- 有鑒于半導體產業正試圖解決可制造性設計(DFM)問題，參與月前在美國舉行之SemiconWest展會上的一場小組座談的EDA產業專家表示，可以從可測試性設計(design-for-test，DFT)的技術發展歷程中取經。 該場小組座談會的主持人、市場研究公司GarySmithEDA總裁GarySmith表示：「真正的DFM是個大問號，如果它跟隨DFT的腳步，得花上幾年時間才能在設計社群中扎根。」他指出，半導體公司基本上是把DFT強迫推銷給設計工程師
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- VirtexTM-5系列產品的推出，使得Xilinx公司再一次成為向FPGA客戶提供新技術和能力的主導力量。...
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- 納米技術概述
納米科技的到來，為人們對傳統客觀世界的認知帶來了一場革命。科學家們發現，當物質的結構單元(如晶粒或孔隙)小到納米量級(范圍為0.l納米至100納米)時，物質的性質發生了重大變化，不僅大大改善了原有材料的性能，甚至會具有新的令人匪夷所思的性能或效應。如果能在100nm以下空間尺度內對這些原子分子進行觀察、移動和測量，那就能更近距離地理解這些系統是如何工作的，從而對材料進行加工、制造出具有特定功能的產品，或用各種方法來改進這些系統，使它們更加安全、保密、健康。而這種研究100nm以下的技術
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- 毫無疑義，納米科技是當今世界科技發展的一個熱門領域，也是科學家和百姓眾說紛紜的一個前沿科學話題。在剛剛創刊的《前沿科學》雜志上，刊載了中國科學院院士白春禮和中國國家納米科學中心研究員裘曉輝撰寫的《中國納米科技研究的進展》一文。在這篇論文中，作者總結了過去十年中國在納米科技的基礎研究和應用研究中取得的重要進展，概述了中國科技人員近期在納米科技的部分研究領域中所取得的突出成就，并且就我國納米科技發展過程中存在的一些問題進行了分析。
近日，記者采訪了裘曉輝研究員，請他向本報讀者介紹中國納
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- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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- ARM發布首款可即量產的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質量認證 ARM公司發布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質量安全測試的9
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- 據某分析師指出，雖然中國半導體制造商納米技術公司(Nanotech Corp.)在得到Intel的鼎力相助之后得以順利成立，但其前景不被看好。 2004年，Intel和納米技術公司達成了協議，通過納米技術公司將Intel的CPU制造工藝和設備首次引入中國。 Intel授權納米技術公司使用Intel 0.35微米和0.25微米的CMOS技術和工藝。Intel還將幫助納米技術公司培訓員工并售賣充足的200mm晶元設備給該公司以幫助其月產量達
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- 英飛凌和中芯國際近日共同宣布，雙方已經簽署合作協議，進一步擴展在標準記憶芯片（DRAM）產品生產領域中的現有合作，開始90納米標準的產品合作生產。 根據新協議的內容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術和300毫米產品生產技術轉讓于中芯國際，并可以在未來期間靈活進行其70納米技術的進一步轉讓。因此，中芯國際將為英飛凌獨家生產屬于此技術范圍之內
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- 近日，研發人員在開發納米級芯片時遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來有了福音。為了解決這一瓶頸問題，歐盟向某一研發團體協會資助550萬美元以解決這一難題。 該協會的主要成員STMicroelectronics在當地時間周二（北京時間周三）發布的一份聲明中稱，該協會的研發項目旨在改進下一代芯片系統半導體的設計，解決65納米及其以下納米CMOS出現功率泄漏的問題。 據悉，該項稱為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏
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- 近日，英特爾正式宣布新處理器的的價格和名稱。新推出的四款四核移動Yonah芯片，分別為T2300、T2400、T2500和T2600，另外一款單核芯片為T1300。這次的產品定價主要是針對英特爾的大宗客戶，即購物數量在1000以上的用戶。 單核T1300價格為209美元，而四核芯片T2300、T2400、T2500和T2600的價格分別為241美元、294美元、423美元和637美元。上述芯片都采用65納米生產技術，時鐘頻率為T
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- 日前，最新發布的一份名為《全球半導體技術路線圖》的報告顯示，全球主要的半導體廠商正在規劃“后硅晶體管”時代的藍圖。據悉，該報告是由歐洲、日本、韓國、中國臺灣和美國的主要半導體廠商聯合發布的，主要致力于尋求未來的半導體制造技術。 雖然當前的傳統硅技術仍擁有眾多優勢，但無法長期適應半導體產業的“摩爾定律”。據最新報告顯示，目前一種新的“納米轉換”技術比較可行，而且制造成本也相對低廉。研究人員預計到2015年，全球半導體產業將從當前的“硅技術”向“納米技術”過渡，因為當前的硅技術也只能維持到2015年。
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- Crolles2聯盟日前在京都舉辦的VLSI會議(VLSI Symposium)中發布的文件中，描述了針對新一代低成本、低功耗、高密度消費性電路的超小型制程選項－使用傳統大量CMOS制程技術與45納米設計規則，在量產條件下建構面積小于0.25平方微米的6晶體管結構SRAM單元。 Crolles2是由飛思卡爾半導體、飛利浦、意法半導體共同組成的聯盟。其位于法國Crolles的300毫米試產線曾制造出1.5Mbit陣列。此次合作發布的文件再次展示
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- 6月20日上午，全國納米技術標準化技術委員會成立大會在北京隆重舉行。中國科學院常務副院長、國家納米科學中心主任白春禮院士任主任委員，國家納米科學中心副主任王琛研究員任秘書長，該委員會秘書處設在國家納米科學中心。 早在今年的4月1日，國家標準化管理委員會正式發文(國標委計劃函[2005]14號)，批準成立全國納米技術標準化技術委員會(SAC/TC279)。 國家標準化管理委員
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- 美研究人員日前說，他們借助低溫制造技術，用納米導線在一塊玻璃芯片上制造了最基礎的集成電路--時鐘振蕩電路。這一技術既不需要高溫，也不需要硅芯片，有望取代硅芯片集成電路制造技術。 據悉，這一技術使用常見的、低成本和輕質材料來制造納米導線集成電路，不僅是玻璃可以做芯片，塑料也可以。
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納米介紹
納米是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。納米科學與技術，有時簡稱為納米技術，是研究結構尺寸在1至100納米范圍內材料的性質和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統材料所不具備的奇異或反常的物理、化學特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時開始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [
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