SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’

SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發(fā)僅十個月之后的成果。        
  圖1. SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM, HBM2E    

SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs,  輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through  Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。

HBM2E擁有超高速、高容量、低能耗等特性，是適合深度學習加速器（deep learning  accelerator）、高性能計算機等需要高度計算能力的新一代人工智能（AI）系統(tǒng)的存儲器解決方案。與此同時，HBM2E將適用于在未來主導氣候變化、生物醫(yī)學、宇宙探索等下一代基礎(chǔ)、應(yīng)用科學領(lǐng)域研究的Exascale  超級計算機（能夠在一秒內(nèi)執(zhí)行一百億億次計算的計算機）。

 
  圖2. SK海力士成員慶祝HBM2E量產(chǎn)    

吳鐘勛SK海力士副社長兼首席營銷官（Chief Marketing Officer,  CMO）表示：“SK海力士通過開發(fā)世界第一款HBM（High Bandwidth  Memory）等成果一直引領(lǐng)著有助于人類文明發(fā)展的新一代技術(shù)革新。公司將通過本次HBM2E量產(chǎn)強化高端存儲器市場上的地位，并倡導第四次工業(yè)革命。”  

注解

• HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）
  -相較傳統(tǒng)DRAM，借助TSV技術(shù)飛躍性地提升數(shù)據(jù)處理速度的高性能、高帶寬存儲器產(chǎn)品

• TSV（Through Silicon Via，硅通孔技術(shù)）
  - 在DRAM芯片打上數(shù)千個細微孔并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術(shù)
  - 該技術(shù)在緩沖芯片（buffer chip）上將數(shù)個DRAM芯片堆疊起來，并通過貫通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號、指令、電流。
  - 相較傳統(tǒng)封裝方式，該技術(shù)能夠縮減30%體積，并降低50%能耗。

• 數(shù)據(jù)處理速度換算規(guī)則
  - 1GB = 8Gb
  - 以每個pin 3.6Gbps的速度通過1,024個數(shù)據(jù)I/Os進行運算 = 3686.4Gbps
  - 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB換算)