Diodes公司發表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD)。產品組合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一項 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產品，以及 DIODES DSCxx120系列，共有八款 1200V 額定電壓 (2A、5A 和 10A) 產品。

這些寬帶隙 SBD 的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠性，同時響應市場對降低系統執行成本并減少維護需求。這些裝置適用于 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 降壓變換器、光伏逆變器、不斷電系統和工業馬達驅動產品應用。此外，本系列裝置也適用于其他各種電路，例如功率因子校正用途的升壓轉換器。

這些 SiC 裝置擁有高效率效能，表現優于傳統硅晶型產品，能為電源供應器設計人員帶來空前產品效能優勢，例如：

●   低電容電荷 (QC) 可將切換損耗降至極低，進而提升高速切換產品應用的效率。適合用于功率密度具有較高、解決方案總尺寸較小的電路設計。

●   低順向電壓 (VF) 可進一步提高效率、降低功率損耗和營運成本。

●   減少散熱，有助于降低整個系統的散熱預算。

●   高突波電流能力可提升穩固性，實現較佳系統可靠性，而出色的熱效能還可降低建構成本。

本系列裝置提供三種封裝選項，包括表面黏著 TO252-2 (WX 型)、通孔 TO220AC (WX 型) 和 ITO220AC (WX-NC 型)。