據臺媒《經濟日報》報道，晶圓代工廠臺積電2nm制程將于2025年量產，市場看好進度可望領先對手三星及英特爾。臺積電先進制程進展順利，搭配FINFLEX架構的3nm將在今年下半年量產，升級版3nm（N3E）制程將于3nm量產一年后量產，即2023年量產。先進封裝部分，首座全自動化3DFabric晶圓廠預計于2022年下半年開始生產。雖然在3nm世代略有保守，但無論如何，FinFET寬度都已經接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。所以外資法人預估臺積電2nm先進制程將采用環繞式閘極場效電晶體GAAFET高端架構生
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臺積電 2nm
在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產，這一次三星終于領先臺積電率先量產新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會量產。根據三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現。與5nm相比，新開發的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計劃，3nm GAP工藝之后就會迎
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三星 2nm GAP
日前，臺積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術指標，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯，但臺積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實際中也能達到70-80%以上才能算新一代工藝。臺積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術有關，畢竟這是新一代晶體管結構，考驗很多。
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臺積電 2nm
據國外媒體報道，推進3nm制程工藝今年下半年量產的臺積電，在更先進的2nm制程工藝的研發方面已取得重大進展，預計在明年年中就將開始風險試產 ——?也就意味著臺積電2nm制程工藝距量產又更近了一步。業界估計，臺積電2nm試產時間點最快在2024年，并于2025年量產，之后再進入1nm以及后續更新世代的“埃米”制程。臺積電去年底正式提出中科擴建廠計劃，設廠面積近95公頃，總投資金額達8000億至10000億元新臺幣，初期可創造4500個工作機會。以投資規模及近百公頃設廠土地面積研判，除了規劃2nm廠
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臺積電 2nm 制程 工藝
6月6日消息，據臺灣經濟日報報道，臺積電將砸1萬億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴大2nm產能布局，有望在中清乙工建設半導體產業鏈園區。 臺積電總裁魏哲家在4月14日召開的法說會上表示，臺積電2nm預期會是最成熟與最適合技術來支持客戶成長，臺積電目標是在2025年量產。 臺積電將在2nm的節點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
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臺積電 2nm
由于半導體芯片產能緊缺，臺積電此前宣布三年內投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長的需求太高，現在連建筑用的磚塊都要搶購了。據《財訊》報道，這兩年芯片產能緊缺，但是比芯片產能更缺的還有一種建材——白磚，連臺積電都得排隊搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環保、便利等優點，重量只有傳統紅磚的一半左右，是很多工廠及房產建設中都需要的材料。對臺積電來說，一方面它們自己建設晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們在當地某個城市建設晶圓廠，往往還會
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臺積電 3nm 2nm 晶圓廠
此前有消息稱英特爾已經拿了臺積電3nm一半產能，近日，則有消息稱英特爾現在又要跟臺積電合作開發2nm工藝。英特爾不僅可能會將3nm制程工藝交給臺積電代工，同時也開始跟臺積電討論合作開發2nm工藝。不過這一說法還沒有得到英特爾或者臺積電的證實，考慮到這是高度機密的信息，一時間也不會有官方確認的可能。據悉，臺積電3nm的量產時間預計2022年四季度啟動，且首批產能被蘋果和英特爾均分。至于未來的2nm工藝，臺積電將在2nm節點推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構并采用新的材料，預計會在2025年
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英特爾 臺積電 2nm
韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調宣布，2025年投入2奈米量產，再度確認將導入新一代環繞閘極技術(GAA)電晶體架構，搶在臺積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產，劍指臺積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會中提到三星過去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎上導入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎，在2023年時要導入第二代的3奈米制程，并于2025年導入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規劃
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三星 2nm
在目前的芯片領域，三星和臺積電憑借著先進的工藝，相互不分上下，而近期在三星的公開場合中，曝光了三星最新的工藝技術。官方宣稱，三星的3nm工藝上分為兩個版本，分別在2022和2023年量產，而對比于5nm，三星的3nm工藝能夠讓芯片面積縮小35%，相同單位功耗的情況下性能可提升30%，而功耗也將降低50%左右。而2nm的工藝還沒有出現在會中，但有消息稱2nm將會在2025年量產。
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三星 2nm
芯研所消息，臺積電的2nm芯片工藝計劃上線，但是由于環評專案小組的初審，建廠計劃未能放行，還需要等8月31日之前補正后再審核。在全球先進工藝量產上，臺積電一枝獨秀，5nm、3nm工藝已經領先，再下一代工藝就是2nm了，會啟用全新GAA晶體管，技術升級很大，光是工廠建設就要200億美元。臺積電不過臺積電的2nm工廠建設計劃現在遇到了阻力。消息稱，新竹科學園區擬展開寶山用地第二期擴建計劃，環保部門于25日下午召開環評專案小組第三次初審會議，水、電以及廢棄物清理等議題受到關注，專案小組歷經逾三小時審議后，最終仍
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2nm 臺積電
半導體技術的重要性已經無需多提，現在美國、中國、日本、韓國等國家和地區都在大力投資先進半導體工藝，不希望自己被卡脖子，歐盟現在也清醒了，希望搞定2nm工藝。據報道，歐盟市場專員蒂埃里·布雷頓（Thierry Breton）日前在采訪中表示，歐盟需要恢復以前的市場份額，以滿足行業的需求。他還提到，多年來歐盟在半導體制造業中的份額下降了，因為該地區過于幼稚、過于相信全球化。歐盟委員會制定的計劃中，希望2030年將芯片產量翻倍，市場份額提升到20%，為此歐盟正在爭取歐洲地區先進芯片制造商的支持，目前至少有22個
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2nm 半導體制造
藍色巨人出手就是王炸。 5月6日消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。 核心指標方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百萬顆晶體管）為333.33，幾乎是臺積電5nm的兩倍，也比外界預估臺積電3nm工藝的292.21 MTr/mm2要高。 2nm晶圓近照 換言之，在150平方毫米也就是指甲蓋大小面積內，就能容納500億顆晶體管。 同時，IBM表示，在同樣的電力消耗下，其性能比當前7nm高出45%，輸出同樣性能則減少75%的功耗。 實際上，I
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IBM 2nm EUV
全球最大的晶圓代工廠，擁有近500個客戶，這就是他們的獨特之處。一方面，公司幾乎可以為提出任何需求的所有客戶提供服務；另一方面，就容量和技術而言，他們必須領先于其他任何人；就產能而言，臺積電（TSMC）是不接受任何挑戰，而且未來幾年也不會臺積電今年300億美元的資本預算中，約有80％將用于擴展先進技術的產能，例如3nm，4nm / 5nm和6nm / 7nm。分析師認為，到今年年底，先進節點上的大部分資金將用于將臺積電的N5產能擴大，擴大后的產能將提到至每月110,000?120,000個晶圓啟動（WSP
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2nm 3nm 晶圓 代工
前兩天，臺媒報道稱臺積電將投資187億人民幣在南京廠建置月產4萬片的28nm產能，據悉，該計劃將于不久后正式啟動，新產能預計在2022年下半年開始逐步產出，并于2023年實現月產4萬片的目標。當臺積電傳來擴增28nm產能的消息時，大部分人對此感到非常驚訝，在更多人眼中，臺積電作為全球工藝最先進的芯片制造商，在全球都在沖刺2nm工藝的時候，它也應該大力投資3nm、2nm，甚至是更加先進的工藝，而卻不曾想臺積電居然選擇斥巨資投資28nm這樣成熟的工藝。事實上，投資28nm工藝只是臺積電的計劃之一，而其從始至終
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2nm 臺積電 中芯國際
做為全球最大最先進的晶圓代工廠，臺積電在7nm、5nm節點上領先三星等對手，明年面還會量產3nm工藝，接下來則是2nm工藝。臺積電計劃未來三年投資1000億美元，其中先進工藝花費的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進展，進度比預期的要好。實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術探索階段，尋找到了可行的技術路徑。現在2nm工藝才算是進入了研發階段，重點轉向了測試載具設計、光罩制作及硅試產等方向。根據臺積電的說法，2nm工藝節點上，他們也會放棄FinFE
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