對實現下一階段自動駕駛和自主駕駛而言，在密集的城市環境中探測行人是一項挑戰。為達到SAE定義的L2+至L4自動駕駛要求，開發新一代4D和成像雷達至關重要。在此背景下，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布了其最新、最先進的RASIC? CTRX8191F 28nm雷達單片微波集成電路（MMIC）的最終樣品。CTRX8191F專為滿足自動駕駛的要求而設計，具有高性能、低系統成本的特點，并將推動新一代雷達成像模塊的開發。CTRX8191F雷達MMIC具有更強大的性能，且信
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英飛凌 雷達MMIC 高清成像雷達 微波集成電路
英飛凌1992年開始碳化硅技術研發，是第一批研發碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術，2024年推出了集成.XT技術的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創新，持續引領碳化硅技術發展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產品及技術方面的進展及其在工業與基礎設施領域的應用和
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英飛凌 碳化硅 能源 工業設備
前言人工智能（AI）的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數級上升，預計到2030年將達到約2000W?[1]?，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數據中心機架的AC和DC配電系統進行架構升級，重在減少從電網到核心設備的電力轉換和配送過程中的功率損耗。圖2（右）展示了開放計算項目（OCP）機架供電架構的示例。每個電源架由三相輸入供電，可容納多臺PSU；每臺PSU由單相輸入供電。機架將直流電壓（例如，50V）輸
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英飛凌 AI CoolSiC CoolGaN
●? ?英飛凌連續第15次入選道瓊斯可持續發展指數。●? ?公司在落實積極的可持續發展戰略方面持續取得進展。●? ?道瓊斯可持續發展指數是投資者根據經濟、環境和社會標準衡量全球最佳表現企業的基準。英飛凌科技管理委員會成員兼首席數字化轉型與可持續發展官Elke Reichart英飛凌科技股份公司入選道瓊斯可持續發展世界指數和道瓊斯可持續發展歐洲指數。這是英飛凌連續第15次入選道瓊斯可持續發展指數，體現了英飛凌在企業可持續發展方面一貫的卓越表現。該基
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道瓊斯可持續發展指數 英飛凌
2024年，全球極端天氣頻發，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發展的市場與價格戰的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發布會上，英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區高管團隊從業務策略、商業模式到產品優勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
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碳化硅 零碳技術 英飛凌
2024年，全球極端天氣頻發，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發展的市場與價格戰的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發布會上，英飛凌科技工業與基礎設施業務大中華區高管團隊從業務策略、商業模式到產品優勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
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英飛凌 碳化硅
根據合作備忘錄，英飛凌將提供整套芯片解決方案，包括微控制單元（MCU）、電池均衡和監測IC、電源管理IC、驅動、MOSFET、CAN和傳感器產品。通過采用這些解決方案，億緯鋰能的電池管理系統將擁有高度的安全性、可靠性以及更加優化的成本，而且能夠更加準確地監測、保護和優化電動汽車（EV）的電池性能，提升用戶的駕駛體驗和車輛的能效。電池監控和平衡IC TQFP-48-8組合電氣化的快速發展推動了對先進電池解決方案的需求。英飛凌領先的電池管理IC與億緯鋰能先進的電池技術將共同為下一代智能電池組奠定基礎。英飛凌通
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億緯鋰能 電池管理系統 英飛凌
/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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英飛凌 GaN SiC 電氣工程師
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講清瞬態熱阻曲線的應用。浪涌電流二極管的浪涌電流能力是半導體器件的一個重要參數。在被動整流應用中，由于電網的頻率是50Hz，因此10ms的二極管電流
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英飛凌 功率器件 瞬態熱阻
●? ?英飛凌通過推出DEEPCRAFT?加強其AI產品組合●? ?新品牌將囊括英飛凌現有的邊緣AI和機器學習軟件解決方案●? ?同時還推出新的邊緣AI 成熟模型英飛凌安全互聯系統事業部總裁Thomas Rosteck隨著邊緣AI被越來越多的消費和工業應用采用，全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在進一步加強其AI軟件產品組合。為此，公司發布了邊緣AI和機器學習軟件解決方案的新品牌 DEEPCRAFT?。英飛凌已經意識到邊緣
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英飛凌 邊緣AI軟件 DEEPCRAFT
據日媒報道，英飛凌 CEO Jochen Hanebeck 在采訪中提到，公司正加速推動普通產品的本地化生產，將生產環節更多轉移至中國，以更好服務當地客戶。Jochen Hanebeck 表示，中國客戶越來越希望一些關鍵部件能實現本地化生產，因為這些零部件的替代性非常低。為此，英飛凌計劃將部分產品交由中國的代工廠生產，同時依托在中國的后端工廠，全面提升供應鏈的安全性，以回應客戶的關切。但他并未提及在中國生產的具體目標，僅表示“取決于產品類別和市場的發展。”據了解，英飛凌早在1996年就在中國無錫設立生產基
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英飛凌 中國市場
英飛凌科技股份公司近日推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅動器電源的EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全橋變壓器驅動器系列。2EP1xxR系列擴大了英飛凌功率器件產品陣容，為設計人員提供了隔離式柵極驅動器電源解決方案。該系列半導體器件可以幫助實現非對稱輸出電壓，以經濟高效、節省空間的方式為隔離式柵極驅動器供電。因此，2EP1xxR尤其適用于需要隔離式柵極驅動器的工業和消費類應用，包括太陽能應用、電動汽車充電、儲能系統、焊接、不間斷電源、驅動應用等。2EP1xxR系列采用具有功率集成技術
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英飛凌 EiceDRIVER 全橋變壓器驅動器 柵極驅動器電源
英飛凌在實施積極的可持續發展戰略方面取得了重大進展 德國可持續發展獎是歐洲最大的生態和社會承諾獎
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英飛凌 德國可持續發展獎
日前，由中國國際公共關系協會（CIPRA）主辦的“第二十屆中國公共關系行業最佳案例大賽”評選結果在北京正式揭曉。英飛凌提報的《“英飛凌?綠領未來”整合營銷傳播項目》經過層層篩選和專業評審，榮獲“ESG（環境、社會、公司治理）與企業形象類”金獎。不僅肯定了英飛凌在ESG傳播方面所取得的突出成果，更進一步展現了其在推動綠色發展和保護生態環境方面的堅定承諾和行業影響力。中國公共關系行業最佳案例大賽始于1993年，借鑒國際公共關系協會（IPRA）“世界最佳公共關系案例金獎大賽”的評審標準，是國內公共關系行業創立時
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英飛凌 ESG與企業形象 ESG
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識，相關標準和工程測量方法。確定熱阻抗曲線測量原理——R th /Z th 基礎：IEC 60747-9即GB/T 29332半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（等同采用）中描述了測量的基本原理。確定熱阻抗的
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英飛凌 功率器件，瞬態熱測量
英飛凌介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，至今在世界擁有35,600多名員工，2004財年公司營業額達71.9億歐元，是全球領先的半導體公司之一。作為國際半導體產業創新的領導者，英飛凌為有線和無線通信、汽車及工業電子、內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方案。英飛凌平均每年投入銷售額的17%用于研發，全球共擁有41,000項專利。自從1996年在無錫建立 [
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