- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存,據爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份,據歐洲電子新聞網報道,西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知,固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
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V-NAND 閃存 3D NAND
- 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備,如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮,隨著技術在節點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發展,以提高單位面積的存儲單元數量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l 這一趨勢有利于整個行業的發展,因為它能推動存儲器技術的突破,而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案,該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內核的高性能 MCU,主頻達到 150MHz,擁有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多個 Timer,多路 PWM,多種通信接口,支持 16 位的 ADC,資源豐富。 該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機,支持 5 軸電機控制,支
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3D 打印機 NXP LPC5528
- 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Teledyne Vision China 3D AI成像
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數據還合作開發具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
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- 【前言】打印機是我們工作和生活中常見的一類OA產品,根據不同的工作方式,主流的打印機可以分為:激光打印機、噴墨打印機和針式打印機。相比噴墨打印機和針式打印機,激光打印機具有分辨率高、打印速度快、堅固耐用等特點,因此被廣泛地應用于銀行、學校、政府機構、醫療機構、保險、大型企業等場景中。近年來,隨著中國國內的激光打印機產品研發速度加快,不斷孕育出新的市場需求,中國激光打印機的市場需求越來越大。圖1 | 激光打印機示意圖?激光二極管被稱為打印機的光之“筆”激光打印機脫胎于上世紀八十年代末的激光照排技術
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- 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結構?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
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3D DRAM 存儲器
- 據外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現有
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存儲 3D DRAM
- 國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注?!?D InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
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芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
- 國內EDA行業領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現,近日在半導體行業國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產品的設計,這一事件引起了我們極大的關注。“3D?InCites創始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
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- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝(用于移動應用程序、數據中心和人工智能)的性能,就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料,包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料,以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺,包括一個或多
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