Zivid最新SDK2.12正式發布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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Zivid 3D 機器人
AI、大數據等應用催生海量存儲數據需求，也對存儲技術提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數突破。近期，韓媒報道，三星電子預計將于本月晚些時候量產第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產了236層第八代V-NAND閃存，即將量產的第九代V-NAND閃存將繼續使用雙閃存堆棧的結構，層數將達到290層。另據業界預測，三星未來第十代V-NAND層數有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結構。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發力1000層閃存。三星計劃2030年
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存儲器 DRAM TrendForce
IT之家 4 月 12 日消息，美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告，預計本月初的臺灣地區地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個位數百分比”的影響。美光在臺灣地區設有桃園和臺中兩座生產據點。根據 TrendForce 集邦咨詢此前報告，地震導致當時桃園產線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙，設施、基建和生產工具未遭受永久性損害，長期 DRAM 內存供應能力也沒有遇到影響。直至公告發稿時，美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產，但得
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DRAM 閃存 美光
在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業
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3D DRAM
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
怎么證明企業對某個市場的未來充滿信心？頻繁來華喊口號還是推定制芯片？一邊提升銷售預期一邊減少研發團隊？或者是縮減產能加大宣傳力度？商業行為還真是要靠真金白銀才能體現誠意，對中國市場最有信心的表示當然是加大中國市場的投資力度。 3月27日，美光科技舉辦了新廠房動工奠基儀式，宣告2023年6月公布的美光西安工廠價值43億元人民幣的擴建工程正式破土動工，該項目是2020年以來國外半導體企業在國內最大的工廠投資建設工程。據悉，這個項目除了加建新廠房，還會引入全新產線，制造更廣泛的產品解決方案，例如移動DRAM、N
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美光 DRAM
IT之家 3 月 14 日消息，據韓媒 NEWSIS 報道，三星電子否認了近日路透社的說法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產 HBM 內存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過回流焊一次性粘合，然后同時用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
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三星 MR-RUF DRAM HBM
韓國媒體 TheElec報道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。三星最近測試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲器的MUF 技術，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據悉，MUF 是一種在半導體上打上數千個微小的孔，然后將上下層半導體連接的硅穿孔 (TSV)
技術后，注入到半導體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個半導體牢固地固定并連接起來。而經過測試后獲得的結論，MUF 不適用于高頻寬存儲器
(HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存儲 DRAM MUF技術
三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。 &n
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三星 HBM3E DRAM 人工智能
從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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3D DRAM 存儲
據 IDC 預測，從 2021 年到 2027 年，作為數字孿生的新型物理資產和流程建模的數量將從 5% 增加到 60%。盡管將資產行為中的關鍵要素數字化并非一種全新概念，但數字孿生技術從精確傳感到實時計算，再到將海量數據轉為深度洞察，從多方面進一步推動了設備和運營系統優化，從而實現擴大規模并縮短產品上市時間。此外，啟用人工智能/機器學習 (AI/ML) 模型將有助于提高流程效率、減少產品缺陷，實現出色的整體設備效率 (OEE)。當我們了解了上述需求的復雜性和面臨的挑戰，就能意識到內存與存儲對于實現數字孿
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數字孿生 DRAM 機器學習
三星稱其已經在美國硅谷開設了一個新的內存研發（R&D）機構，專注于下一代3D DRAM芯片的開發。該機構將在設備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運營，由三星設備解決方案部門首席技術官、半導體研發機構的主管Song Jae-hyeok領導。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發新的技術、新的產品，以保持他們在這一領域的優勢。三星去年9月推出了業界首款且容量最高的32 Gb
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三星 內存 DRAM 芯片 美光
韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉，考慮在第一季增產部分特殊DRAM，市場擔心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產提價共識，恐不利后續DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現較大盤弱勢。惟業界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
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存儲器 DRAM TrendForce
TrendForce集邦咨詢表示，2024年第一季DRAM合約價季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續領漲。目前觀察，由于2024全年需求展望仍不明朗，故原廠認為持續性減產仍有其必要，以維持存儲器產業的供需平衡。PC
DRAM方面，由于DDR5訂單需求尚未被滿足，同時買方預期DDR4價格會持續上漲，帶動買方拉貨動能延續，然受到機種逐漸升級至DDR5影響，對DDR4的位元采購量不一定會擴大。不過，由于DDR4及DDR5的售價均尚未達到原廠目標，加上買方仍可接受第一季續漲，故預估整體PC
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