近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是
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長江存儲 3D NAND
頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現量產。長江存儲一直是我們優秀的國產存儲芯片企業，從成立之初便保持了一個高速的發展狀態。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發，并在2020年正式宣布研發成功，它是業內首款128層QLC規格的3D N
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長江存儲 3D NAND
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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3D 圖像傳感器
增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度傳感
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉過來，亦即在幾秒鐘內將一組靜態影像變成數字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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3D CPU GPU NVIDIA
TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面
(GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個 3D 打印旋轉和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
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精密數模轉換器 霍爾效應傳感器 3D
按照摩爾定律進一步縮減晶體管特征尺寸的難度越來越大，半導體工藝下一步發展走到了十字路口。在逼近物理極限的情況下，新工藝研發的難度以及人力和資金的投入，也是呈指數級攀升，因此，業界開始向更多方向進行探索。
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摩爾定律 3D 堆疊技術
1? ?幾種3D深度感知技術比較3D深度感知主要有3個技術方向：雙目立體，結構光，飛行時間（ToF），結構光起步比較早，但是技術的局限性較大，而雙目立體的發展速度較快，勢頭迅猛。從物理原理上，雙目立體和結構光二者都用了三角測距，但是雙目立體是依靠自然的紅外反射在攝像頭上產生特征點，來計算對象物深度的數據。結構光需要有一個發射光的發射源，帶編碼的光到了對象物體再反射回來來計算這個深度。結構光的弱點是在室外時，結構光發射帶編碼的光經常受到環境的干擾；而雙目立體不容易受到室外光的干擾，因此室
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3D 雙目 深度
AMD展示了最新的運算與繪圖技術創新成果，以加速推動高效能運算產業體系的發展，涵蓋游戲、PC以及數據中心。AMD總裁暨執行長蘇姿豐博士發表AMD在高效能運算的最新突破，揭示AMD全新3D chiplet技術；與業界領導廠商特斯拉和三星合作，擴大了AMD運算與繪圖技術在汽車與手機市場的應用；新款AMD Ryzen處理器瞄準狂熱級玩家與消費性PC；最新AMD第3代EPYC處理器所帶來領先的數據中心效能；以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術。 AMD總裁暨執行長蘇姿豐展示AMD全新3D chi
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3D Xpoint技術是美光與英特爾共同開發的一種非易失性存儲技術。據悉，3D Xpoint的延遲速度僅以納秒計算，比NAND閃存速度提升1000倍，耐用性也更高，使得在靠近處理器的位置存儲更多的數據成為可能，可填補DRAM和NAND閃存之間的存儲空白。
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作為傳感器領域風頭最勁的企業，ams（艾邁斯半導體）通過技術積累和持續的并購戰略逐漸成為各類傳感器領域的領導者，特別是經過收購歐司朗之后，進一步實現了公司業務規模的擴大和業務領域的平衡，使得ams在各個核心領域上都有非常好的市場地位。 經過對歐司朗的收購之后，ams聚焦在三大核心技術領域，主要包括傳感、照明（光源）以及可視化，即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區銷售和市場高級副總裁陳平路表示，隨著5G時代帶來的技術和產業的革新非常看好iToF、
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作為全球工業機器視覺領域的領導者之一，康耐視公司近日宣布推出In-Sight 3D-L4000 嵌入式視覺系統。這是一款采用3D激光位移技術的創新型智能相機，能幫助用戶快速、準確且經濟高效地解決自動化生產線上的一系列檢測應用難題。“一直以來，3D檢測系統對于大多數用戶來說面臨兩個問題：產品操作復雜、使用成本昂貴，”康耐視3D事業部經理John Keating表示，“而In-Sight 3D-L4000視覺系統很好的解決了這兩個痛點，其提供了大量的3D視覺工具套件，使3D檢測能夠像行業先進的In-
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