三星高調宣布2025年投入2nm量產

韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調宣布，2025年投入2奈米量產，再度確認將導入新一代環繞閘極技術(GAA)電晶體架構，搶在臺積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產，劍指臺積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來新變局。

此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會中提到三星過去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎上導入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎，在2023年時要導入第二代的3奈米制程，并于2025年導入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規劃。

要知道，GAA制程技術能讓芯片中的電晶體更小、更快，也更省電。而截至目前為止，臺積電所使用的FinFET(鰭式場效電晶體)，仍然是當前最新的電晶體技術。以三星為例，該公司于2012年時，在14奈米制程導入該項技術。

但FinFET在到達7奈米、5奈米、4奈米等細微制程門檻時，就接連遇上瓶頸，該構造在4奈米以下的制程當中，已無法再降低作業電壓，而解決辦法就是GAA技術。

三星在GAA技術研發上，進一步發展出獨自的MBC FET(Multi Bridge Channel Field Effect Transistor) 技術。該公司表示，采用MBC FET構造的3奈米制程，比起以往FinFET技術的5奈米制程，在性能上提升30%、電力消耗減少50%、面積縮小35%。

不但是如此，三星也在此次論壇上公布17奈米的FinFET新制程。按照三星相關人士的說法，新制程和過去相比，在性能上提升39%、電力效率提升49%、面積縮小43%。

臺積電與三星長年來，在芯片制程的競爭至今都尚未結束。Business Korea日前指出，臺積電在專利數申請上再次超越三星，而臺積電總裁魏哲家也暗示，公司3奈米量產首年較5奈米將有更多新品設計定案，也會配合客戶在明年下半年量產。

臺積電此前消息稱，公司將在2奈米制程時，才會選擇引進GAA技術，3奈米制程將維持FinFET架構，將重點放在2奈米以外節點，以及3D電晶體、新記憶體以及Low-R Interconnect等領域，為各項技術平臺創造發展基礎，并且加強FAB 12的研發N3、N2甚至更高級的先進制程節點。

美國商務部日前傳出消息，要求臺積電、三星、SK海力士與英特爾等芯片制造商，在11月8日提供客戶名單、庫存以及未來生產計劃等商業機密。臺積電對此回應，若有需要協助的地方，會向臺灣當局反應，并且證實臺當局持續給予關注。韓國產業通商資源部部長呂翰九指出，他深知南韓業者的擔憂情緒，將向美方持續會談，反應韓方看法，盡可能降低傷害。

而根據韓國媒體Business Korea所指，韓國企業擔憂美國此舉恐怕將造成合約取消、產品價格波動，以及美國政府將揭露他們的機密資料。報道透露，美國政府要求的訊息包括制造的芯片種類、各產品每月銷售額、客戶名冊、庫存數據以及供貨不足的對策。三星電子與SK海力士不愿透露與客戶與合約有關的資料，因為這些機密顯示他們及其客戶的商業策略，可能導致合約取消。再者，庫存與產能數據的披露可能嚴重沖擊價格談判與市場價格。

盡管美國政府承諾不會公開資料，但相關公司透露，這些資料根本無法提供分享，就一名韓國當地業者說：“歸根結底，美國政府企圖透過施壓非美國半導體公司，協助本國企業成長”。他也呼吁，個別企業無法違抗美國政府，南韓政府必須與業者共同努力，以盡可能降低損害。

呂翰九則向市場發表聲明：“韓國與美國政府正增加供應鏈議題的對話?！边@也就意味著，韓國政府可以協助業者應對該議題。