華為出手第三代半導體材料 性能實現千倍提升

華為出資7億元全資控股，剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手，投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股達10%。山東天岳是我國第三代半導體材料碳化硅龍頭企業。

華創證券認為，我國及全球5G網絡正在大規模建設中。大數據傳輸、云計算、AI技術、物聯網，包括下一步的能源傳輸，對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。

而碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產業的“新發動機”。碳化硅材料實現量產后，將打破國外壟斷，推動國內5G芯片技術和生產能力的提升。