- Spansion宣布開發稱作Spansion EcoRAM的全新存儲產品計劃,旨在通過取代數據中心服務器中極其耗能的DRAM,來解決日益加劇的互聯網數據中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術,Spansion EcoRAM有助于使互聯網數據中心服務器的能耗大幅下降75%,而且在同樣的能耗條件下,存儲容量為傳統純DRAM型服務器的四倍。
數據中心能源危機
能效專家及斯坦福大學顧問教授Jonathan Koomey博士最近的報告指出,數據中
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存儲 Spansion 數據中心 DRAM
- 全球最大的純閃存解決方案供應商Spansion(NASDAQ:SPSN)今天宣布開發稱作Spansion® EcoRAM™的全新存儲產品計劃,旨在通過取代數據中心服務器中極其耗能的DRAM,來解決日益加劇的互聯網數據中心能耗危機。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術,Spansion EcoRAM有助于使互聯網數據中心服務器的能耗大幅下降75%,而且在同樣的能耗條件下,存儲容量為傳統純DRAM型服務器的四倍。
數據中心能源危機
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Spansion 閃存 中心服務器 能耗 EcoRAM DRAM
- MEMS產品的世界領先廠商意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一款全新3D方位傳感器,是ST計劃開發的新系列傳感器產品的首款產品。通過在一個簡單易用的表面貼裝封裝內整合多項傳統傳感器功能,ST計劃開發一系列重要的多功能MEMS傳感器。全新FC30芯片集成3D方位和鼠標單擊/雙擊檢測功能,使設計人員能夠在產品設計內集成鼠標按鍵控制功能。
“FC30是一系列全新多功能傳感器的首款產品,以完整的轉鑰解決方案,讓客戶在系統微控制器上簡化系統復雜性,降低處理開銷。”意法半導
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ST 3D 傳感器 MEMS
- 6月20日消息,據中國臺灣媒體報道,繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現問題后,三星的68納米DRAM日前也曝出問題,導致8000萬顆1GB DDR2被客戶退回。
今年4月,因Hynix 66納米工藝良率不高,導致大批1GB DDR2晶圓報廢。日前,三星也曝出同樣的問題。有消息稱,三星有8000萬顆瑕疵1GB DDR2被OEM廠商退回。
對此,下游客戶表示出了一絲擔心,三星將如何處理這批瑕疵產品呢?如果以較低價格傾銷到現貨市場,那勢必將對該市場價格產生劇烈影響。目前,三星并未給出具體
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三星 DRAM 晶圓
- 半導體產業是否進入了“無利潤繁榮”時代?半導體產業是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產能需求?在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產業戰略座談會”(SEMIIndustryStrategySymposium)上,LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產業的狀態發表了觀點,并指出目前復雜的財務狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
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半導體 DRAM NAND NOR
- 6月19日消息,據國外媒體報道,閃存制造商SanDisk公司近日發布了報送給美國證券交易委員會的一份報告,該報告稱,SanDisk將與東芝公司合作,共同開發和制造可重寫3D內存。
SanDisk公司稱,兩家公司將共同致力于3D內存芯片的開發和生產,并共享與開發項目有關的專利許可技術。作為合資企業一部分,東芝將向SanDisk支付許可費用。
雙方合資最終將導致一種可替代NAND閃存的新型內存技術,SanDisk是NAND型閃存的主要生產商之一。后者被iPod、iPhone、數碼相機和其他設備
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SanDisk 東芝 3D 內存 芯片
- 市場調研機構Gartner公司最近發布報告,稱由于受到美國經濟低迷和DRAM芯片市場拖累,預計2008年全球半導體廠商支出將下降19.8%,達475億美元。
Gartner公司負責半導體制造業務調查的副總裁Klaus Rinnen表示,“原來所預測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了,大多數廠商選擇了從緊的投資策略。就當前的市場行情,預計今年DRAM市場支出將減少47%,而整個存儲芯片市場費用支出將減少29%”。
Gartner還稱,預計今年全球用于芯片設
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半導體 DRAM NAND 存儲芯片
- 6月13日消息,AMD稱,它將按計劃推出代號為“Kuma”的雙核處理器,否認某些型號的“Kuma”處理器已經取消的猜測。
AMD發言人Jake Whitman說,這種猜測完全是不真實的。我們仍將按計劃在2008年下半年推出代號為“Kuma”的處理器。這種處理器仍采用65納米生產工藝,仍以Star的內核為基礎。
AMD發言人稱,不像某些文章說的那樣,“Kuma”處理器與代號為“Phen
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- NAND和mDRAM激增,NOR-less機型增多
手機內存內容是否正在發生根本性變化?
