臺積電2nm工藝進入研發階段：升級GAA晶體管、改進EUV效率

做為全球最大最先進的晶圓代工廠，臺積電在7nm、5nm節點上領先三星等對手，明年面還會量產3nm工藝，接下來則是2nm工藝。

臺積電計劃未來三年投資1000億美元，其中先進工藝花費的資金最多，2nm工藝也是前所未有的新工藝，臺積電去年稱2nm工藝取得了重大進展，進度比預期的要好。

實際上臺積電的2nm工藝沒有宣傳的那么夸張，此前只是技術探索階段，尋找到了可行的技術路徑。

現在2nm工藝才算是進入了研發階段，重點轉向了測試載具設計、光罩制作及硅試產等方向。

根據臺積電的說法，2nm工藝節點上，他們也會放棄FinFET晶體管結構，轉向GAA環繞柵極結構，此前三星更為激進，在3nm節點就會棄用GAA晶體管，不過這兩家的GAA晶體管結構也不會一樣，孰優孰劣還沒定論。

在2nm節點，光刻工藝更加重要，EUV光刻是少不了的，但此前的EUV工藝還存在不少問題，臺積電的2nm節點也會重點改進EUV工藝，提高光刻中的質量及效率。

至于量產時間，臺積電的2nm工廠現在還在起步階段，此前消息稱是2023年試產2nm工藝，2024年量產。