32gb ddr5 文章 最新資訊
DDR4退場，國產(chǎn)CPU面臨小考
- DDR4 漲瘋了。自 5 月初開始，DDR4 持續(xù)漲價。熱門料號如 DDR4 16Gb 3200MHz 價格由 5 月 6 日當周的 2.4 美元上漲至本周的 6.4 美元，漲幅超過 160%。甚至，相同內(nèi)存條件下，DDR4 的價格比 DDR5 更貴，形成了少見的「價格倒掛」現(xiàn)象。業(yè)內(nèi)人士評價：「從來沒見過，即將停產(chǎn)的 DDR 內(nèi)存芯片在停產(chǎn)時，價格飆得如此之高。」作為與 CPU 直接交互的存儲介質(zhì)，DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率隨機存儲器）的技術(shù)規(guī)格直接決定了 CPU 算力的釋放上限
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 模塊價格超過 DDR5；關(guān)稅擔(dān)憂可能引發(fā)恐慌性購買
- 根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，DDR4 模塊的價格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來，短期內(nèi)一個關(guān)鍵的關(guān)注點是新的美國關(guān)稅是否會被實施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存，由于國家補貼驅(qū)動的早期需求拉動，618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：現(xiàn)貨市場價格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠比 DDR5
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DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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用于DDR5 PMIC的屏蔽式功率電感器
- Bourns 開發(fā)了兩款具有納米晶內(nèi)核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)的功率損耗。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽式功率電感器具有低交流電阻 （ACR） 和低直流電阻 （DCR），可滿足最新的 DDR5 內(nèi)存技術(shù)規(guī)格，例如 DDR5 電源管理集成電路 （PMIC） 和臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端 DDR5 模塊中的規(guī)格。SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列電感器采用屏蔽結(jié)構(gòu)制造，可實現(xiàn)低磁場輻射和納米晶磁芯，以支持高電
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4供應(yīng)緊張大幅漲價 DDR5 逐步啟動
- 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格相比 DDR5 產(chǎn)品的價格上漲幅度更大。至于 NAND 閃存，買家放慢了詢價和交易的速度。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與合約市場的情況類似，現(xiàn)貨市場顯示，由于預(yù)期未來供應(yīng)趨緊，DDR4 產(chǎn)品的價格與 DDR5 產(chǎn)品的價格相比上漲幅度更大。DDR5 產(chǎn)品的價格也繼續(xù)逐步上漲，因為模塊公司急于增加庫存。TrendForce 集邦咨詢相信，整體而言，現(xiàn)貨價格在整個 2Q25
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Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2內(nèi)存IP系統(tǒng)解決方案，助力云端AI技術(shù)升級
- 楷登電子（美國 Cadence 公司）近日宣布率先推出基于臺積公司 N3 工藝的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 內(nèi)存 IP 解決方案。該新解決方案可滿足業(yè)內(nèi)對于更大內(nèi)存帶寬的需求，能適應(yīng)企業(yè)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中前沿的 AI 處理需求，包括云端 AI。Cadence? DDR5 MRDIMM IP 基于 Cadence 經(jīng)過驗證且非常成功的 DDR5 和 GDDR6 產(chǎn)品線，擁有全新的可擴展、可調(diào)整的高性能架構(gòu)。此 IP 解決方案已與人工智能、高性能計算和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的多家領(lǐng)先客戶建立合作
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DDR4加速退場，DDR5成為主流
- 三星已向其供應(yīng)鏈傳達消息，多款基于1y nm（第二代10nm級別）工藝制造的DDR4產(chǎn)品本月即將停產(chǎn)，以及1z nm（第三代10nm級別）工藝制造的8Gb LPDDR4也將進入EOL階段。與此同時，美光已通知客戶將停產(chǎn)服務(wù)器用的舊版DDR4模塊，而SK海力士也被傳將DDR4產(chǎn)能削減至其生產(chǎn)份額的20%。這意味著內(nèi)存制造商正加速產(chǎn)品過渡，把更多資源投向HBM和DDR5等高端產(chǎn)品。ddr4和ddr5的區(qū)別· 帶寬速度：DDR4帶寬為25.6GB/s，DDR5帶寬為32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度為
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瀾起科技Q1利潤翻倍！DDR5市占全球第一
- 4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺兩大產(chǎn)品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產(chǎn)品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務(wù)器平臺產(chǎn)品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業(yè)績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
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SK海力士完成基于CXL 2.0的DDR5客戶驗證， 引領(lǐng)數(shù)據(jù)中心存儲技術(shù)創(chuàng)新
- 2025年4月23日，SK海力士宣布，公司成功完成CMM（CXL Memory Module）- DDR5 96GB（千兆字節(jié)）產(chǎn)品的客戶驗證，是基于CXL* 2.0標準的DRAM解決方案產(chǎn)品。SK海力士表示：“將此產(chǎn)品應(yīng)用于服務(wù)器系統(tǒng)，相較于現(xiàn)有的DDR5模組，其容量增長了50%，寬帶擴展了30%，可處理每秒最多36GB的數(shù)據(jù)。該產(chǎn)品有望顯著降低客戶在構(gòu)建并運營數(shù)據(jù)中心時所需的總體擁有成本*。”繼96GB產(chǎn)品驗證，公司正在與其他客戶開展128GB產(chǎn)品的驗證流程。該產(chǎn)品搭載第五代10納米級（1b）32Gb
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瑞薩率先推出第二代面向服務(wù)器的DDR5 MRDIMM完整內(nèi)存接口芯片組解決方案
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的DDR5 MRDIMM。它們的運行速度高達每秒12,800兆次傳輸（MT/s）；與第一代解決方案相比內(nèi)存帶寬提高1.35倍。瑞薩與包括CPU和內(nèi)存供應(yīng)商在內(nèi)的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者以及終端客戶合作，在新型MRDIMM的設(shè)計、開發(fā)與部署方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。瑞薩設(shè)計并推出三款全新關(guān)鍵組件：RRG
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芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀錄
- 10 月 30 日消息，芝奇國際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀錄，由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績，通過液態(tài)氮極限超頻技術(shù)，創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀錄。該紀錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存，搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下：此成績已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z，超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
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消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)
- IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲器市場發(fā)展。”公司以1b DRAM
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