在相對較短的時間內,隨著手機從商用工具發展成隨處可見的大眾通信工具,手機所使用的內存一直基于NOR閃存與SRAM的組合,最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是,這種內存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰。
這種轉變的背后,是因為市場需要大容量、低成本數據存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻,NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機RAM
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- 磁阻式隨機存儲器(MRAM)將優于快閃記憶體(Flash閃存)?飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。
根據消息,飛思卡爾半導體(前摩托羅拉公司芯片部門)周一宣布,它已經獲得了幾個風險投資公司的加入。據悉他們將聯合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術公司,側重于研發制造MRAM(磁阻式隨機存儲器),其目的是為了“擴大MRAM及其相關產品的市場份額”。
MRAM與快閃記憶體不同,它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
- 由于處境不佳的電腦內存市場今年預計僅會溫和復蘇,考慮押注全球芯片產業的投資者可能打算把資金投向快速增長的模擬芯片領域。用于便攜產品的閃存價格似乎正在趨穩,但參加路透全球技術、媒體與電信峰會的高管們表示,他們對于該產業何時復蘇不太確定。
分析師預計今年全球DRAM銷售額下降10%,2009年增長約20%。主要DRAM供應商三星(Samsung)電子和海力士(Hynix)半導體的DRAM價格自4月以來反彈,促使業內高管預期市場供需在今年下半年恢復平衡。
閃存價格持平
全球第二
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- 5月27日消息,隨著供過于求的緩解,三星預計計算機內存價格在今年晚些時候會出現反彈。
據國外媒體報道稱,新上任的三星電子內存業務主管Kwon Oh Hyun今天在一次會議上表示,內存芯片價格將不再“處于底部”。但內存產業今年下半年的前景仍不明朗。
德意志銀行曾預計內存產業已經處于波谷,供應增長的明顯減速將使得價格有望在2009年結束前出現反彈,Kwon的評論正好與德意志銀行的預計相符。
在內存生產廠商上季度因存貨過多導致包括三星在內的主要廠商出現虧損后,DRA
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三星 內存 波谷 價格 DRAM
- 近期記憶體業者常幽默指出,以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產業可能只有2種方法可帶動價格,一是每年1次的晶圓廠跳電事件,帶來的“自然減產機制”,使得上游供給減少,二是記憶體廠制程凸捶,導致的供給大減,尤其DRAM產業這么依賴個人電腦(PC)的成長性,很難再出現需求大好的情況,只好想盡辦法讓供給減少,維持價格秩序。
意外事件+制程出錯 穩定價格的捷徑
2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火,導致NAND Fla
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- 美光有可能買下奇夢達所持有的臺灣DRAM廠華亞科技的股權。對此,華亞科技大股東南科表示,針對華亞科技的股權處置,南科與奇夢達仍在協商中,尚未定案。
外電報道指出,美光決定與臺灣DRAM大廠南科結盟,兩公司計劃在臺合資成立亞美科技,預計2009年底前各自投資現金5.5億美元后,美光有可能進一步買下奇夢達所持有的華亞科技35%股權。
針對美光將買下奇夢達所持華亞科技股權事宜,華亞科總經理高啟全表示,南科與奇夢達等兩大股東正針對華亞科股權處置事宜進行協商,至于結果由誰買下對方股權及資金來源,目前
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- 今年第一季度,芯片代工企業大多贏利艱難,臺積電憑借雄厚的實力試圖甩開競爭對手。中芯國際為避免持續虧損,毅然放棄了DRAM代工業務。
進入2008年以來,受全球半導體產業增長緩慢、北美市場持續疲軟的影響,半導體芯片代工行業處境依舊艱難。對全球前四大代工廠公布的2008年第一季度財報進行分析可以看出,在該季度,除領頭羊臺積電有較大幅度增長之外,其他廠家都在為贏利而掙扎,
有的還處在產品線轉型的陣痛之中。不過,通信和消費電子產品市場的增長也給業內人士帶來一絲寬慰,這或許預示著半導體產業將走入新的
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