●? ?SECORA??Pay Green為未來更環保的支付行業奠定基礎●? ?環保型線圈模塊（eCoM）封裝使用可回收材料，卡體回收利用率高達100%，同時將原材料采購和物流過程中的二氧化碳排放量減少60%以上●? ?英飛凌正與全球主要的卡制造商和支付方案提供商合作，為大規模生產做好準備環保支付卡英飛凌科技股份公司近日推出?SECORA? Pay Green技術。基于該技術的卡片設計將生產出全球首款采用環保和本地材料的完全可
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英飛凌 非接觸式支付卡 Pay Green
3D深度傳感器在車載監控系統中發揮著重要作用，能夠實現創新的汽車座艙、與新服務的無縫連接，以及更高的被動安全性。它們對于滿足歐洲新車評估計劃（NCAP）的要求和安全評級，以及實現卓越的舒適性功能至關重要。全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）專為汽車應用開發了高度集成的IRS9103A垂直腔表面發射激光器（VCSEL）驅動器集成電路（IC）。結合英飛凌的REAL3?圖像傳感器，這款車規級激光二極管驅動器IC可實現尺寸更小、成本更低、性
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英飛凌 激光驅動器 REAL3 飛行時間
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日發布EZ-USB?系列的新產品EZ-USB? FX20可編程USB外設控制器。憑借這款產品，開發人員能夠創建出滿足人工智能（AI）、圖像處理和新興應用更高性能要求的?USB設備。EZ-USB? FX20外設控制器通過USB 20 Gbps和LVDS接口提供高速連接，總帶寬較上一代產品EZ-USB? FX3提高了六倍。英飛凌科技高級副總裁兼有線連接解決方案產品線總經理Ganesh Su
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英飛凌 USB外設控制器
1、氫—推動能源轉型？在碳中和及全球溫室氣體減排事業中，氫（ H2 ）已被認為是最重要的原料和能源載體。然而，這一用途廣泛的能源載體在擁有巨大潛力的同時也面臨巨大的生產和基礎設施挑戰。發展氫經濟的益處和挑戰都存在很大爭議。2、制氫：電解槽系統英飛凌產品組合實現從千瓦級到兆瓦級的全面覆蓋電解槽系統在以下三個方面有很高要求：轉換器效率?（最高98%）：可以降低制氫過程中的能耗。可擴展性?：以模塊化方法從千瓦級擴展至兆瓦級，可以加快上市和減少工程設計工作。可靠性?（使用壽命達到25
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英飛凌 氫能解決方案
摘要英飛凌和MathWorks合作開發了新一代微處理器AURIX? TC4x Hardware Support Package (HSP)。HSP通過兩款軟件插件可以方便實現TC4x TriCore? CPU 和PPU的自動代碼生成，結合芯片底層驅動軟件，自動調用相關編譯器，生成目標代碼。配合TC4x 開發板，進一步實現PIL（Processor In the Loop）測試功能。本文將對MathWorks提供的支持文檔Get Started with SoC Blockset Support
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英飛凌 MathWorks Matlab PPU目標代碼
概述CAN總線(Controller Area Network)是上世紀80年代開發的一種串行通訊總線。由于其高性能、易用性及高可靠性而被廣泛應用于汽車、工業控制等行業。但隨著汽車電子、工業自動化的蓬勃發展，總線上的設備數量、通訊數據量都大大增加，使得傳統HS-CAN (High Speed CAN)的500kbps(最高1Mbps)傳輸速率受到了極大的挑戰。在上一期，我們介紹了為應對這種挑戰而開發的CANFD總線，以及為了應對振鈴問題，英飛凌發布的CANFD SIC信號增強收發器TLE9371系列。本期
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英飛凌 CAN通訊 CANXL
1背景介紹英飛凌MOTIX? MCU專為實現一系列電機控制應用的機電電機控制解決方案而設計，在這些應用中，小尺寸封裝和最少數量的外部組件是必不可少的，包括但不限于：車窗升降器，天窗，雨刮器 ，燃油泵，HVAC風扇，發動機冷卻風扇，水泵。由于電機量產的參數的非一致性。需要對這些小電機進行產線級別標定。以下是一些適配MOTIX? MCU 硬件特性的標定方法參考。2系統拓撲圖MOTIX? MCU系列屬于SoC (System on Chip) 級產品，集成了MCU，LDO，gate driver，電流采樣，LI
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英飛凌 小電機ECU
前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產生損耗，損失的能量會轉化為熱能，表現為半導體器件發熱，器件的發熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的
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英飛凌，功率器件熱設計基礎
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。第一講 《功率器件熱設計基礎（一）----功率半導體的熱阻》 ，已經把熱阻和電阻聯系起來了，那自然會想到熱阻也可以通過串聯和并聯概念來做數值計算。熱阻的串聯首先，我們來看熱阻的串聯。當兩個或多個導熱層依次排列，熱量依次通過
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英飛凌 功率器件熱設計基礎
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實際，比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。功率半導體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導熱脂層串聯構成的。各層都有相應的熱阻，這些熱阻是串聯的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因為熱量在傳遞過程中，需要依次克服每一個熱阻，所以總熱阻就是
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英飛凌 功率器件熱設計基礎
數據中心目前占全球能源消耗的2%以上。在人工智能的推動下，預計到2030年，這一數字將增長到7%左右，相當于整個印度目前的能耗。實現從電網到核心的高效功率轉換對于實現卓越的功率密度至關重要，從而在降低總擁有成本（TCO）的同時提高計算性能。因此，英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）將推出TDM2354xD和TDM2354xT雙相電源模塊，具有出色的功率密度，適用于高性能AI數據中心。這些模塊實現了真正的垂直功率傳輸（VPD），并提供了業界領先的電流密度1.6A/mm2。英飛凌在今年
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英飛凌 超高電流密度 功率模塊
隨著支付領域向數字化邁進，保護數字身份和交易變得愈發重要。除了標準非接觸式支付卡外，作為該領域頗具前景的一個發展方向，生物識別支付卡也受到越來越多的關注。在此背景下，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出符合維薩卡（Visa）和萬事達卡（Mastercard）規范的一體化生物識別支付卡解決方案?SECORA? Pay Bio。該解決方案將英飛凌的增強型SLC39B系統級芯片（SoC）安全元件和?Fingerprint Cards AB（Fingerprints
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英飛凌 SECORA 生物識別支付
●? ?英飛凌將展示環保、安全和智能交通出行領域，以及綠色和智慧生活空間領域的創新解決方案●? ?英飛凌將展示其半導體解決方案如何實現AI應用的快速、高效和可擴展部署●? ?英飛凌將首次向公眾展示全球首款300?mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）在即將到來的慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）上，英飛凌科技股份公司將展示其創新的解決方案如何推動全球低
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英飛凌 慕尼黑國際電子元器件博覽會 低碳化
-? ?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術的公司-? ?通過降低晶圓厚度將基板電阻減半，進而將功率損耗減少15%?以上-? ?新技術可用于各種應用，包括英飛凌的AI賦能路線圖-? ?超薄晶圓技術已獲認可并向客戶發布繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司再次在半導體制造技術領域取得新
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英飛凌 硅功率晶圓
本文由英飛凌科技的現場應用工程師Marcel Morisse與高級技術市場經理Michael Busshardt共同撰寫。鑒于迫切的環境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環境的負面影響。在這一至關重要的舉措中，風力發電技術扮演了關鍵角色，并已處于領先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內元件數
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英飛凌 IGBT
英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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