臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。

臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構(gòu)的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠預(yù)計(jì)于2022年下半年開(kāi)始生產(chǎn)。

雖然在3nm世代略有保守，但無(wú)論如何，F(xiàn)inFET寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì)遇到瓶頸。所以外資法人預(yù)估臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體GAAFET高端架構(gòu)生產(chǎn)2nm芯片。

臺(tái)積電2nm廠將落地竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)劃，“竹科管理局”已展開(kāi)公共設(shè)施建設(shè)，臺(tái)積電2nm廠也開(kāi)始進(jìn)行整地作業(yè)。

臺(tái)積電2nm首次采用納米片架構(gòu)，相較N3E制程，在相同功耗下頻率可提升10%至15%。在相同頻率下，功耗降低25%至30%。臺(tái)積電總裁魏哲家日前在技術(shù)論壇中強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電2nm將會(huì)是密度最優(yōu)、效能最好的技術(shù)。

此前消息稱，將在2024年取得ASML下世代極紫外光微影設(shè)備（high-NA EUV），為客戶發(fā)展相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施與架構(gòu)解決方案。臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)則表示，2024年取得設(shè)備后，初期主要用于與合作伙伴共同研究，尚不會(huì)量產(chǎn)。