來(lái)計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù):氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM(OCTRAM):該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā),通過(guò)改進(jìn)制造工藝,開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管,提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗,使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM(磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
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HBM對(duì)DRAM廠的貢獻(xiàn)逐季攀升
- TrendForce指出,隨著AI服務(wù)器持續(xù)布建,高帶寬內(nèi)存(HBM)市場(chǎng)處高成長(zhǎng)階段,平均售價(jià)約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍,待下一代HBM3e量產(chǎn),加上產(chǎn)能擴(kuò)張,營(yíng)收貢獻(xiàn)將逐季上揚(yáng)。TrendForce指出,HBM市場(chǎng)仍處于高成長(zhǎng)階段,由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務(wù)器,在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級(jí)下,HBM成為其中不可或缺的一環(huán),帶動(dòng)HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺(tái)將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
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三星開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM,助力下一代人工智能計(jì)算

- 三星電子今日宣布,已成功開(kāi)發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM(第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲(chǔ)器)。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率,這使得它成為眾多下一代應(yīng)用程序的理想選擇之一。三星半導(dǎo)體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能,24Gb GDDR7將廣泛應(yīng)用于需要高性能存儲(chǔ)解決方案的各個(gè)領(lǐng)域,例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站,這將進(jìn)一步擴(kuò)展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機(jī)和自動(dòng)駕駛等傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域之外的應(yīng)用范圍。三星電子存儲(chǔ)器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊(duì)執(zhí)行副總裁裴永哲(Bae YongCh
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臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)
- 臺(tái)積電OIP(開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái))于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開(kāi),除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外,更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新,并提高EDA工具的通用性。 臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示,將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn),幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑,與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作,推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 OIP 3D IC設(shè)計(jì)
TrendForce:內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔
- 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查,消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫,中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī),出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情形,筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買(mǎi),市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象,導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱,第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30%。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤,但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示,2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類(lèi)NAND Flash零售通路的出貨量,已大幅年減40%,反映出全球消費(fèi)性?xún)?nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響,但202
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3d dram介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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