英飛凌文章最新資訊

升級電源和機架架構(gòu)，滿足AI服務器的需求

英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產(chǎn)品非常適用于應對數(shù)據(jù)中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構(gòu)和AC-DC配電配置。
關鍵字： AI服務器英飛凌

揭秘：48V系統(tǒng)如何撬動汽車收益杠桿

48V電源系統(tǒng)介紹目前國內(nèi)汽車行業(yè)對于整車低壓48V電源系統(tǒng)有很大的熱情， 48V并不是一個全新的技術，在過去幾年無論是燃油車還是新能源車都有使用48V作為輔助電源，以下我們對整車12V及48V電源系統(tǒng)做一個簡單的介紹。傳統(tǒng)燃油車以12V作為主要的低壓電源系統(tǒng)，為了降低碳排放，在原來12V系統(tǒng)上增加了一套48V電源系統(tǒng)驅(qū)動電機，提供輔助的動力輸出，就是我們的輕混車系統(tǒng)，但是這套系統(tǒng)增加了一定的成本。純電車也以12V作為主要的電源系統(tǒng)，但是隨著整車功能越來越豐富，有些純電車增加了一套單獨的48V電源系統(tǒng)，給
關鍵字：英飛凌

英飛凌獲歐盟援助，將在德累斯頓建新半導體廠

據(jù)新華社報道，歐盟委員會2月20日批準一項總額9.2億歐元（約合人民幣69.76億元）的國家援助計劃，支持德國英飛凌科技公司在德國德累斯頓建設一家芯片制造工廠，并稱這項援助計劃將加強歐洲在半導體技術領域的供應安全、韌性和技術自主性。據(jù)悉，德累斯頓建設芯片工廠項目計劃生產(chǎn)的產(chǎn)品將具有兩大類關鍵技術：一是用于電子系統(tǒng)中電源切換、管理和控制的分立電源技術，二是模擬/混合信號集成電路技術。根據(jù)該計劃，援助資金將以直接向英飛凌提供9.2億歐元的補助金的形式，支持其總額為35億歐元的投資。新工廠將成為歐洲第一家能夠在
關鍵字：英飛凌德國芯片工廠

歐盟日本巨額補貼半導體企業(yè)：英飛凌、臺積電成焦點

近日，半導體產(chǎn)業(yè)迎來兩大重磅消息，歐盟與日本分別對半導體相關企業(yè)提供大額補貼，旨在推動本土半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英飛凌獲歐盟9.2億歐元補貼，德累斯頓新廠加速落地2月20日，歐盟委員會宣布批準德國政府對英飛凌位于德累斯頓的新晶圓廠授予9.2億歐元（約69.85億元人民幣）的《歐洲芯片法案》補貼，用于其在德國德累斯頓建設新的半導體制造工廠。公開資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項目整體投資規(guī)模達50億歐元，于2023年3月啟動建設，目標是在2026年投入使用，2031年達到滿負荷生產(chǎn)。建成后，該工廠將制造分立功率
關鍵字：補貼半導體英飛凌臺積電

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產(chǎn)品系列。這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
關鍵字：英飛凌 CoolSiC MOSFET

歐盟批準德國為英飛凌芯片工廠提供 9.2 億歐元援助

歐盟委員會周四表示，已批準向英飛凌提供9.2億歐元的德國國家援助，用于在德累斯頓建設一座新的半導體制造廠。歐委會補充說，這項措施將使英飛凌能夠完成MEGAFAB-DD項目，該項目將能夠生產(chǎn)多種不同類型的芯片。全球的芯片制造商正在向新工廠投入數(shù)十億美元，因為他們利用美國和歐盟慷慨的補貼，使西方國家在發(fā)展尖端半導體技術方面領先于中國。到 2030 年，歐盟委員會已為公共和私營半導體項目撥款 150 億歐元。歐盟委員會在一份聲明中說："這座新的制造工廠將為歐盟帶來靈活的生產(chǎn)能力，從而加強歐洲在半導體技
關鍵字：歐盟德國英飛凌芯片工廠援助半導體 MEGAFAB-DD 芯片

英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產(chǎn)品●? ?這些產(chǎn)品在奧地利菲拉赫生產(chǎn)，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產(chǎn)將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優(yōu)勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲
關鍵字：英飛凌碳化硅 SiC 200mm碳化硅

英飛凌達成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品

英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統(tǒng)、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區(qū)將根據(jù)市場需求開始大批量生產(chǎn)。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營官我們正在按計劃實施SiC產(chǎn)品
關鍵字：英飛凌 200mm SiC

