- 移動電話滲透率在已開發市場達到了很高比例，而在世界上其他地區也不斷提高。根據GSMA的信息，先進的歐洲國家的移動用戶滲透率已經超過90%。開發中市場的平均滲透比例將由2012年的39%增加至2017年的47%，而且是未來5年內刺激全球移動市場增長的最大因素。
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安森美 MOSFET 電阻 移動設備 LED
- 對于MOSFET，工作時候與變壓器原邊串聯，由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響，使得其關斷時候會承受一個...
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MOSFET 變壓器
- 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創新的新系統關閉發動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發動機。這就幫助降低市區駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
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MOSFET 二極管 PCB 穩壓器 P-FET
- 電荷泵的基本原理是，電容的充電和放電采用不同的連接方式，如并聯充電、串聯放電，串聯充電、并聯放電等，實現升壓、降壓、負壓等電壓轉換功能。
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電荷泵 Cboot MOSFET 電路
- 2013 年 12 月12 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過AEC-Q101認證的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。
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Vishay MOSFET
- 全球領先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出一款新型帶電源模塊的三相BLDC電機柵極驅動器MCP8024。該器件能夠為dsPIC?數字信號控制器(DSC)和PIC?單片機(MCU)供電，同時驅動六個N溝道MOSFET。
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Microchip 電機系統 MCP8024 MOSFET
- 2013年12月4日，英飛凌科技股份公司(法蘭克福股票交易所股票代碼：IFX / 美國柜臺交易市場股票代碼：IFNNY)宣布，在今年的電氣自動化系統及元器件(SPS IPC Drives)貿易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對絕緣電壓高達1200伏的應用的1EDI EiceDRIVERTM Compact單通道柵極驅動器。
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英飛凌 驅動器 IGBT MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 導通電阻
- 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產出一款可實現更高功率密度、更低系統成本且設計更簡易的...
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光伏逆變器 SiC BJT
- 摘要：傳統高功率LED驅動電源大多采用直流并聯LED的方式工作，成本低，容易實現，但目前高亮度LED消耗的電流可達350mA甚至更高，因此傳統方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯輸入多并聯驅動電源的實現方法，具有高性價比，輸出電流大，失真度低，且具有優異的串電流調節功能等優點。
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LED 照明驅動 DC/DC SIMPLE MOSFET 201312
- 2013年11月22日，日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，在第十五屆中國國際高新技術成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區”這一主題，重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業電子以及存儲等五大應用領域的創新技術與解決方案。
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東芝 存儲卡 MOSFET
- 引言對電能轉換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉換...
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IGBT MOSFET
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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三菱電機 SiC
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MOS管 驅動電路 MOSFET 導通特性 AN799
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