磁阻式隨機存儲器將挑戰閃存

　　磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。

　　根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經獲得了幾個風險投資公司的加入。據悉他們將聯合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術公司，側重于研發制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關產品的市場份額”。

　　MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高速讀寫能力，以及Flash不揮發性的特性，在Cell面積上也和DRAM比例相近，而重復讀寫次數和DRAM、SRAM相同，操作電壓也近似，可說是集各種記憶體優點于一體的產品。它的主要競爭對手是快閃記憶體，目前一些公司如三星、東芝、Intel正在不斷開發更快更高容量的閃存式存儲裝置。

　　據悉飛思卡爾半導體將把MRAM的相關知識產權移交給Everspin科技，而Everspin的后盾則是風險投資公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。分離后的Everspin將負責推廣MRAM同時作為一個主要的MRAM供應商存在，飛思卡爾的嵌入式產品也將采用everspin提供的MRAM產品。