驅(qū)動電路設計（一）—— 驅(qū)動器的功能綜述

驅(qū)動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態(tài)過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現(xiàn)可靠的驅(qū)動設計，英飛凌的驅(qū)動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章將詳細講解如何正確理解和應用這些驅(qū)動器的功能。每一個功率開關都需要一個驅(qū)動器，功率開關在系統(tǒng)中會承受高壓大電流，如何使得功率半導體優(yōu)雅地開通和關斷，驅(qū)動電路功不可沒。另外，驅(qū)動電路還需要承擔功率開關保護的重任，檢測短路工況，快速柔和地關斷。驅(qū)動器的大類功率半導體驅(qū)動是一種值得研究的技術，驅(qū)動對象不同、應用系統(tǒng)要求不同，對驅(qū)動電路的要求也
關鍵字：英飛凌驅(qū)動電路設計

英飛凌成立新業(yè)務部門加強傳感器和射頻產(chǎn)品組合，推動盈利增長

2月13日消息，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業(yè)務部門，將當前的傳感器和射頻（RF）業(yè)務合并成一個專門的部門，從而推動公司在傳感器領域的發(fā)展。新成立的傳感器單元和射頻（SURF）業(yè)務部門隸屬于電源與傳感系統(tǒng)（PSS）事業(yè)部，并涵蓋之前的汽車和多市場傳感與控制相關業(yè)務。通過整合在傳感器和射頻技術領域的優(yōu)勢，英飛凌充分利用成本與研發(fā)的協(xié)同效應，加速創(chuàng)新并為客戶創(chuàng)造更大的價值，從而增強自身的競爭力和產(chǎn)品上市策略。預計到 2027 年，傳感器和射
關鍵字：英飛凌電源傳感

英飛凌成立新業(yè)務部門加強傳感器和射頻產(chǎn)品組合

全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日宣布成立一個新的業(yè)務部門，將當前的傳感器和射頻（RF）業(yè)務合并成一個專門的部門，從而推動公司在傳感器領域的發(fā)展。新成立的傳感器單元和射頻（SURF）業(yè)務部門隸屬于電源與傳感系統(tǒng)（PSS）事業(yè)部，并涵蓋之前的汽車和多市場傳感與控制相關業(yè)務。英飛凌科技傳感器單元與射頻業(yè)務部門負責人Thomas Schafbauer博士通過整合在傳感器和射頻技術領域的優(yōu)勢，英飛凌充分利用成本與研發(fā)的協(xié)同效應，加速創(chuàng)新并為客戶創(chuàng)造更大的價值，從而增強自身的競爭力和
關鍵字：英飛凌傳感器射頻

技術洞察 | 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產(chǎn)品高級總監(jiān)校對宋清亮英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務高級首席工程師過去幾十年間，人口和經(jīng)濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結(jié)果。因此，數(shù)據(jù)中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據(jù)估計，2022年全球數(shù)據(jù)中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數(shù)據(jù)中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1：1910年以來
關鍵字：英飛凌 GaN

英飛凌2025財年開局略優(yōu)于預期，因匯率影響上調(diào)全年業(yè)績展望

●? ?2025財年第一季度：營收為34.24億歐元，利潤為5.73億歐元，利潤率 16.7%。●? ?2025財年第二季度展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.05，預計營收約為36億歐元。在此基礎上，利潤率預計為14%~16%左右?！? ?2025財年展望：假設歐元兌美元匯率為1:1.05（之前為1:1.10），預計營收將與上一財年持平或略有增長（之前預測為較前一年度略有下降）。調(diào)整后的毛利率預計在40%左右，利潤率為14%~19%。預計投資額約
關鍵字：英飛凌 2025財年

英飛凌推出基于MEMS的集成式先進超聲波傳感器

英飛凌科技股份公司在開發(fā)電容式微機械超聲波傳感器（CMUT）技術方面取得重大進展。憑借這項技術，公司推出首款高度集成的單芯片解決方案，該方案基于微機電系統(tǒng)（MEMS）的超聲波傳感器，擁有更小的占板面積以及更強大的性能和功能，可廣泛用于開發(fā)新型超聲波應用和改進消費電子、汽車工業(yè)與醫(yī)療技術領域的現(xiàn)有應用。英飛凌科技高級總監(jiān)Emanuele Bodini表示：“英飛凌的超聲波技術可以實現(xiàn)很高的信噪比和集成度，因此我們認為該器件代表著行業(yè)的一大突破。我們希望利用這項技術開發(fā)出一個服務于不同行業(yè)多種應用場景的產(chǎn)品平
關鍵字：英飛凌 MEMS 超聲波傳感器

功率器件的熱設計基礎（一）---功率半導體的熱阻

/ 前言 /功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。散熱功率半導體器件在開通和關斷過程中和導通電流時會產(chǎn)生損耗，損失的能量會轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會造成器件各點溫度的升高。半導體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風冷散熱
關鍵字：英飛凌功率器件熱設計熱阻

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英飛凌介紹

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業(yè)額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業(yè)電子、內(nèi)存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發(fā)，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [ 查看詳細 ]